集成電路原理制造工藝及原理技術(shù)--期末論文-全文預(yù)覽
【正文】 。 :41:2802:41:28January 24, 2023 ? 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 , January 24, 2023 ? 很多事情努力了未必有結(jié)果，但是不努力卻什么改變也沒有。 。 :41:2802:41Jan2324Jan23 ? 1故人江海別，幾度隔山川。 3 化學(xué)腐蝕液 ：用于腐蝕晶圓表面 4 機(jī)械摩擦： 同時(shí)去掉不平整的區(qū)域，獲得最平整的晶圓表面。 29 一 單晶硅的切割 1 切斷： 目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規(guī)格的部分，將單晶硅棒分段成切片設(shè)備可以處理的長度 2 直徑滾磨： 把不均勻的直徑變得均勻一致 3 晶體定向定面、電導(dǎo)率和電阻率的檢查 1）檢查是否得到所需要的晶向晶面 2）檢查半導(dǎo)體被摻雜后的電導(dǎo)率，以保證摻雜類型的正確。 ：當(dāng)晶體直徑到達(dá)所需尺寸后，提高拉速，使晶體直徑不再增大，稱為 收肩 。頸一般要長于 20mm 28 ： 縮頸工藝完成后，略降低溫度，讓晶體逐漸長大到所需的直徑為止。C 融熔的矽 26 直拉法生長單晶硅 27 工藝過程 (掌握 ) ： 當(dāng)溫度穩(wěn)定時(shí)，可將籽晶與熔體接觸。 主要用于半導(dǎo)體芯片制造。 ? 太陽能級(jí)硅 (SG)：純度介于冶金級(jí)硅與電子級(jí)硅之間，至今未有明確界定。 ?100的晶圓較常用來作 金屬氧化物半導(dǎo)體 集成電路 ?111方向 的晶圓則通常用來制造雙極型晶體管和集成電路 ，因?yàn)?11方向的原子表面密度高，故該面較為堅(jiān)固且比較適合高功率的元件。這種現(xiàn)象后來被稱為“光生伏打效應(yīng)”，簡稱“光伏效應(yīng)” 。 其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加。 2 硅的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu) 共價(jià)鍵共 用電子對(duì) +4 +4 +4 +4 +4表示除去價(jià)電子后的原子 3 共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，稱為束縛電子，常溫下束縛電子很難脫離共價(jià)鍵成為自由電子，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。 ? 摻雜半導(dǎo)體： 半導(dǎo)體材料對(duì)雜質(zhì)的敏感性非常強(qiáng) ， 例如在 Si中摻入千萬分之一的磷 ( P )或者硼 （ B） ， 就會(huì)使電阻率降低 20萬倍 。 +4 +4 +4 +4 4 雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會(huì)使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。 9 1839年，法國科學(xué)家貝克雷爾 (Becqurel)就發(fā)現(xiàn)，光照能使半導(dǎo)體材料的不同部位之間產(chǎn)生電位差。 共價(jià)鍵夾角： 109?28’ 13 ?100,111平面是單晶晶圓中最常用的方向。一般含 Si 高達(dá) % 以上。其導(dǎo)電性介于 104 – 1010 歐厘米。 C) SiHCl
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