模擬電子技術(shù)第4章-全文預(yù)覽
【正文】 電壓 ， 為 U(BR) / 2 3. IR — 反向電流 (越小單向?qū)щ娦栽胶?)4. fM — 最高工作頻率 (超過(guò)時(shí)單向?qū)щ娦宰儾?)iDuDU (BR)I FURM O1. 最大整流電流 IF二極管長(zhǎng)期使用時(shí)，允許流過(guò)二極管的最大正向平均電流。 (擊穿電壓 6 V， 負(fù) 溫度系數(shù) )雪崩擊穿： 反向電場(chǎng)使電子加速，動(dòng)能增大，撞擊使自由電子數(shù)突增。擴(kuò)散電容： 是由多子擴(kuò)散后，在PN結(jié)的另一側(cè)面積累而形成的。 PN結(jié)呈截止?fàn)顟B(tài)，只有反向飽和電流流過(guò)，電阻很大 。 反偏截止，電阻很大，電流近似為零。內(nèi)建電場(chǎng)P NP 區(qū) N 區(qū)內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)外電場(chǎng)使多子向 PN 結(jié)移動(dòng) ,中和部分離子 使空間電荷區(qū)變窄。自由電子：從低 → 高電位漂移形成電流 (方向與電場(chǎng)方向相反 )空穴：從高 → 低電位漂移形成電流（方向與電場(chǎng)方向相同）電場(chǎng)強(qiáng) 、漂移速度高、載流子濃度大 = 總漂移電流大。平平 衡：衡：在一定條件下，激發(fā)與復(fù)合的過(guò)程達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡 —— 本征半導(dǎo)體的自由電子和空穴的數(shù)目保持平衡。 K)即 273℃ 之下→ 本征半導(dǎo)體硅（鍺）的全部?jī)r(jià)電子 ?都為束縛電子?與理想絕緣體一樣不能導(dǎo)電。第第 4 章章 半導(dǎo)體二極管、三極管和場(chǎng)效應(yīng)管 PN結(jié) 半導(dǎo)體二極管 雙極型晶體管一 半導(dǎo)體（一）半導(dǎo)體基本知識(shí)、絕緣體、半導(dǎo)體：物質(zhì)導(dǎo)電能力的強(qiáng)弱 —— 可用電阻率（ ρ ）表示① 導(dǎo)體：導(dǎo)電能力強(qiáng)的物質(zhì)（ ρ10 3Ω*cm ） 利用自由電子導(dǎo)電② 絕緣體：導(dǎo)電能力弱的物質(zhì)（ ρ 10 6Ω*cm ）③ 半導(dǎo)體：常溫下 (27℃) 導(dǎo)電能力居于導(dǎo)體及絕緣體之間的物質(zhì)如，純硅（ Si）、純鍺 (Ge) 。硅 (鍺 )的原子結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化模型慣性核硅 (鍺 )的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)價(jià)電子自由電子(束縛電子 )空穴空穴空穴可在共價(jià)鍵內(nèi)移動(dòng)（ 一）本征半導(dǎo)體：純凈的單晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體受慣性核束縛的價(jià)電子在絕對(duì)溫度零度 (0176。二半導(dǎo)體的導(dǎo)電原理本征激發(fā)：共價(jià)鍵分裂產(chǎn)生電子空穴對(duì)的過(guò)程復(fù)復(fù) 合：合： 自由電子和空穴在運(yùn)動(dòng)中相遇重新結(jié)合成對(duì)消失的過(guò)程。（二） 雜質(zhì)半導(dǎo)體 N 型半導(dǎo)體 ：在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)元素（磷） —— 增大自由電子濃度N 型+5+4 +4+4+4+4磷原子 自由電子電子為 多 數(shù)載流 子空穴為 少 數(shù)載流 子載流子數(shù) ? 電子數(shù) P 型半導(dǎo)體：在本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)元素（硼） —— 增大空穴濃度P 型+3+4 +4+4+4+4硼原子 空穴空穴 — 多子電子 — 少子載流子數(shù) ? 空穴數(shù)① 漂移運(yùn)動(dòng)： —— 漂移電流載流子在電場(chǎng)作用下定向運(yùn)動(dòng)所形成的電流。三、 PN 結(jié) (PN Junction)的形成P 型、 N 型半導(dǎo)體的簡(jiǎn)化圖示負(fù)離子多數(shù)載流子 少數(shù)載流子（電子）正離子多數(shù)載流子 少數(shù)載流子P 型N 型1. 載流子的 濃度差 引起多子的 擴(kuò)散2. 復(fù)合使交界面 形成空間電荷區(qū) (耗盡層 ) 空間電荷區(qū)特點(diǎn) :無(wú)載流子， 阻止擴(kuò)散進(jìn)行， 利于少子的漂移。IRPN 結(jié)的單向?qū)щ娦裕赫珜?dǎo)通，呈小電阻，電流較大 。 PN結(jié)加反向電壓 當(dāng) N區(qū)接 “+”， P區(qū)接 “”，稱(chēng)為 PN 結(jié)反向偏置（ 反偏 ）。當(dāng)外加電壓使 PN結(jié)上壓降發(fā)生變化時(shí)，離子薄層的厚度也相應(yīng)地隨之改變，這相當(dāng) PN結(jié)中存儲(chǔ)的電荷量也隨之變化，猶如電容的充放電。P+ N第二節(jié) 第二節(jié) 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和類(lèi)型 二極管的伏安特性 二極管的主要參數(shù) 二極管的等效電路及應(yīng)用 穩(wěn)壓二極管 一、半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和類(lèi)型構(gòu)成： PN 結(jié) + 引線(xiàn) + 管殼 = 二極管 (Diode)符號(hào)： D 陽(yáng)極 陰極分類(lèi)：按材料分 硅二極管鍺二極管按結(jié)構(gòu)分點(diǎn)接觸型面接觸型平面型點(diǎn)接觸型正極引線(xiàn)觸絲N 型鍺片外殼負(fù)極引線(xiàn)負(fù)極引線(xiàn) 面接觸型N型鍺PN 結(jié) 正極引線(xiàn)鋁合金小球底座金銻合金正極引線(xiàn)負(fù)極引線(xiàn)集成電路中平面型PNP 型支持襯底二、二極管的伏安特性O(shè) uD /ViD /mA正向特性Uth死區(qū)電壓iD = 0Uth = V
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