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安徽省宿州市十三所重點(diǎn)中學(xué)新高考化學(xué)晶胞的相關(guān)計(jì)算專項(xiàng)訓(xùn)練之知識梳理與訓(xùn)練及答案-預(yù)覽頁

2025-04-02 00:56 上一頁面

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【正文】 __pm,Mg原子之間最短距離y=_________pm。晶胞中Sm和As原子的投影位置如圖2所示。10.鈷、銅及其化合物在工業(yè)上有重要用途,回答下列問題:(1) 請補(bǔ)充完基態(tài)Co的簡化電子排布式:[Ar]______, Co2+有________個(gè)未成對電子。其中 En 是乙二胺(H2NCH2CH2NH2)的簡寫。(1)Ti(BH4)3是一種儲氫材料,可由TiCl4和LiBH4反應(yīng)制得。(2)金屬氫化物是具有良好發(fā)展前景的儲氫材料。mol1I2/kJmol1738145177331054013630M是__族元素。12.銅單質(zhì)及其化合物在很多領(lǐng)域有重要的用途. ,超細(xì)銅粉可應(yīng)用于導(dǎo)電材料、催化劑等領(lǐng)域中;CuCl和都是重要的化工原料,常用作催化劑、顏料、防腐劑和消毒劑等. (1)超細(xì)銅粉的某制備方法如圖所示,中所含的化學(xué)鍵有 ______ . (2)氯化亞銅的制備過程是:向溶液中通入一定量,微熱,反應(yīng)一段時(shí)間后即生成CuCl白色沉淀.反應(yīng)的離子方程式為 ______ . ,廣泛應(yīng)用于樹木、果樹和花卉上,鮮藍(lán)色的膽礬晶體是配制波爾多液的主要原料.已知的部分結(jié)構(gòu)可表示如下: (1)寫出銅原子價(jià)電子層的電子排布式 ______ ,與銅同周期的所有元素的基態(tài)原子中最外層電子數(shù)與銅原子相同的元素有 ______ 填元素符號.(2)請?jiān)谏蠄D中把結(jié)構(gòu)中的化學(xué)鍵表示出來._____________(3)晶體中配位體是 ______ ,雜化軌道類型是雜化的原子是 ______ . (4)金屬晶體Cu中原子的堆積方式如下圖甲所示,其晶胞特征如圖乙所示,原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如下圖丙所示. 已知代表阿伏加德羅常數(shù),Cu的相對原子質(zhì)量為M,Cu單質(zhì)晶體的密度為d【詳解】A.ZnS含有Zn2+和S2,屬離子晶體,故A錯(cuò)誤;B.因?yàn)榛瘜W(xué)式為ZnS,所以Y2離子的配位數(shù)為4,則X2+離子的配位數(shù)也為4,故B錯(cuò)誤;C.由晶胞可知,與每個(gè)X2+距離最近的X2+在其面心,則共有=12個(gè),故C正確,D.離子晶體ZnO的晶格能比ZnS大,則ZnO的熔點(diǎn)比ZnS高,故D錯(cuò)誤;故答案為C?!军c(diǎn)睛】由晶胞示意圖可知Mg2+和 Ni 原子的最短距離為晶胞體對角線的。4.A解析:第四周期第Ⅷ族 3d7 正四面體形 sp2 N 24NA NH3分子間存在氫鍵 4 B 【解析】【分析】【詳解】(1)Co為27號元素,位于元素周期表第四周期第Ⅷ族;基態(tài)Co原子價(jià)層電子排布為3d74s2,失去最外層2個(gè)電子形成Co2+,所以Co2+的價(jià)層電子排布為3d7;(2)①硫酸根中心原子的價(jià)層電子對數(shù)為,無孤對電子,所以空間構(gòu)型為正四面體結(jié)構(gòu);NO3中心原子的價(jià)層電子對數(shù)為,所以為sp2雜化; ②同主族元素自上而下第一電離能逐漸減小,同周期元素自左向右第一電離能呈增大趨勢,但第I IA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素,所以4中元素中第一電離能最大的為N元素;③6個(gè)NH3與Co2+之間形成6個(gè)配位鍵,屬于σ鍵,每個(gè)氨氣分子中的氮?dú)滏I也為σ鍵,共6+36=24,所以1mol[Co(NH3)6]Cl2含有的σ鍵個(gè)數(shù)為24NA;N元素電負(fù)性較大,所以NH3分子間存在氫鍵,沸點(diǎn)較高;(3)①根據(jù)N原子的成鍵特點(diǎn)可知,在二(丁二酮肟)合鎳中N原子和Ni2+形成的化學(xué)鍵均為配位鍵,所以1個(gè)二(丁二酮肟)合鎳中含有4個(gè)配位鍵;②堿性太強(qiáng)容易生成Ni(OH)2沉淀,酸性太強(qiáng)大量的氫離子存在不利于二(丁二酮肟)合鎳的生成,所以適宜的pH應(yīng)為B:5~10;(4)由圖可知,1個(gè)晶胞中含有4個(gè)B原子和4個(gè)P原子,故晶胞質(zhì)量,設(shè)邊長為acm,則晶胞的體積V=a3cm3,故晶胞密度,解得;晶體中硼原子和磷原子的最近核間距為品胞體對角線的,體對角線長度為晶胞邊長的倍,所以晶體中硼原子和磷原子的最近核間距。6.A解析:3d24s2 3 Ti原子的價(jià)電子數(shù)比Al多,金屬鍵更強(qiáng) [TiCl(H2O)5]2+ 氧 spsp3 c BD a 【解析】【分析】(5)根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)分析,四方晶胞中,頂點(diǎn)粒子占,面上粒子占,內(nèi)部粒子為整個(gè)晶胞所有,晶體化學(xué)式為TiO2,O的數(shù)目是Ti的兩倍,則必有2個(gè)氧原子位于晶胞內(nèi),晶胞的上、下底面上各有2個(gè)氧原子。最外層電子數(shù)減去兩個(gè)O原子成鍵時(shí)所需要的電子數(shù),即422=0,所以C原子并沒有孤對電子,CO2中要C原子與兩個(gè)O結(jié)合形成2個(gè)σ鍵,所以C原子的價(jià)層電子對數(shù)為0+2=2;中心C原子是sp雜化,分子構(gòu)型為直線型,鍵角180176?!驹斀狻?1) )鈣元素的焰色反應(yīng)為紅色。(3) CO2中C原子是中心原子,屬于IVA族,最外層電子數(shù)時(shí)4。a.CO2和CO32價(jià)層電子對數(shù)分別為3,a錯(cuò)誤;b.CO2和CO32的中心原子都是C原子,均無孤電子對,b正確;c.CO2中鍵角180176。當(dāng)金屬陽離子所帶電荷數(shù)相同時(shí),陽離子半徑越大,其結(jié)合CO32中的氧離子的能力就越弱,對應(yīng)的碳酸鹽就越難分解,所需熱分解溫度就越高,生成的氧化物就越不穩(wěn)定。+4180。180。8.C解析:1s22s22p63s23p3 3 正四面體 60176。;大于;(3)NH3中N原子成3個(gè)σ鍵,有一對未成鍵的孤對電子,雜化軌道數(shù)為4,采取sp3型雜化雜化,孤對電子對成鍵電子的排斥作用較強(qiáng),NH之間的鍵角小于109176。44’)3,ρ==或;故答案是:低于;或。10.C解析:3d74s2 3 sp2 V形 CuON 乙二胺分子之間可以形成氫鍵,三甲胺分子之間不能形成氫鍵 12 【解析】【分析】(1)Co的原子序數(shù)為27,則按電子排布規(guī)律可書寫其簡化電子排布式,Co2+有25個(gè)電子,按電子排布規(guī)律可確定有幾個(gè)未成對電子;(2)通過計(jì)算配位體的價(jià)電子對數(shù),可確定中心原子的雜化形式及離子的空間構(gòu)型,大π鍵可用符號表示,其中m代表參與形成大π鍵的原子數(shù),n為各原子的單電子數(shù)(形成σ鍵的電子除外)和得電子數(shù)的總和,則計(jì)算出m和n,就可表示;(3)①按第一電離能的規(guī)律,對N、 O、 Cu的第一電離能展開由小到大排序;②乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高得多的原因從影響沸點(diǎn)的因素入手分析;(4)從金屬Cu晶體中的原子堆積方式,按均攤法計(jì)算其配位數(shù),銅原子的半徑為a nm, 阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,,Cu晶體的密度即其晶胞的密度,可通過晶胞質(zhì)量、晶胞體積按定義計(jì)算;【詳解】(1)Co原子核外有27個(gè)電子,根據(jù)構(gòu)造原理書寫基態(tài)Co的簡化電子排布式:[Ar]3d74s2,Co原子失去4s能級上的2個(gè)電子生成Co2+,該離子3d能級上有7個(gè)電子,有5個(gè)軌道,每個(gè)軌道最多排列2個(gè)電子,則未成對電子數(shù)是3;故答案為:3d74s2;3;(2)配位體的中心原子N原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)=,且含有1個(gè)孤電子對,根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論判斷N原子的雜化形式及空間構(gòu)型分別為spV形;故答案為:sp2;V;大π鍵可用符號表示,其中m代表參與形成大π鍵的原子數(shù),則m=3,中心原子sp2雜化,所以中心原子中有1對孤對電子沒有參與形成大π鍵,則n = 63-22-2-42 = 4,則中大π鍵應(yīng)表示為Π34; 答案為:Π34;(3)①同一周期元素,第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素第一電離能,所以第一電離能ON,非金屬元素第一電離能大于金屬元素第一電離能,所以第一電離能CuO;答案為:CuON;②乙二胺分子之間形成氫鍵,三甲胺分子之間不能形成氫鍵,乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高的多,答案為:乙二胺可以形成分子間氫鍵,而三甲胺不能;(4) 金屬Cu晶體中Cu原子的配位數(shù)=38247?!军c(diǎn)睛】本題考查化學(xué)鍵的判斷、電子排布式、晶體結(jié)構(gòu)、對晶胞的理解與計(jì)算等,難度較大,對晶胞的計(jì)算注意均攤法的利用,需要學(xué)生具備空間想象能力,注意基礎(chǔ)知識的理解掌握.
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