模擬電子技術(shù)第一章(已修改)
2025-02-03 00:51 本頁(yè)面
【正文】 模擬 /數(shù)字電子技術(shù) 主講 ： xxx 第 1章 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ) 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 一、本征半導(dǎo)體 二、雜質(zhì)半導(dǎo)體 (重點(diǎn)） 三、 PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦? 一、 本征半導(dǎo)體 導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。 無(wú)雜質(zhì) 穩(wěn)定的結(jié)構(gòu) 本征半導(dǎo)體是純凈的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。 什么是半導(dǎo)體？什么是本征半導(dǎo)體？ 導(dǎo)體－－鐵、鋁、銅等金屬元素等低價(jià)元素，其最外層電子在外電場(chǎng)作用下很容易產(chǎn)生定向移動(dòng)，形成電流。 絕緣體－－惰性氣體、橡膠等，其原子的最外層電子受原子核的束縛力很強(qiáng)，只有在外電場(chǎng)強(qiáng)到一定程度時(shí)才可能導(dǎo)電。 半導(dǎo)體－－硅（ Si）、鍺（ Ge），均為四價(jià)元素，它們?cè)拥淖钔鈱与娮邮茉雍说氖`力介于導(dǎo)體與絕緣體之間。 本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu) 由于熱運(yùn)動(dòng)，具有足夠能量的價(jià)電子掙脫共價(jià)鍵的束縛而成為自由電子 自由電子的產(chǎn)生使共價(jià)鍵中留有一個(gè)空位置，稱為空穴 自由電子與空穴相碰同時(shí)消失，稱為復(fù)合。 共價(jià)鍵 一定溫度下，自由電子與空穴對(duì)的濃度一定；溫度升高，熱運(yùn)動(dòng)加劇，掙脫共價(jià)鍵的電子增多，自由電子與空穴對(duì)的濃度加大。 載流子 外加電場(chǎng)時(shí)，帶負(fù)電的自由電子和帶正電的空穴均參與導(dǎo)電，且運(yùn)動(dòng)方向相反。由于載流子數(shù)目很少，故導(dǎo)電性很差。 溫度升高，熱運(yùn)動(dòng)加劇，載流子濃度增大，導(dǎo)電性增強(qiáng)。 熱力學(xué)溫度 0K時(shí)不導(dǎo)電。 為什么要將半導(dǎo)體變成導(dǎo)電性很差的本征半導(dǎo)體？ 本征半導(dǎo)體中的兩種載流子 運(yùn)載電荷的粒子稱為載流子。 二、雜質(zhì)半導(dǎo)體 1. N型半導(dǎo)體 5?磷（ P） 雜質(zhì)半導(dǎo)體主要靠多數(shù)載流子導(dǎo)電。摻入雜質(zhì)越多，多子濃度越高，導(dǎo)電性越強(qiáng)，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電性可控。 多數(shù)載流子 空穴比未加雜質(zhì)時(shí)的數(shù)目多了？少了？為什么？ 2. P型半導(dǎo)體 3?硼（ B） 多數(shù)載流子 P型半導(dǎo)體主要靠空穴導(dǎo)電，摻入雜質(zhì)越多，空穴濃度越高，導(dǎo)電性越強(qiáng)，
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