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華中科技大學(xué)-ic課程設(shè)計實驗報告(比例放大器設(shè)計)-全文預(yù)覽

2025-06-13 18:12 上一頁面

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【正文】 :要求:(1) 自行設(shè)計放大器的結(jié)構(gòu)與 MOS 尺寸參數(shù)、電阻 RR2 的阻值,以達(dá)到相關(guān)性能指標(biāo);(基于 COMS 工藝,MOS 管長度均設(shè)定為Lmin=1um)(2) 用 HSPICE 軟件仿真電路。本文利用放大器的“虛短” “虛斷”的特性對比例放大器的結(jié)構(gòu)及放大器的構(gòu)成和基本參數(shù)進(jìn)行了設(shè)計,其中放大器采用差分放大結(jié)構(gòu)。3 運算放大器選型 由于輸入信號的特點,其中同時包含了直流與交流電壓,考慮到信號噪聲以及直流電壓波動,使用差分放大電路能對共模輸入起到很好的抑制作用,因此本設(shè)計選用差分放大電路。電流 Io 提供差分放大器的偏置電流。當(dāng)從 Vi1 輸入差模信號,Vi2=0(交流小信號) ,設(shè) Vgs1 增大,則相應(yīng) Id1 變大,Id2 變小,輸出電壓 Vo=Id2*Ro;當(dāng)輸入共模信號,Vgs1 恒等于 Vgs2,則 Id2 不變,輸出電壓也不變。工藝庫提供的參數(shù)為:Tox= m Un= +02 Up= +02 圖 14cm^2/(VS) cm^2/(VS)由 0oxoxCt?? K= Cox 得 20,4?NPK為求 ?值,需要對單個 MOS 管進(jìn)行輸出特性仿真。取 ?(參考文獻(xiàn)【1】 ) )(210pnGSTA???=200該設(shè)計最小增益應(yīng)該為 10 倍,帶寬 100MHZ,GBW=10^9則 f1=GBW/A0=5MHZ本設(shè)計取取 f1 為 10MHz, LC=5pf,則 DI=,則根據(jù)上式計算可得DpnoPNIr)(1|???=320?。電路如圖:V D DM 3 M 4M 2M 1I b i a sV i 1 V i 2G N D323結(jié)果如下:靜態(tài)工作點(略去不關(guān)心的參數(shù))**** mosfets subckt element 0:m1 0:m2 0:m3 0:m4 model 0:n_33 0:n_33 0:p_33 0:p_33 region Saturation Saturation Saturation Saturation id vgs vds ****** ac analysis ****** freq volt db volt phase vo vo 8 9 10 電壓增益只有 15DB,帶寬為 8M,GBW=10^710^9 無法達(dá)到指標(biāo)。 二級密勒補(bǔ)償運算放大器 二級密勒補(bǔ)償運放是一種性能相對優(yōu)越的結(jié)構(gòu),由于采用兩級放大,能夠提供相當(dāng)大的增益,而帶寬可以通過 RC 反饋網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行一定的調(diào)節(jié),這樣一來可以達(dá)到最大 GBW。二級密勒補(bǔ)償運放的增益一般可以達(dá)到 60db 以上,本設(shè)計取增益為 60db,帶寬100M11最簡小信號等效電路如下:得到 10)|
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