華中科技大學(xué)-ic課程設(shè)計實驗報告(比例放大器設(shè)計)-在線瀏覽
2025-07-10 18:12本頁面
【正文】 分放大要達到指標還是相當(dāng)困難的，多次修改參數(shù)后，任然沒有達到理想的效果。 二級密勒補償運算放大器 二級密勒補償運放是一種性能相對優(yōu)越的結(jié)構(gòu)，由于采用兩級放大，能夠提供相當(dāng)大的增益，而帶寬可以通過 RC 反饋網(wǎng)絡(luò)進行一定的調(diào)節(jié)，這樣一來可以達到最大 GBW。V D DM 4M 3M 2M 1M 6I r e f 2I r e f 1C LC cR zG N DG N DV i 1 V i 2第 一 級負 載第 二 級12304V o21 如圖所示，PMOS MM2 為一級差分放大， NMOS MM4 做鏡像電流源負載，PMOS M6 為第二級放大。二級密勒補償運放的增益一般可以達到 60db 以上，本設(shè)計取增益為 60db，帶寬100M11最簡小信號等效電路如下：得到 10)|(|6421210 ???oomrrgA又， GSTDVI? DoIr?1?取 則 2620)(4pnGSTA??? 501?在過驅(qū)動電壓等于 時，增益遠滿足設(shè)計要求。由于相位有 45176。 （參考文獻【1】 ）取 2,3CLPF?根據(jù)設(shè)計要求， MVLWCKgGBGSTPm104)(25139。,4STP取 計算得出 uAID0?39。因此， ?即 gr?由于 ? 取 830ZR?讓極點 p2 位于 處，有 ()mnLCg?? 其中 Cn3 為 3 點對地電容，包括 642,GSDBC，其中 Cgs6 占大部分。結(jié)果如下：**** mosfets subckt x1 x1 x1 x1 element 1:m1 1:m2 1:m3 1:m4 model 0:p_33 0:p_33 0:n_33 0:n_33 region Saturation Saturation Saturation Saturation id vgs vds vth subckt x1 element 1:m6 model 0:n_33 region Saturation id vgs vds vth ****** *twostage op amp 15 ****** ac analysis tnom= temp= ****** x freq volt db volt phase vo vo 16
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