核輻射測(cè)量原理復(fù)習(xí)資料-免費(fèi)閱讀
【正文】 注：按步驟給分。8. 衡量脈沖型核輻射探測(cè)器性能有兩個(gè)很重要的指標(biāo)，這兩個(gè)指標(biāo)是指什么探測(cè)效率 能量分辨率。，分別配以塑料閃爍體及NaI(T1) g射線譜的形狀有何不同？答：由于塑料閃爍體有效原子序數(shù)、密度及發(fā)光效率均低于NaI(T1)閃爍晶體， g射線譜的形狀，其總譜面積相應(yīng)的計(jì)數(shù)、峰總比、全能峰的能量分辨率均比NaI(T1)閃爍晶體差，甚至可能沒有明顯的全能峰。電子脈沖電離室的工作條件其輸出回路的時(shí)間常數(shù)為RC，可獲得較高的計(jì)數(shù)率，但不能精確的測(cè)量粒子的能量。2. X射線和γ射線有何異同？答：γ輻射和X射線都是電磁輻射。63. 最廣泛、最常用的三種氣體探測(cè)器是電離室、正比計(jì)數(shù)管探測(cè)器、G—M計(jì)數(shù)管探測(cè)器。55. 用涂鈾電離室探測(cè)中子是通過 核裂變 方法間接探測(cè)中子。49. 自猝滅GM計(jì)數(shù)管加的自猝滅氣體一般是 有機(jī)分子氣體（酒精等）和鹵素氣體。41. 電離室按工作方式可分為 脈沖電離室 和累積電離室。33. 測(cè)量α射線一般選用ZnS(Ag)閃爍體。（NaI(Tl)閃爍體、ZnS(Ag)閃爍體、塑料閃爍體)25. 放射性活度的測(cè)量方法一般有 絕對(duì)測(cè)量法 和 相對(duì)測(cè)量法 。17. 對(duì)低能γ射線的探測(cè)效率則主要取決于探測(cè)器材料的有效原子系數(shù)。9. 電離室一般用來探測(cè)帶電粒子射線的能量和強(qiáng)度 。填空題：1. α粒子與物質(zhì)相互作用的形式主要有以下兩種： 彈性散射、電離和激發(fā)。若電子獲得的能量較少，不足以克服原子的束縛，只是從較低能量狀態(tài)上升到較高能量狀態(tài)，則原子被激發(fā)。22. 逃逸峰：若高能γ射線與探測(cè)器物質(zhì)發(fā)生電子對(duì)效應(yīng)時(shí)，湮沒輻射光子中的一個(gè)或者兩個(gè)逃離探測(cè)器。12. 偶然符合計(jì)數(shù)：在時(shí)間上沒有必然聯(lián)系的事件產(chǎn)生的脈沖引起的符合計(jì)數(shù)稱為偶然符合計(jì)數(shù)。4. 電子吸附效應(yīng)：電子在運(yùn)動(dòng)過程中與氣體分子碰撞時(shí)可能被分子俘獲，形成負(fù)離子，這種現(xiàn)象稱為電子吸附效應(yīng)。5. 復(fù)合：電子和正離子相遇或者負(fù)離子和正離子相遇能復(fù)合成中性原子或中性分子。13. 衰變常數(shù)：表示某種放射性核素的一個(gè)核在單位時(shí)間內(nèi)進(jìn)行衰變的概率。23. 特征峰：若光電效應(yīng)發(fā)生在表面，光電子被打出后，探測(cè)介質(zhì)原子發(fā)射的特征X射線可能逃出探測(cè)器，形成E=能量的峰，稱為特征峰。32. 激發(fā)：帶電粒子進(jìn)入物質(zhì)時(shí)和物質(zhì)原子的軌道電子發(fā)生庫倫相互作用，使入射帶電粒子的能量轉(zhuǎn)移給電子。2. γ射線與物質(zhì)相互作用的主要形式有以下三種： 康普頓散射、光電效應(yīng)、電子對(duì)效應(yīng)。10. 正比計(jì)數(shù)管一般用來探測(cè) α、β、γ、X、帶電粒子、重帶電粒子 射線的 能量、強(qiáng)度、能量和強(qiáng)度 。18. ＧＭ計(jì)數(shù)管的輸出信號(hào)幅度與 入射射線的能量無關(guān)。26. 在NaI(T1)中2MeVγ射線相互作用的光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)和電子對(duì)效應(yīng)的截面比為1：20：2，入射到NaI(T1)中的2MeVγ射線的脈沖幅度譜給出的峰總比是 大于 1/23。（NaI(Tl)閃爍體、ZnS(Ag)閃爍體、塑料閃爍體)34. 探測(cè)器對(duì)一個(gè)入射粒子的相應(yīng)是一個(gè) 電流 脈沖。42. 正比計(jì)數(shù)器雪崩通常發(fā)生在 陽極絲附近 。50. 測(cè)量α射線一般選用ZnS(Ag)閃爍體。56. 重帶電粒子的能量損失率與物質(zhì)的電子密度和電荷數(shù)有關(guān)。64. 中子探
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