模擬電子技術(shù)第4章-預(yù)覽頁
【正文】 V(硅管 )(鍺管 )U ? Uth iD 急劇上升0 ? U ? Uth UD(on) = ( ? 1) V 硅管 V(? ) V 鍺管 V反向特性ISU (BR)反向擊穿U(BR) ? U ? 0 iD = IS ?A(硅 ) 幾十 ?A (鍺 )U U(BR) 反向電流急劇增大 (反向擊穿 )反向擊穿類型：電擊穿熱擊穿反向擊穿原因 ： 齊納擊穿 ：(Zener)反向電場太強(qiáng)，將電子強(qiáng)行拉出共價(jià)鍵。 反向電流過大， PN結(jié)溫度升高(擊穿電壓 6 V，正 溫度系數(shù) )特點(diǎn)：隨著反向電流急劇增加， PN結(jié)的反向電壓值增加很少。手冊上給出的最高反向工作電壓 UR一般是 UBR的一半。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流要比硅管大幾十到幾百倍。(按理想模型 )O tui / V15RLD1D4D2D3ui BA uOO tuO/ V153. 參數(shù)估算1) 整流輸出電壓平均值2) 二極管平均電流3) 二極管最大反向壓?to?to?to?to? 2? 3?? 2? 3?Im??2?2?3?3?uOu2uDiD = iOn負(fù)載電阻 RL中流過的電流 iO的平均值 IO為二極管組成的限幅電路：當(dāng) U》 0且 U》 UR+UD時(shí)，二極管 D導(dǎo)通，開關(guān)閉合，輸出電壓 U0=UD+UR。一、結(jié)構(gòu)二、特性利用 PN結(jié)的反向擊穿特性實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓作用穩(wěn)壓管反向擊穿后：反向電流變化很大、反向擊穿電壓變化很小主要參數(shù)1. 穩(wěn)定電壓 UZ 流過規(guī)定電流時(shí)穩(wěn)壓管 兩端的反向電壓值。 穩(wěn)壓二極管在工作時(shí)應(yīng)反接，并串入一只電阻。適當(dāng) 選擇 參數(shù) RZ的阻 值 ，使流 過穩(wěn)壓 管的 電 流在 穩(wěn)壓 管參數(shù) —— 穩(wěn) 定 電流 IZ和最大 電 流 IZM之 間U電阻的作用一是起限流作用，以保護(hù)穩(wěn)壓管；其次是當(dāng)輸入電壓或負(fù)載電流變化時(shí)，通過該電阻上電壓降的變化，取出誤差信號以調(diào)節(jié)穩(wěn)壓管的工作電流，從而起到穩(wěn)壓作用。I BN基區(qū)空穴來源基極電源提供 (IB)集電區(qū)少子漂移(ICBO)I CBOIBIBN ? IB + ICBO即：IB = IBN – ICBO 2)電子到達(dá)基區(qū)后(基區(qū)空穴運(yùn)動因濃度低而忽略)I CNIEI BNI CBOIB 3) 集電區(qū)收集擴(kuò)散過 來的載流子形成集 電極電流 ICICI C = ICN + ICBO （二）晶體管的電流分配關(guān)系 當(dāng)管子制成后，發(fā)射區(qū)載流子濃度、基區(qū)寬度、集電結(jié)面積等確定，故電流的比例關(guān)系確定，即：IB = I BN ? ICBO IC = ICN + ICBO穿透電流IE = IC + IB1. 滿足放大條件的三種電路ui uoCEB ECBui uoECBui uo共發(fā)射極 共集電極共基極（三） 晶體管的放大作用（四）關(guān)于 PNP 型晶體管要保證發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，外加電 源極性應(yīng)與 NPN管相反。A40 181。AIB = 0O 2 4 6 8 43211. 截止區(qū)：2. IB ? 0 3. IC = ICEO ? 04. 條件： 兩個(gè)結(jié)反偏截止區(qū)ICEO2. 飽和區(qū)：uCE （ 飽和壓降 ） ? u BEuBE 0、 u BC 0 條件： 兩個(gè)結(jié)正偏特點(diǎn)： IC ? ? IB臨界飽和時(shí)： uCE = uBE深度飽和時(shí)： V (硅管 )UCE(SAT)= V (鍺管 )放大區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)ICEO固定 iB不變時(shí)， iC隨 uCE的增大而迅速增加iC / mAuCE /V50 181。A10 181。A20 181。A30 181。 （二）、極間反向電流CB 極 間反向飽和電流 ICBO， CE 極 間反向飽和電流 ——穿透電流： ICEO。3. U(BR)CEO — 基極開路時(shí) C、 E 極 間反向擊穿電壓。手冊上給出的數(shù)值是25?C、 基極開路時(shí)的擊穿電壓 U(BR)CEO。OT2 T12. 溫度對 ? 的影響 溫度升高，輸出特性曲線 向上移
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