ebsd及其在材料科學(xué)領(lǐng)域中的應(yīng)用-全文預(yù)覽
【正文】 般只有幾十電子伏特，這與幾萬伏的電子能量比較起來是一個(gè)小量，幾乎可以忽略不計(jì)。20世紀(jì)90年代，實(shí)現(xiàn)了花樣的自動(dòng)標(biāo)定。EBSD及其在材料科學(xué)領(lǐng)域中的應(yīng)用1 EBSD的發(fā)展過程電子背散射衍射(EBSD)的歷史應(yīng)追朔至1928年Kikuchi在透射電鏡中觀察到的條帶狀衍射花樣，即菊池線，不過這種菊池線是透射電子形成的。20世紀(jì)80年代后期，Dingley使用熒光屏和電視相機(jī)接收與采集電子背散射衍射花樣。2 EBSD分析技術(shù)的基本原理入射電子束進(jìn)入樣品，由于非彈性散射，使之在入射點(diǎn)附近發(fā)散，成為一點(diǎn)源。 電子背散射衍射束形成半頂角的兩個(gè)對(duì)定衍射圓錐。 電子背散射衍射花樣（EBSP）是由一系列按特定晶體的晶帶規(guī)律分布的Kikuchi線對(duì)所組成；每一Kikuchi線對(duì)的中心線相當(dāng)于所屬晶面與成像平面相交的軌跡；如果有Kikuchi線對(duì)的中心線共同相交于一點(diǎn)，則這個(gè)亮帶所屬的晶面屬于同一晶帶，相應(yīng)的交點(diǎn)是此晶帶軸與成像平面的交點(diǎn)[4]。目前最快的EBSD系統(tǒng)每一秒鐘可進(jìn)行近一百個(gè)點(diǎn)的測(cè)量[5]。 一般進(jìn)行取向成像時(shí)每秒可測(cè)34個(gè)取向。就很容易表示出被分析晶體的取向關(guān)系。 圖3無取向硅鋼樣品的取向成像圖 圖4無取向硅鋼Goss織構(gòu)的分布 相鑒定 目前，EBSD可以對(duì)七大晶系任意對(duì)稱性的樣品進(jìn)行自動(dòng)取向測(cè)量和標(biāo)定。傳統(tǒng)的晶粒尺寸測(cè)量依賴于顯微組織圖象中晶界的觀察。材料微觀區(qū)域的殘余應(yīng)力會(huì)使局部的晶面變得歪扭、彎曲，從而使EBSD的菊池線模糊，因而可通過觀察菊池圖像質(zhì)量可定型評(píng)估應(yīng)變大小。如果對(duì)用于不同晶面指數(shù)的亮帶的角分辨率進(jìn)行比較，則還可以用來探討不均勻形變及其所導(dǎo)致的晶粒間的錯(cuò)向度等問題[1213]。而透射電鏡由于受到樣品制備及方法本身的限制往往只能獲得材料非常局部的晶體信息，無法與材料制備加工工藝及性能直接聯(lián)系[14]。幾種衍射技術(shù)比較見表1[15]。參考文獻(xiàn)[1] HKL Technolo
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