半導(dǎo)體器件習(xí)題及參考答案-全文預(yù)覽
【正文】 Qox＝Qf＝5101010－19＝810－9C/cm2 代入上式得：＝ 因?yàn)閂T0，且為n溝MOSFET，所以該器件是增強(qiáng)型的。由此得到，計(jì)算得，V＝。 ， 空穴電流密度為＝10－12A/cm2, 電子電流密度為＝10－7A/cm2，其中A*＝110A/K2cm2。 解：6. 欲設(shè)計(jì)一雙極型硅晶體管，其截止頻率fT為5GHz，請(qǐng)問(wèn)中性基區(qū)寬度W需為多少？假設(shè)Dp為10cm2/s ，并可忽略發(fā)射極和集電極延遲。(b)若截止頻率主要受少子穿過(guò)基區(qū)的渡越時(shí)間限制，求在零偏壓下共基極和共發(fā)射級(jí)的電流截止頻率（，）。電場(chǎng)的大小是恰好使電場(chǎng)產(chǎn)生的空穴漂移流與因雜質(zhì)濃度梯度所引起的擴(kuò)散流相抵消，這一電場(chǎng)就稱為緩變基區(qū)內(nèi)建電場(chǎng)。m時(shí)，第三章1 一個(gè)p+np晶體管，其發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)的雜質(zhì)濃度分別是51018，1016，1015cm－3，器件截面積為3mm2。＋，I＝，－，I＝*1016A3 對(duì)于理想的硅p+n突變結(jié)，ND＝1016cm－3，在1V正向偏壓下，求n型中性區(qū)內(nèi)存貯的少數(shù)載流子總量。第二章1 一個(gè)硅p－n擴(kuò)散結(jié)在p型一側(cè)為線性緩變結(jié)，a=1019cm4，n型一側(cè)為均勻摻雜，雜質(zhì)濃度為31014cm－3，求零偏壓下的總耗盡層寬度、內(nèi)建電勢(shì)和最大電場(chǎng)強(qiáng)
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