【正文】 程序可以直接在flash閃存內(nèi)運行,不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。Nor flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每 一個字節(jié)。 　　●Nand的擦除速度遠比Nor快。 　　執(zhí)行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了Nor和Nand之間的性能差距，統(tǒng)計表明，對于給定的一套寫入操作（尤其是更新小文件時）， 更多的擦除操作必須在基于Nor的單元中進行。flash閃存是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。Intel于1988年首先開發(fā)出Nor Flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。因此，研究Nand Flash具有巨大的實用價值。從Nand Flash本身的應用特點來說， Nand Flash適合應用在順序存取的場合，而手機的多媒體系統(tǒng)從實際應用需求看，無論音樂的播放、照片的存取還是視頻的播放基本都是要求順序存取的，Nand Flash適合于這樣的應用場合。種種跡象顯示，Nand Flash將作為中、高端手機的一種主流存儲解決方案正成為一種趨勢。由于Nand Flash具有高密度, 低功耗, 低成本等特點, 而且是可升級的器件, 所以它是多媒體產(chǎn)品導入市場的理想選擇。關鍵詞：Nand Flash控制器，ECC算法,漢明碼AbstractWith the development of the multifunctional mobile telephone．the demand for the capacity of the chip’S memory is growing at a phenomenal rate．Nand flash memory has bee the preferred data storage solution for many digital products due to its fast access time，high desity，cost，performance and SO on advantages．It bees a tendency that Nand Flash controller iS integrated in diversified SOC．Beca use of limitation of the manufacturing technique condition，a Nand Flash controller is required to handle the bits errors．For solving this question,this essay expound by the analysis of the error checking and correction (ECC)design method to accelerate the reading and writing process for Nand Flash．Simulation shows that the method is effectively reduce the memory data error correction time．Keywords: Nand Flash，ECC Algorithm，Hamming目錄目錄Nand Flash控制器的ECC校驗原理及驗證 2摘要 2Abstract 3目錄 4第一章 引言 6 Nand Flash的研制背景 6 Nand Flash的應用領域 6 Nand Flash的研究前景 7第二章 Nand Flash控制器的特點 8 Flash控制器和Nor Flash 控制器 8 8 9 Nand Flash控制器的特點 9 Flash的容量和成本 10 Flash的物理構成 10 Flash 控制器的缺點 10 Flash的存儲結構 11 Flash的規(guī)格說明 11 Nand Flash的接口說明 11第三章 Nand Flash控制器的總體結構 15 Flash控制器的總體架構 15 Flash控制器的接口模塊設計 16 AMBA AHB總線介紹 16 接口模塊設計思想簡介 17 控制器接口模塊的設計 18 Flash控制器的主控邏輯模塊設計 20 Flash控制器的ECC模塊 24第四章 ECC模塊的校驗原理 26 漢明碼算法 26 ECC生成模塊的設計 28第五章 ECC模塊的驗證 31 31 31 33參考文獻 34第一章 引言 Nand Flash的研制背景Nand Flash 結構最早是在1989年由日本東芝公司引入。Nand Flash控制器的ECC校驗原理及驗證***大學畢　業(yè)　設　計（論文）題目：Nand Flash控制器的ECC校驗原理及驗證姓名　 學　　號　　所在單位　　指導教師　 完成日期　 Nand Flash控制器的ECC校驗原理及驗證摘要移動電話的功能日益豐富，其對系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲容量的需求正在快速增長。為解決該問題，本文分析常用的差錯控制編碼(ECC)算法，以提高Nand Flash的讀寫速度，采用該編碼可有效減少存儲器數(shù)據(jù)糾錯時間。如今, Nand Flash和Nor Flash已經(jīng)占據(jù)了Flash市場的支配地位。其主要的應用市場在數(shù)碼相機，比重高達50％，其次為手機，比重在12％～15％。這種引腳輸出使得設計工程師無須改變電路板的硬件設計，就能從較小的密度移植到更大密度的設計上。Flash Memory的其他實現(xiàn)技術要做到和其在相同的單位比特成本基礎上競爭將是困難的。Nor和Nand是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。所以，下面一章來說一下兩者的區(qū)別。 　　由于擦除Nor器件時是以64～128KB的塊進行的，執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時間為5s ，與此相反，擦除Nand器件是以8～32KB的塊進 行的，執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms。 　　●Nand的寫入速度比Nor快很多。 　　●Nor可以直接使用，并在上面直接運行代碼，而Nand需要I/O接口，因此使用時需要驅(qū)動。 　　Nand讀和寫操作采用512字節(jié)的塊，這一點有點像硬盤管理此類操作，很自然地，基于Nand的存儲器就可以取代硬盤或其他塊設備。應用Nand的困難在于flash的管理需要特殊的系統(tǒng)接口。 　Nor flash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場的大部分，而Nand Flash只是用在8～128M B的產(chǎn)品當中，這也說明Nor主要應用在代碼存 儲介質(zhì)中，Nand適合于數(shù)據(jù)存儲，Nand在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和M MC存儲卡市場上所占份額最大。具體一片flash上有多少個Block視需要所定。 Flash 控制器的缺點由于Nand Flash的生產(chǎn)工藝局限性，一個Nand Flash存儲不能保證在其整個工作周期中性能的穩(wěn)定。常用的數(shù)據(jù)校驗方法有奇偶校驗H J、循環(huán)余校驗(CRC)等，在NandFlash處理中，一般使用一種較專用的校驗——ECC，這個將是本文研究的重點。這些Line會再組成頁(pa