tft制造原理和流程(ppt72頁)-全文預覽
【正文】 洗 高 壓 噴射 Ｍ Ｓ 氧化分解 溶 解 機械剝離 機械剝離 機械剝離 有機物 (浸潤 性 改善 ) 有機物 微粒子 (大徑 ) 微粒子 (中徑 ) 微粒子 (小徑 ) ＵＶ /Ｏ ３ 溶 解 接觸壓 水壓 加速度 cavitation PVD（ 濺射 ）： 物理氣相沉積 (Physical Vapor Deposition) ARRAY工藝流程及設(shè)備 工藝室Ａ 工藝室Ｂ 搬送室 工藝室Ｃ 加熱室 進料室 卸料室 自動移栽裝置 PVD： 物理氣相沉積 PVD(Physical Vapor Deposition) 陰極 靶材 陽極 腔體 泵 基板 ARRAY工藝流程及設(shè)備 ARRAY工藝流程及設(shè)備 PECVD： 電漿輔助化學氣相沉積 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ARRAY工藝流程及設(shè)備 PECVD： 電漿輔助化學氣相沉積 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition プロセス ヒート トランスファー ＬＬ／ＵＬ ローダー 加熱腔 工藝腔 裝載臺 納入 (大氣到真空 )/ 送出腔 (真空到大氣 ) 機械手 ARRAY工藝流程及設(shè)備 PECVD： 電漿輔助化學氣相沉積 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 除害裝置 （ scrubber） ＭＦＣ ＭＦＣ ＭＦＣ 汽缸 cabi 氣體 BOX 氣體吹出電極 （ 陰極 ） ヒーター 等離子體 Ｍ．ＢＯＸ Ｐ 控制 ＲＦ 電源 下部 電極 （ 陽極 ） 壓力計 節(jié)流閥 干泵 氣體供給 流量 控制 ＲＦ power 壓力控制 真空排氣 特氣對應 工藝腔體 （ 電極 部） ARRAY工藝流程及設(shè)備 IN CV EUV N CV ETCH ZONE DI RINSE UNIT A/K dry2 dry1 液刀 風簾 干燥風刀 置換液刀 Out CV WET簡介 濕刻設(shè)備構(gòu)成 ARRAY工藝流程及設(shè)備 ? 設(shè)備 主要工 藝單 元： ? EUV unit:祛除玻璃表面有機 殘 留物。 ? Etch zone:刻 蝕區(qū) 域 ? Rinse unit:水洗 單 元 ? Dry unit：干燥 單 元 ? 液刀：主要起 預濕 （置 換 ），沖刷的效果。缺陷分析 Module工藝流程及設(shè)備 Aging老化爐 功能 :動態(tài) /靜態(tài)下的產(chǎn)品老化 Module工藝流程及設(shè)備 Thank you !!! SHANGHAI TIANMA MICROELECTRONICS CO.,LTD. ?演講完畢，謝謝觀看！ 。 WET簡介 各工藝單元功能 ARRAY工藝流程及設(shè)備 WET簡介 工程概念圖 ARRAY工藝流程及設(shè)備 光阻剝膜 DEY簡介 —干刻 ARRAY工藝流程及設(shè)備 DEY簡介 —設(shè)備原理 ARRAY工藝流程及設(shè)備 壓力控制 氣體供給 控制臺 除害裝置 （ scrubber） 汽缸 cabi Gas box 上部 電極 氣體吹出 ＲＦ 電源 （ＰＥ 場合 ） 下部 電極 APC閥 泵 流量 控制 RF power 壓力檢 出 真 空排 氣 特氣對應 ＭＦＣ ＭＦＣ ＭＦＣ APC 控制 C/M 控制 C/M 等離子體 工藝腔體 M. Box DEY簡介 —工程示意圖 ARRAY工藝流程及設(shè)備 PHOTO曝光顯影蝕刻基本概念 ARRAY工藝流程及設(shè)備 PHOTO顯影 PHOTO顯影 ARRAY工藝流程及設(shè)備 ARRAY工藝流程及設(shè)備 TEST – AOI(ADIAEI) – Auto optical inspection configuration 自動光學檢查 ARRAY工藝流程及設(shè)備 ← 2160mm → ← 2400mm → 3GB44unit=132GB G８ Size The CCD sensor detect the substrate, Image by the proces
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