【正文】 工作電流 IB、 IC 的實際方向如圖中箭頭所示，靜態(tài)電壓 UBE 、 UCE 。 （ 2）對題 33 圖（ b）中電路，計算基極電流： ? ?μA101010 3B BEB ?????? R UI 電路飽和時，集電極電流為： ? ?1010 3C C E SCCm a xC, ?????? R UVI 因為 maxC,B II ?? ，所以晶體管處于放大狀態(tài)。 （ 1）有極連續(xù)正確的直流電源、合理的原件參數(shù)，以保證三極管發(fā)射結(jié)正偏、集電極反偏和合適的靜態(tài)工作點，使三極管工作在放大區(qū)。分析中頻特性時，可以忽略 電容的影響。如果輸入信號為單一頻率的余弦波，電路能夠進行信號放大的最高頻率為 。 （ A） CE （ B） CC （ C） CB （ D）任意組態(tài) （ 15） .在共射、共集、共基三種基本放大電路組態(tài)中，電壓放大倍數(shù)小于 1 的是 組態(tài)；輸入電阻最大的是 組態(tài)，輸入電阻最小的是 組態(tài)； 輸出電阻最大的是 組態(tài)，輸出電阻最小的是 組態(tài)。 （ A）共射電路 （ B）共集電路 （ C）共基電路 （ D）任何一種組態(tài)的電路 （ 12） .為了使一個低阻輸出的放大電路（或內(nèi)阻極小的電壓源）轉(zhuǎn)變?yōu)楦咦桦姵氐姆糯箅娐罚ㄟ^內(nèi)阻盡可能大的電流源），可以 在低阻輸出的放大電路的后面接入 。 （ A）正常放大 （ B）出現(xiàn)飽和失真 （ C）出現(xiàn)截止失真 （ D）不確定 （ 8） .對于有 NPN 組成的基本共射放大電路，若產(chǎn)生飽和失真，則輸出電壓 失真；若產(chǎn)生截止失真，則輸出電壓 失真。 （ A）共射 （ B）共集 （ C）共基 （ D）不確定 （ 4） .對于題 31 圖所示的放大電路，用直流電壓表測得 UCE≈ VCC，有可能是因ui (a) VT RD _ _ + + uo 2 iD/mA 0 (b) 1 uDS/V 3 6 9 12 15 10V 8V 4V 6V 題 220 圖 為 ，測得 UCE≈ 0 時，有可能是因為 。 （ B）發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏。 （ C）發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。但是由題 220 圖可知 UGS(th)=4V，當 uGS= 10V 時，預夾斷電壓 uDS=uGS(th)UGS(th)=104=6(V)，可看到此時漏源之間實際電壓小于 uGS=10V 時的預夾斷電壓，說明工作已不工作雜恒流區(qū)，而是工作在可變電阻區(qū)。 18. 一個 MOS 場效應管的轉(zhuǎn)移特性如題 219 圖所示（其中漏電流 iD 的方向是它的實際 方向），試問： （ 1） MOS 場效應管是 耗盡型還是增強型？ （ 2） MOS 場效應管是 N 溝道還是 P 溝道？ （ 3）從這個轉(zhuǎn)移特性曲線上可求出該場效應管的什么參數(shù)？氣值是多大？ 解：為 P 溝道增強型 MOS 管，可求出 UGS(th) =4V。試分析 A， B， C 中哪個是基極，哪個是輻射極。讀出 Q 點的坐標值，即為二極管的直流電流和電壓， UD≈ ， ID≈。因為 VT1 另一個極電位最高，為集電極，可判斷為 NPN 型管； VT2 和 VT3 另一個極電位最低，為集電極，所以為 PNP 型管。 解：本題考察是否掌握通過實驗來判斷管理和管腳的方法。 解：如題 212 解圖所示，三角波正半周時，穩(wěn)壓管 VDZ1 正向?qū)ǎ旊妷悍敌∮诜€(wěn)壓管的穩(wěn)壓值時，穩(wěn)壓管 VDZ2 截止；當?shù)扔诖笥诜€(wěn)壓值時，穩(wěn)壓管反向擊穿，輸出電壓為穩(wěn)壓管穩(wěn)壓值。因此電路最終 DVDV3 截止， DV DV4 導通。在 DV3 導通的情況下，斷開二 極管 DV DV2 和 DV4，此時 DV1 兩端電壓近似為 6V； DV2 兩端電壓為 0V； DV4 兩端電壓為 8V，因此 DV4 導通。 如題 210 解（ c）圖所示，首先斷開二極管 VD1 和 VD2,VD1 兩端電壓為 6V， CD2兩端電壓為 3V；因此 VD1 導通、 CD2 截止。 9. 場效應管與雙極型三極管比較，有什么特點？ 答：（ 1）場效應管是電壓控制型器件，輸入電阻高； （ 2）場效應管是多子導電，而雙極型三極管是兩種載流子均參與導電，因而場效應管收溫度、輻射的影響較小； （ 3）場效應管的噪聲系數(shù)很小； （ 4）場效應管的源極和漏極可以互換使用，而晶體管一般情況下集電極和發(fā)射極不能互換使用； （ 5）場效應管的種類比晶體管種類多，股使用更加靈活； （ 6）場效應管集成工藝更簡單、功耗更低、工作電源電壓范圍寬。這樣發(fā)射區(qū)發(fā)射出的載流子才能有一部分穿越基區(qū)被集電區(qū)收集成為集電極電流。 4. 當直流電源電壓波動或外接負載電阻 RL 變動時，穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路的輸出電壓能否保持穩(wěn)定？若能穩(wěn)定，這種穩(wěn)定是否是絕對的？ 答：能穩(wěn)定，但不是絕對的，超出一定范圍時，不能夠再穩(wěn)定。 （ 7）對； PN 結(jié)在無光照、無外加電壓時，處于動態(tài)平衡狀態(tài)，擴散電流和漂移電流相等。 （ 3）對；結(jié)型場效應管在柵 源之間沒有絕緣層，所以外加的柵 源電壓應使柵 —源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證 RGS大的特點。 （ ） （ 8）若耗盡型 N 夠到 MOS 場效應管的 UGS大于零，則其輸入電阻會明顯減少。 （ ） （ 4）要在穩(wěn)壓管兩端家反向電壓就能起穩(wěn)壓作用。（正偏、反偏） 答案：（ 1）五價元素；三價元素；（ 2）增大；（ 3）勢壘電容和擴散電容；（ 4）放大區(qū)、截止區(qū)和飽和區(qū)；放大區(qū)；（ 5）反偏。 （ 3） PN 結(jié)的結(jié)電容包括 和 。 （ 2）當溫度升高時，二極管的反向飽和電流會 。 （ 5）結(jié)型場效應管工作在恒流區(qū)時，其柵 源間所加電壓應該 。 （ ） （ 3）結(jié)型場效應管外加的柵 源電壓應使柵 源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證 RGS大的特點。 （ ） （ 7）在 N 型班的人中如果摻入足量的三價元素，可將其改型為 P 型半導體。對于 P 型半導體或 N 型半導體在沒有形成 PN 結(jié)時，處于電中性狀態(tài)。 （ 6）對； N 型半導體中摻入足夠量的三價元素，不但可復合原先摻入的五價元素，而且可使空穴成為多數(shù)載流子， 從而形成 P 型半導體。 答：當正向電流超過最大整流電流會使二極管結(jié)溫過高，性能變壞，甚至會燒毀二極管；當反向工作電壓超過最高反向工作電壓時，會發(fā)生擊穿。因為三極管中的兩個 PN 結(jié)是相互有關(guān)聯(lián)的，發(fā)射區(qū)摻雜濃度要大，集電區(qū) 摻雜濃度要小，基區(qū)要薄。 8. 怎樣用萬用表判斷二極管的正、負極性及好壞？ 答：可以利用萬用表的電阻檔測量二極管兩端電阻，正向時電阻很小，反向是電阻很大。 在題 210（ c）中，有兩只二極管，應用分析中介紹的方法分別判斷每只管子的狀態(tài)。如題 210 解（ d）圖所 示，首先斷A + B A 3KΩ 12V + _ VD uo 6V (a) VD1 VD2 3KΩ (c) 6V + _ uo 9V (d) VD3 + uo VD4 VD2 VD1 6V 0V 8V _ 6KΩ 6KΩ +12V uo 2KΩ 3V _ (b) 12V VD 3KΩ B A B 開二極管 DV DV DV3 和 DV4， DV1 兩端電壓 6V， DV2 兩端電壓為 12V；DV3 兩端電壓為 24V； DV4 兩端電壓為 20V；因此 DV3 導通。 DV2 和 DV4 導通、 DV3 截止使 DV1 反偏截止。 12. 如題 212 圖所示，電路中兩只穩(wěn)壓管完全相同， UZ=8V， ui=15sinωt（ V），試畫出輸出電壓 uo 波形。試分別判斷它們的管型（ NPN、 PNP）、管腳及所用材料（硅或鍺）。 由題 213 圖知， VT1 有兩個極的電位相差 ，所以 VT1 應為硅管，而 VT2 和VT3 均有兩個極電位相差 ，所以 VT2 和 VT3 為鍺管。因此，二極管的端電壓可寫為 uD=UiDR，在二極管的伏安特性坐標系中作直線，與伏安特性曲線的交點就是 Q 點，如題 214解圖所示。 已測出 IA=， IB=， IC=。試問： （ 1）它是 N 溝道還是 P 溝道的場效應管？ （ 2）它的夾斷電壓 UGS(off)和飽和漏電流 IDSS各是多少？ 解：為 N 溝道結(jié)型場效應管，如題 219 圖所示，夾斷電壓 UGS(off) =4V，飽和漏電流 IDSS=3mA。 （ 3）當 uI=10V，即 uGS=10V 時，假設(shè)管子工作在恒流區(qū)，由題 220 圖可知， iD≈ 2mA，而可求出 uO=uDS=UDDiDRD=1510=5(V)。 （ B）發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏。 （ A）發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 （ 3） .在公射、共集、共基三種基本組態(tài)放大電路中，電壓放大倍數(shù)小于 1 是 組態(tài)。 （ A）電路工作正常 （ B）三極管工作不正常 （ C）電容 Ci 短路 （ D）電容 Ci 短路 （ 6） .對于題 31 圖所示放大電路，若其它電路參數(shù)不變，僅當 RB 增大時， UCEQ將 ；若僅當 RC 減小時， UCEQ 將 ；若僅當 RL 增大時， UCEQ 將 ；若僅更換一個 β 較小的三極管時， UCEQ 將 ； （ A）增大 （ B）減小 （ C）不變 （ D）不確定 （ 7） .對于題 31 圖所示放大電路，輸入電壓 ui 為余弦信號，若輸入耦合電容 Ci 短路，則該電路 。 （ A）正半波消波 （ B）負半波消波 （ C）雙向消波 （ D）不消波 （ 11） .為了使高阻輸出的放大電路（或內(nèi)阻信號源）于低阻負載（或低輸入電阻的放大電路）很好地配合，可以在高阻輸出的放大電路與負載之間插入 。 （ 14） .能放大電壓又能放大電 流的是 組態(tài)放大電路；呢過放大電壓但不能放大電流的是 組態(tài)放大電路；能放大電流但 放大斷的是 組態(tài)放大電路；能進行功率放大的是 組態(tài)放大電路。 (A)β=1 (B) β =21 (C) β= （ D） β=3 （ 18） .某三極管的寬帶增益積為 1MHz。 （ 20） .為了簡化分析過程，分析題 31 圖電路的低頻特性時，可以忽略 電容的影響。 解： 不論那種組態(tài)的放大電路，如果希望能夠正常放大信號，必須遵守以下原則。 解： （ 1）對題 33 圖（ a）中電路，計算基極電流： ? ?μA1301010 3B BEB ?????? RUI 電路飽和時，集電極電流為： ? ?1010 3C C E SCCm a xC, ?????? R UVI 因為 maxC,B II ?? ，所以晶體管處于飽和狀態(tài)。 解：用 PNP 型三極管組成的單管共射放大電路的原理圖如題 34 解圖（ a）所示。 24. 電路如題 35 圖所示。電源 VCC使發(fā)射結(jié)反偏，不能提供合適的靜態(tài)工作點。 C2 電容使集電極交流接地，從而使輸出電壓交流部分為零。 題 35 圖 RE VCC VT RC + RB1 Ci RB2 CE RS uo