【正文】 體是具格子構(gòu)造的固體。0004．空間點陣中的陣點，稱為結(jié)點。0007．對稱是指物體相同部分作有規(guī)律的重復(fù)。也就是說，單形是由對稱要素聯(lián)系起來的一組晶面的集合。晶胞是能夠反映晶體結(jié)構(gòu)特征的最小單位?？s聚過程：分化過程產(chǎn)生的低聚化合物相互發(fā)生作用，形成級次較高的聚合物，次過程為縮聚過程。網(wǎng)絡(luò)中間體：單鍵強度介于250～335kJ/mol，這類氧化物的作用介于網(wǎng)絡(luò)形成體和網(wǎng)絡(luò)改性體之間，稱為網(wǎng)絡(luò)中間體。0021．雙升點：處于交叉位的單轉(zhuǎn)熔點。0025．切線規(guī)則：將界線上某一點所作的切線與相應(yīng)的連線相交，如交點在連線上，則表示界線上該處具有共熔性質(zhì)；如交點在連線的延長線上，則表示界線上該處具有轉(zhuǎn)熔性質(zhì)，遠(yuǎn)離交點的晶相被回吸。0029．本征擴散與非本征擴散：由此點缺陷引起的擴散為本征擴散，主要出現(xiàn)了肖特基和弗蘭克爾點缺陷。0033．同質(zhì)多晶：同一化學(xué)組成在不同外界條件下（溫度、壓力、pH值等），結(jié)晶成為兩種以上不同結(jié)構(gòu)晶體的現(xiàn)象。0035．當(dāng)晶體熱振動時，一些能量足夠大的原子離開平衡位置而擠到晶格點的間隙中，形成間隙原子，而原來位置上形成空位，這種缺陷稱為弗倫克爾缺陷。0037．晶子學(xué)說：玻璃內(nèi)部是由無數(shù)“晶子”組成，微晶子是帶有晶格變形的有序區(qū)域。晶體結(jié)構(gòu)網(wǎng)是由多面體無數(shù)次有規(guī)律重復(fù)構(gòu)成，而玻璃中結(jié)構(gòu)多面體的重復(fù)沒有規(guī)律性。反螢石型：陽離子和陰離子的位置與CaF2型結(jié)構(gòu)完全相反，即堿金屬離子占據(jù)F的位置，O2占據(jù)Ca2+的位置。三八面體型：在層狀硅酸鹽礦物中，若全部的八面體空隙被陽離子所填充稱為三八面體型結(jié)構(gòu)。0045．米勒指數(shù)0046．離子晶體的晶格能0047．離子極化：指正、負(fù)離子在電場作用下，使正，負(fù)電荷重心不重合，并產(chǎn)生偶極距的現(xiàn)象。熔體快速冷卻則變成玻璃體玻璃體。 0054．粉體在一定溫度作用下，發(fā)生團(tuán)結(jié)，使氣孔率下降，致密度提高，強度增大，晶粒增長，這種現(xiàn)象即為燒結(jié)。0058．橋氧離子：指一個氧離子與兩個硅離子的連結(jié)起來，此氧離子稱為橋氧離子。 0062．當(dāng)坯體中有若于大晶粒存在時，這些大晶粒邊數(shù)較多，晶界曲率較大，能量較高，使晶界可以越過雜質(zhì)或氣孔而繼續(xù)移向鄰近小晶粒的曲率中心。這一過程并不依賴于初次再結(jié)晶過程；晶粒長大不是小晶粒的相互粘接，而是晶界移動的結(jié)果。 ，陶器時代，青銅器時代，鐵器時代。 。 ： ＋C ＋C： ＋C ＋P： ＋C ＋P ，可得到________種點群。 ＋反伸 ＋反映。 = b ≠ c，α=β=γ=90176。 = b ≠ c，α=β=γ=90176。l）: A.（hkl） B.[uvw] C.｛hkl｝ D.[uv 。 ＋1 ＋1 （點群）可以劃分出________個晶系。 ≠ b ≠ c，α≠β≠γ≠ 90176。 ≠ b ≠ c，α≠β≠γ≠ 90176。 種。 。 ，正負(fù)離子半徑比為： ，正負(fù)離子半徑比為________。 。 。 。 。 （金紅石）屬于________晶系。 特性。 （金紅石）晶胞中含有________個分子。 。 335kJ/mol，這類氧化物屬于。 ，每個氧離子最多和________個正離子連接。 。 ： ： ： ： 。 。 B.+2 D.+1，晶體中總共有________種點缺陷基本形式。 ，可以分為________類。 ，當(dāng)Δ=(r1r2)/r115%，晶體結(jié)構(gòu)類型相同、電價不等，則生成________。 ，則其電導(dǎo)率與氧分壓的________次方成反比。 C.+2 D.+3，上標(biāo)為?表示帶________個電荷。 D. 5，當(dāng)Δ=(r1r2)/r115%、晶體結(jié)構(gòu)類型相同、電價相等，則生成________。 ，液體的表面張力隨溫度的升高會________。 ，相同物質(zhì)小晶粒的溶解度會________大顆粒的溶解度。 。 ，惰性標(biāo)記移動的主要原因是________。 ，相變發(fā)生時，兩平衡相的________相等，但其一階偏微分不相等。 A、最低 B、最高 C、適中 0060 B 0067C 0096. BD 0120. B 四、簡答題。？解：晶胞是指能夠充分反映整個晶體結(jié)構(gòu)特征的最小結(jié)構(gòu)單位，晶體可看成晶胞的無間隙堆垛而成。，試說明面心立方緊密堆積中的八面體和四面體空隙的位置和數(shù)量。所以共有8個四面體空隙與其直接相鄰，由于每個四面體空隙由4個球構(gòu)成，所以屬于這個球的四面體空隙數(shù)為81/4=2。 解：晶體結(jié)構(gòu)中的點缺陷類型共分：間隙原子、空位和雜質(zhì)原子等三種。電中性是指在方程式兩邊應(yīng)具有相同的有效電荷?！∪行臀诲e螺型位錯與柏格斯矢量的位置關(guān)系柏格斯矢量與刃性位錯線垂直柏格斯矢量與螺型位錯線平行位錯分類刃性位錯有正負(fù)之分螺形位錯分為左旋和右旋位錯是否引起晶體畸變和形成應(yīng)力場引起晶體畸變和形成應(yīng)力場，且離位錯線越遠(yuǎn)，晶格畸變越小引起晶體畸變和形成應(yīng)力場，且離位錯線越遠(yuǎn)，晶格畸變越小位錯類型只有幾個原子間距的線缺陷只有幾個原子間距的線缺陷。若此值在15～30%時，可以形成有限置換型固溶體。離子的電價因素只有離子價相同或復(fù)合替代離子價總和相同時，才可能形成連續(xù)置換型固溶體。比 較 項固 溶 體化 合 物機 械 混 合 物化學(xué)組成B2xAxO(x =0～2)AB2O4AO+B2O3相組成均勻單相單相兩相有界面。在不等價置換時，3Mg2+ →2Al3+ ；2Y3+ →3Ca2+。在這兩組方程中，從結(jié)晶化學(xué)的晶體穩(wěn)定性考慮，在離子晶體中除螢石型晶體結(jié)構(gòu)可以產(chǎn)生間隙型固溶體以外，由于離子晶體中陰離子緊密堆積，間隙陰離子或陽離子都會破壞晶體的穩(wěn)定性。（b）(1)(2) (3) (4) 、Al2O3和Cr2O3，其正、。（b）對于MgO－Cr2O3系統(tǒng)，結(jié)構(gòu)類型相差較大，前者為NaCl型，后者為剛玉型。、石英熔體、Na2O?2SiO2熔體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)上的區(qū)別。堿性氧化物含量增加，劇烈降低粘度。晶體SiO2—質(zhì)點在三維空間做有規(guī)律的排列，各向異性。 。SiO2是硅酸鹽玻璃中的主要氧化物。 性能差異：硅酸鹽玻璃：試劑和氣體介質(zhì)化學(xué)穩(wěn)定性好、硬度高、生產(chǎn)方法簡單等優(yōu)點。？ 解：硼反常現(xiàn)象：隨著Na2O（R2O）含量的增加，橋氧數(shù)增大，熱膨脹系數(shù)逐漸下降。這與相同條件下的硅酸鹽玻璃性能隨堿金屬或堿土金屬加入量的變化規(guī)律相反。但玻璃的網(wǎng)絡(luò)與晶體的網(wǎng)絡(luò)不同，玻璃的網(wǎng)絡(luò)是不規(guī)則的、非周期性的，因此玻璃的內(nèi)能比晶體的內(nèi)能要大。、生長速率隨DT變化的關(guān)系圖中，標(biāo)出哪一條曲線代表成核速率，哪一條曲線代表生長速率？為什么？速率D TIVu速率TmIVu原因：低溫熔體粘度大，質(zhì)點移動困難易聚結(jié)在一起而成核，即低溫有利于成核； 高溫熔體粘度小，質(zhì)點移動速率大，晶核易相遇形成 大的晶核而長大，即高溫有利于生長。0022. 影響濕潤的因素有那些？ 解：⑴ 固體表面粗糙度 當(dāng)真實接觸角θ小于90176。 ？ 解：吸附是固體表面力場與吸附分子發(fā)出的力場相互作用的結(jié)果，它是發(fā)生在固體上的。 ？ 解：兩種不同熱膨脹系數(shù)的晶相，在高溫燃燒時，兩個相完全密合接觸，處于一種無應(yīng)力狀態(tài)，但當(dāng)它們冷卻時，由于熱膨脹系數(shù)不同，收縮不同，晶界中就會存在應(yīng)力。如果加熱速度很慢，則在870℃轉(zhuǎn)變?yōu)閍 －鱗石英。a －鱗石英緩慢加熱，在1470℃時轉(zhuǎn)變?yōu)閍 －方石英，繼續(xù)加熱到1713℃熔融。如果在1000℃以上持久加熱，也會產(chǎn)生析晶。所以由于晶型轉(zhuǎn)變速度不同，在不同的加熱或冷卻速率下，硅酸鹽制品中經(jīng)常出現(xiàn)介穩(wěn)態(tài)晶相。再將此點與配料（3）的組成點連接，此連線的中點即為所求的熔體組成點。若在任意溫度的不平衡條件下，則有 若與不隨溫度而變化，將上式代入上式得： 可見，相變過程要自發(fā)進(jìn)行，必須有，則。，并舉一例說明之。答：高嶺石的陽離子交換容量較小，而蒙脫石的陽離子交換容量較大。答：蒙脫石和伊利石均為2:1型結(jié)構(gòu)。答：堿土金屬離子Be2+、Mg2+、Ca2+，隨著原子序數(shù)的增大，離子半徑逐漸增大，極化性能變化不大。但實際上由于C原子之間是共價鍵，具有方向性和飽和性，每個C原子只與4個C原子形成價鍵（緊密相鄰），所以并沒有達(dá)到緊密堆積（緊密堆積時每個原子同時與12個原子緊密相鄰），其晶體結(jié)構(gòu)內(nèi)部存在很多空隙。：Mg2[SiO4]，K[AISi3O8]，CaMg[Si2O6]， Mg3[Si4O10](OH)2，Ca2Al[AlSiO7]。、滑石和高嶺石具有層狀結(jié)構(gòu)，說明它們結(jié)構(gòu)的區(qū)別及由此引起的性質(zhì)上的差異。解：（1）Al3+可與O2形成[AlO4]5；Al3+與Si4+處于第二周期，性質(zhì)類似，易于進(jìn)入硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)中與Si4+發(fā)生同晶取代，由于鮑林規(guī)則，只能部分取代；（2）Al3+置換Si4+是部分取代，Al3+取代Si4+時，結(jié)構(gòu)單元[AlSiO4][ASiO5]，失去了電中性，有過剩的負(fù)電荷，為了保持電中性，將有一些半徑較大而電荷較低的陽離子如K+、Ca2+、Ba2+進(jìn)入結(jié)構(gòu)中；（3）設(shè)Al3+置換了一半的Si4+，則O2與一個Si4+一個Al3+相連，陽離子靜電鍵強度=3/41+4/41=7/4，O2電荷數(shù)為2，二者相差為1/4，若取代超過一半，二者相差必然1/4，造成結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定。時，粗糙度愈大，就容易潤濕；當(dāng)真實接觸角大于90186。熔體在冷卻過程中發(fā)生何種相變?nèi)Q于熔體組成和冷卻速率。⑷ 比較：玻璃化和分相均沒有釋放出全部多余的能量，因此與結(jié)晶化比較，玻璃化和分相都處于比較能量高的亞穩(wěn)態(tài)。⑶金氏方程有較好的普遍性，可從其方程本身得到進(jìn)一步的說明。NaCl形成肖特基缺陷； AgI形成弗侖克爾缺陷（Ag+進(jìn)入間隙）；TiO2摻入到Nb2O3中，請寫出二個合理的方程，并判斷可能成立的方程是哪一種？再寫出每個方程的固溶體的化學(xué)式。 3TiO23TiNb˙+VNb180。1