【摘要】第一章一、選擇題(請(qǐng)選擇一個(gè)最合適的答案填入括號(hào)內(nèi))1.P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是(),N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是()。A.自由電子B.空穴C.電荷2.當(dāng)PN結(jié)正偏時(shí),空間電荷區(qū)中載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂流運(yùn)動(dòng)相比()。A.前者強(qiáng)于后者B.后者強(qiáng)于前者3.
2025-03-25 04:55
【摘要】《電路與電子技術(shù)基礎(chǔ)》參考解答習(xí)題一1-1一個(gè)繼電器的線圈,電阻為48Ω,,問(wèn)線圈兩端應(yīng)施加多大的電壓?答:根據(jù)歐姆定律可得:U=IR=*48=1-2一個(gè)1000W的電爐,接在220V電源使用時(shí),流過(guò)的電流有多大?答:由電路的功率計(jì)算公式可知:P=UI,所以1-3求題圖1-1(a)、(b)電路得Uab。6V
2025-08-05 09:44
【摘要】WORD格式整理第1章電路的基本知識(shí)電路的概念(1)略(2)電路通常由電源、負(fù)載和中間環(huán)節(jié)(導(dǎo)線和開(kāi)關(guān))等部分組成。A.電源的作用:將其他形式的能轉(zhuǎn)換成電能。B.負(fù)載的作用:將電能轉(zhuǎn)換成其他形式的能。C.中間環(huán)節(jié)的作用:傳遞、分配和控制電能。電路
2025-07-25 12:14
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題一、填空題:(每空1分,共10分)1.()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門(mén)輸出的三種狀態(tài)分別為:、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個(gè)觸發(fā)器可以存儲(chǔ)位二進(jìn)制數(shù)。6.存儲(chǔ)容量為4K×8位的RAM存儲(chǔ)器,其地
2025-06-19 22:45
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測(cè)題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時(shí),擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在
2024-11-04 06:14
【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)自測(cè)題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40V時(shí)
2025-05-31 18:18
【摘要】電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分第五版第八章作業(yè)題解答湖呵呵
2024-10-29 07:01
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測(cè)題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時(shí),擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2025-07-27 10:44
【摘要】第1章半導(dǎo)體二極管及其基本應(yīng)用1.1填空題1.半導(dǎo)體中有空穴和自由電子兩種載流子參與導(dǎo)電。2.本征半導(dǎo)體中,若摻入微量的五價(jià)元素,則形成N型半導(dǎo)體,其多數(shù)載流子是電子;若摻入微量的三價(jià)元素,則形成P型半導(dǎo)體,其多數(shù)載流子是空穴。3.PN結(jié)在正偏時(shí)導(dǎo)通反偏時(shí)截止,這種特性稱(chēng)為單向?qū)щ娦浴?.當(dāng)溫度升高時(shí),二極
2025-06-23 22:43
【摘要】試卷一答案一、單項(xiàng)選擇題(每空2分,共20分)1、(C)2、(B)3、(D)4、(D)5、(A)6、(D)7、(D)8、(A)9、(C)10、(C)二、填空題(每空1分,共30分)1、互阻放大、互導(dǎo)放大2、摻雜、光照3、Au≤1(或放大倍數(shù)小于等于1,輸出電壓
2024-11-09 11:44
【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》面向21世紀(jì)課程教材清華大學(xué)電子學(xué)教研組編第三版童詩(shī)白華成英主編嘉應(yīng)學(xué)院物理系教材:《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》(第三版,童詩(shī)白華成英,高等教育出版社)《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)》(楊剛,電子工業(yè)出版社)
2025-01-12 03:07
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)安徽理工大學(xué)電氣工程系主講:黃友銳第二十講模擬乘法器的基本原理模擬乘法器的應(yīng)用(簡(jiǎn)介)乘法器是又一種廣泛使用的模擬集成電路,它可以實(shí)現(xiàn)乘、除、開(kāi)方、乘方、調(diào)幅等功能,廣泛應(yīng)用于模擬運(yùn)算、通信、測(cè)控系統(tǒng)、電氣測(cè)量和醫(yī)療儀器等許多領(lǐng)域。模擬乘法器的基本原理模擬乘法器的基本原理變跨導(dǎo)型模擬乘法
2025-01-02 09:20
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)安徽理工大學(xué)電氣工程系主講:黃友銳第十二講負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響負(fù)反饋是改善放大電路性能的重要技術(shù)措施,廣泛應(yīng)用于放大電路和反饋控制系統(tǒng)之中。負(fù)反饋對(duì)增益穩(wěn)定性的影響負(fù)反饋對(duì)輸入電阻的影響負(fù)反饋對(duì)輸出電阻的影響負(fù)反饋對(duì)通頻帶的影響負(fù)反饋對(duì)非線性失真的影響
2025-07-19 20:34
【摘要】清華大學(xué)華成英模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)?本課程是入門(mén)性質(zhì)的技術(shù)基礎(chǔ)課清華大學(xué)華成英一、電子技術(shù)的發(fā)展?47年貝爾實(shí)驗(yàn)室制成第一只晶體管?58年集成電路?69年大規(guī)模集成電路?75年超大規(guī)模集成電路?第一片集成電路只有4個(gè)晶體管,而97年一片集成電路上有40億
2024-10-09 15:00
【摘要】模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)題一、判斷題(在正確的論斷前的括號(hào)內(nèi)填入“√”,否則填入“×”。)第二章(×)1.運(yùn)算電路中一般引入正反饋。(√)2.凡是運(yùn)算電路都可利用“虛短”和“虛斷”的概念求解運(yùn)算關(guān)系。第三章(×)1.因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以
2024-10-27 08:12