模擬電子技術第4章-全文預覽
【正文】 電壓 ， 為 U(BR) / 2 3. IR — 反向電流 (越小單向導電性越好 )4. fM — 最高工作頻率 (超過時單向導電性變差 )iDuDU (BR)I FURM O1. 最大整流電流 IF二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。 (擊穿電壓 6 V， 負 溫度系數(shù) )雪崩擊穿： 反向電場使電子加速，動能增大，撞擊使自由電子數(shù)突增。擴散電容： 是由多子擴散后，在PN結的另一側面積累而形成的。 PN結呈截止狀態(tài)，只有反向飽和電流流過，電阻很大 。 反偏截止，電阻很大，電流近似為零。內建電場P NP 區(qū) N 區(qū)內電場外電場外電場使多子向 PN 結移動 ,中和部分離子 使空間電荷區(qū)變窄。自由電子：從低 → 高電位漂移形成電流 (方向與電場方向相反 )空穴：從高 → 低電位漂移形成電流（方向與電場方向相同）電場強 、漂移速度高、載流子濃度大 = 總漂移電流大。平平 衡：衡：在一定條件下，激發(fā)與復合的過程達到動態(tài)平衡 —— 本征半導體的自由電子和空穴的數(shù)目保持平衡。 K)即 273℃ 之下→ 本征半導體硅（鍺）的全部價電子 ?都為束縛電子?與理想絕緣體一樣不能導電。第第 4 章章 半導體二極管、三極管和場效應管 PN結 半導體二極管 雙極型晶體管一 半導體（一）半導體基本知識、絕緣體、半導體：物質導電能力的強弱 —— 可用電阻率（ ρ ）表示① 導體：導電能力強的物質（ ρ10 3Ω*cm ） 利用自由電子導電② 絕緣體：導電能力弱的物質（ ρ 10 6Ω*cm ）③ 半導體：常溫下 (27℃) 導電能力居于導體及絕緣體之間的物質如，純硅（ Si）、純鍺 (Ge) 。硅 (鍺 )的原子結構簡化模型慣性核硅 (鍺 )的共價鍵結構價電子自由電子(束縛電子 )空穴空穴空穴可在共價鍵內移動（ 一）本征半導體：純凈的單晶結構的半導體受慣性核束縛的價電子在絕對溫度零度 (0176。二半導體的導電原理本征激發(fā)：共價鍵分裂產生電子空穴對的過程復復 合：合： 自由電子和空穴在運動中相遇重新結合成對消失的過程。（二） 雜質半導體 N 型半導體 ：在本征半導體中摻入五價元素（磷） —— 增大自由電子濃度N 型+5+4 +4+4+4+4磷原子 自由電子電子為 多 數(shù)載流 子空穴為 少 數(shù)載流 子載流子數(shù) ? 電子數(shù) P 型半導體：在本征半導體中摻入三價元素（硼） —— 增大空穴濃度P 型+3+4 +4+4+4+4硼原子 空穴空穴 — 多子電子 — 少子載流子數(shù) ? 空穴數(shù)① 漂移運動： —— 漂移電流載流子在電場作用下定向運動所形成的電流。三、 PN 結 (PN Junction)的形成P 型、 N 型半導體的簡化圖示負離子多數(shù)載流子 少數(shù)載流子（電子）正離子多數(shù)載流子 少數(shù)載流子P 型N 型1. 載流子的 濃度差 引起多子的 擴散2. 復合使交界面 形成空間電荷區(qū) (耗盡層 ) 空間電荷區(qū)特點 :無載流子， 阻止擴散進行， 利于少子的漂移。IRPN 結的單向導電性：正偏導通，呈小電阻，電流較大 。 PN結加反向電壓 當 N區(qū)接 “+”， P區(qū)接 “”，稱為 PN 結反向偏置（ 反偏 ）。當外加電壓使 PN結上壓降發(fā)生變化時，離子薄層的厚度也相應地隨之改變，這相當 PN結中存儲的電荷量也隨之變化，猶如電容的充放電。P+ N第二節(jié) 第二節(jié) 半導體二極管半導體二極管 半導體二極管的結構和類型 二極管的伏安特性 二極管的主要參數(shù) 二極管的等效電路及應用 穩(wěn)壓二極管 一、半導體二極管的結構和類型構成： PN 結 + 引線 + 管殼 = 二極管 (Diode)符號： D 陽極 陰極分類：按材料分 硅二極管鍺二極管按結構分點接觸型面接觸型平面型點接觸型正極引線觸絲N 型鍺片外殼負極引線負極引線 面接觸型N型鍺PN 結 正極引線鋁合金小球底座金銻合金正極引線負極引線集成電路中平面型PNP 型支持襯底二、二極管的伏安特性O uD /ViD /mA正向特性Uth死區(qū)電壓iD = 0Uth = V
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