【摘要】第三章思考題與習題解答3-1選擇填空(只填a、b、c、d)(1)直接耦合放大電路能放大,阻容耦合放大電路能放大。(,,、直流信號)(2)阻容耦合與直接耦合的多級放大電路之間的主要不同點是。(,,)(3)因為阻容耦合電路(,,,),所以這類電路(,,),但是(,,)。目的復習概念。
2025-03-25 04:55
【摘要】第2章一階動態(tài)電路的暫態(tài)分析習題解答在圖(a)中,?C,0)0(?u,電流波形如圖(b)所示。求電容電壓)(tu,瞬時功率)(tp及t時刻的儲能)(tw。圖習題圖解電流源電流為???????????其他02s11A1s01
2024-12-01 22:21
2024-11-14 15:52
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)教材:模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(第四版)康華光主編本課程的主要內(nèi)容半導體基礎(chǔ)知識二極管的工作原理、分析方法三極管的工作原理、分析方法場效應管的工作原理、分析方法基本放大器差分放大器集成運算放大器負反饋放大器功率放大器器件
2025-05-17 19:59
【摘要】1.填空(1)N型半導體是在本征半導體中摻入;P型半導體是在本征半導體中摻入。(2)當溫度升高時,二極管的反向飽和電流會。(3)PN結(jié)的結(jié)電容包括和。(4)晶體管的三個工作區(qū)分別是
2024-10-29 08:43
【摘要】《模擬電子技術(shù)》考試題型一、判斷/思考題二、填空/改錯題三、分析與選擇題四、計算題五、設(shè)計題模擬電子技術(shù)習題(部分)一、填空題1)根據(jù)導電能力來衡量,自然界的物質(zhì)可以分為(絕緣體)、(導體)和(半導體)三類。2)P型半導體的多數(shù)載流子是(空穴),少數(shù)載流子是(電子);
2025-08-05 08:50
【摘要】僅供個人使用,請勿用于商業(yè)目的本文檔僅供參考第二章題解-1第二章基本放大電路自測題一、在括號內(nèi)用“”或“×”表明下列說法是否正確。(1)只有電路既放大電流又放大電壓,才稱其有放大作用;()(2)可以說任何放大電路都有功率放大作用;()(3)放大電路中輸出的電流
2024-11-07 10:36
【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》習題及參考答案一、填空題:1.半導體中有自由電子和空穴兩種載流子參與導電。2.半導體中由漂移形成的電流是反向電流,它由少數(shù)載流子形成,其大小決定于溫度,而與外電場無關(guān)。3.PN結(jié)的P型側(cè)接高電位,N型側(cè)接低電位稱為正向偏置(正偏),反之稱為反向偏置(反偏)。4.PN
2024-10-26 10:24
【摘要】1第4章習題解答4-1寫出圖T4-1電路的輸出函數(shù)式,證明a、b有相同的邏輯功能。B(a)AY1(b)Y2BA圖T4-1習題4-1的圖解4-1Y1=AB'+A'B';Y2=(A+B)(A'+B'
2024-10-27 08:42
【摘要】16
【摘要】第3章正弦穩(wěn)態(tài)電路的分析習題解答已知正弦電壓??V314sin10???tu,當0?t時,V5?u。求出有效值、頻率、周期和初相,并畫波形圖。解有效值為210??UHz502314???f;??fT將0?t,V5?u代入,有)sin(105???
【摘要】·110·第2章半導體二極管及直流穩(wěn)壓電源習題2,,測得,試問二極管VD是否良好(設(shè)外電路無虛焊)?解:內(nèi)部PN結(jié)或電極已開路,D已損壞。,,試分別估算開關(guān)斷開和閉合時輸出電壓的數(shù)值。解:S斷開:斷開VD,。所以VD
2025-07-25 12:13
【摘要】第4章場效應管放大電路與功率放大電路,請分別說明場效應管各屬于何種類型。說明它的開啟電壓(或夾斷電壓)約是多少。解:(a)N溝道耗盡型FETUP=-3V;(b)P溝道增強型FETUT=-4V;(c)P溝道耗盡型FETUP=2V。某MOSFET的IDSS=10mA且UP=-8V。(1)此元件是P溝道還是N溝道?(2)計算
【摘要】電工與電子技術(shù)復習資料電工電子教研室第一章:直流電路一、單項選擇題,已知U=220V,I=-1A,則元件消耗的功率P為( C )C.-220W*2.直流電路如題2圖所示,電流I應等于( A?。?,Vi=3V,則點1的電位φ1為( B )A.-6V
2025-03-25 05:01
【摘要】1模擬電子技術(shù)習題答案電工電子教學部2第一章緒論一、填空題:1.自然界的各種物理量必須首先經(jīng)過傳感器將非電量轉(zhuǎn)換為電量,即電信號。2.信號在頻域中表示的圖形或曲線稱為信號的頻譜。3.通過傅立葉變換可
2024-11-07 06:22