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模擬電子技術(shù)第一章-預(yù)覽頁

2025-01-21 03:59 上一頁面

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【正文】 聯(lián)立以下兩式 :得:所以 :得:令 : 共射直流電流放大系數(shù)模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁IBUBE0UCE ≥ 1V死區(qū)電壓1. 三極管的輸入特性 (共發(fā)射極接法)IB = f (UBE ) UC E = 常數(shù)三、三、 三極管的特性曲線三極管的特性曲線模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁( 1) uCE=0V時,相當(dāng)于兩個 PN結(jié)并聯(lián)。 死區(qū)電壓硅 鍺 導(dǎo)通壓降硅 鍺 模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁IB =40181。 ( 1)當(dāng) uCE=0 V時,因集電極無收集作用, iC=0。所以 uCE再增加, iC基本保持不變。A40 181。 此時發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)也正偏。 此時,發(fā) 射結(jié)正偏,集電 結(jié)反偏。 它實際上就是 一個 PN結(jié)的反向電流。當(dāng) ?值 下降到線性放大區(qū) ?值的 70%時,所對應(yīng)的集電極電流稱為集電極最大允許電流 ICM。其值一般為幾十伏~幾百伏。A20181。A由三極管的極限參數(shù)確定安全工作區(qū)安全工 作區(qū)過損耗區(qū)PCM曲線IC / mAUCE /VICEOICMU(BR)CEO模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 半導(dǎo)體三極管的型號第二位: A鍺 PNP管、 B鍺 NPN管、 C硅 PNP管、 D硅 NPN管 第三位: X低頻小功率管、 D低頻大功率管、 G高頻小功率管、 A高頻大功率管、 K開關(guān)管用字母表示材料用字母表示器件的種類用數(shù)字表示同種器件型號的序號用字母表示同一型號中的不同規(guī)格三極管國家標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)體器件型號的命名舉例如下:3DG110B模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁五、光電三極管等效電路 符號 外形模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁光電三極管的輸出特性曲線模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 場效應(yīng)管 BJT是一種電流控制元件 (iB~ iC),工作時,多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運行,所以被稱為雙極型器件。三個電極: g:柵極 d:漏極 s:源極符號:N溝道 P溝道兩個高摻雜 P區(qū)接在一起模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 2. 結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理 ( 1)柵源電壓對溝道的控制作用 在柵源間加 負電壓 uGS ,令uDS =0 ① 當(dāng) uGS=0時,為平衡 PN結(jié),導(dǎo)電溝道最寬。 模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁( 2)漏源電壓對溝道的控制作用 在漏源間加電壓 uDS ,令 uGS =0 由于 uGS =0,所以導(dǎo)電溝道最寬。預(yù)夾斷前, uDS↑→ iD ↑。 模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁結(jié)型場效應(yīng)管工作原理動畫演示結(jié)型場效應(yīng)管工作原理動畫演示模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁( 1)輸出特性曲線: iD=f( uDS ) │uGS=常數(shù) 結(jié)型場效應(yīng)三極管的特性曲線uGS=0VuGS=1V設(shè): UT= 3ViD受 uGS控制模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁四個區(qū):恒流區(qū)的特點:△ iD /△ uGS = gm ≈常數(shù) 即: △ iD = gm △ uGS (放大原理) ( a)可變電阻區(qū)(預(yù)夾斷前)。可變電阻區(qū) 恒流區(qū)截止區(qū)擊穿區(qū)模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁( 2)轉(zhuǎn)移特性曲線: iD=f( uGS ) │uDS=常數(shù) 可根據(jù)輸出特性曲線作出 移特性曲線 。 分為: 增強型 ? N溝道、 P溝道 耗盡型 ? N溝道、 P溝道 MOS管 ( 1) 結(jié)構(gòu) 4個電極:漏極 D,源極 S,柵極 G和 襯底 B。① 柵源電壓 uGS的控制作用模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 定義: 開啟電壓( UT) —— 剛剛產(chǎn)生溝道所需的柵源電壓 UGS,也記為 UGS(th)。 (設(shè) UT=2V, uGS=4V) ( a) uds=0時, id=0。 (恒流區(qū))模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁( 3)特性曲線 四個區(qū):( a)可變電阻區(qū)(預(yù)夾斷前)??勺冸娮鑵^(qū)恒流區(qū)截止區(qū)擊穿區(qū)iD受 uGS控制模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 ② 轉(zhuǎn)移特性曲線 : iD=f(uGS)?uDS=const 可根據(jù)輸出特性曲線作出 轉(zhuǎn)移特性曲線 。模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁 MOSFET特點: 當(dāng) uGS=0時,就有溝道,加入 uDS, 就有 iD。所以當(dāng)uGS=0時,這些正離子已經(jīng)感應(yīng)出反型層,形成了溝道。 (請大家自學(xué))模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁4. MOS管的主要參數(shù)( 1)開啟電壓 UT( 2)夾斷電壓 UP( 3)跨導(dǎo) gm : gm=?iD/?uGS? uDS=const ( 4)直流輸入電阻 RGS —— 柵源間的等效電阻。 ( 3)飽和漏極電流 IDSS MOS耗盡型和結(jié)型 FET, 當(dāng) uGS=0時所對應(yīng)的漏極電流。模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁四 .雙極型和場效應(yīng)型三極管的比較雙極型三極管 單極型場效應(yīng)管載流子 多子 +少子 多子輸入量 電流輸入 電壓輸入控制 電流控制電流源 電壓控制電流源輸入電阻 幾十到幾千歐 幾兆歐以上噪聲 較大 較小靜電影響 不受靜電影響 易受靜電影響制造工藝 不宜大規(guī)模集成 適宜大規(guī)模和超大規(guī)模集成模擬電子技術(shù)第一章上頁 首頁 下頁謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAIT
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