《batio鐵電薄膜》ppt課件-全文預覽
【正文】 O薄膜的電阻率 溫度特性、載流子遷移率 溫度特性、載流子濃度 溫度特性以及霍爾系數(shù) 溫度特性做出系統(tǒng)測試。對氧分壓的高敏感性以及對制備環(huán)境的高真空要求。與塊體類似，他們存在臨界摻雜濃度。 BTO中的缺陷： ，形成 n型半導體； Ti空位，形成 p型半導體。摻雜存在 臨界摻雜濃度 。 MOCVD方法生長的鑭摻雜 BTO薄膜和鈮摻雜BTO薄膜。沒有出現(xiàn)摻雜離子的臨界摻雜濃度。 ? 可采用盧瑟福背散射來測量樣品中各元素的含量。 Van der Pauw 四點法 Van der Pauw四點法對樣品的要求 a) The contacts are at the circumference of the sample. b) The contacts ar
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