模擬電子技術第一章-預覽頁
【正文】 導體－－鐵、鋁、銅等金屬元素等低價元素，其最外層電子在外電場作用下很容易產生定向移動，形成電流。 無雜質 穩(wěn)定的結構 本征半導體是純凈的晶體結構的半導體。 本征半導體的結構 由于熱運動，具有足夠能量的價電子掙脫共價鍵的束縛而成為自由電子 自由電子的產生使共價鍵中留有一個空位置，稱為空穴 自由電子與空穴相碰同時消失，稱為復合。 溫度升高，熱運動加劇，載流子濃度增大，導電性增強。摻入雜質越多，多子濃度越高，導電性越強，實現(xiàn)導電性可控。 N區(qū)自由電子濃度遠高于 P區(qū)。 漂移運動 由于擴散運動使 P區(qū)與 N區(qū)的交界面缺少多數(shù)載流子，形成內電場，從而阻止擴散運動的進行。由于電流很小，故可近似認為其截止。A )(ufi ?開啟電壓 反向飽和電流 擊穿電壓 m V )26( )1e( TS T ??? UIi U u 常溫下溫度的 電壓當量 從二極管的伏安特性可以反映出： 1. 單向導電性 。 采用理想二極管簡化模型分析 。 波形如圖所示 。 小功率管 中功率管 大功率管 為什么有孔？ 二、晶體管的放大原理 ??????（集電結反偏），即（發(fā)射結正偏）放大的條件BECECBonBE0 uuuUu 擴散運動形成發(fā)射極電流 IE，復合運動形成基極電流 IB，漂移運動形成集電極電流 IC。 狀態(tài) uBE iC uCE 截止 ＜ Uon ICEO VCC 放大 ≥ Uon βiB ≥ uBE 飽和 ≥ Uon ＜ βiB ≤ uBE 四、主要參數(shù) ? ?? 直流參數(shù) ： 、 、 ICBO、 ICEO ce間擊穿電壓 最大集電極電流 最大集電極耗散功率， PCM＝ iCuCE 安全工作區(qū) ? 交流參數(shù)： β、 α、 fT（使 β＝ 1的信號頻率） ? 極限參數(shù) ： ICM、 PCM、 U（ BR） CEO EC II?? ??? ?????1ECii
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