氧化鎳薄膜電性及光學穿透之研究-全文預覽
【正文】 沈積厚度 ， Rb/sw=。 圖 1. 方形接觸孔之模擬 (a)初始基板型態(tài) (b) s=。 由圖可知， NiO的時效速率會隨著 Li摻雜量的增加而下降。 Alumino Silicates Hygrometer Sample Air valve NiO薄膜電性時效研究 0 500 1000 15000 .50 .00 .51 .01 .52 .02 .53 .03 .54 .0 Carrier concentration (Nx1018cm3)T i m e(m i n)NiO薄膜在空氣中導電度會隨時間增加而下降，藉由霍耳量測得其載子遷移率並沒有太大的改變，而載子濃度會明顯的隨時間而下降，因此可以推測時效機構(gòu)是因薄膜和空氣中的氣氛反應抵消電洞所致。 NiO 導電機制 Ni2+ Ni2+ Ni2+ Ni2+ Ni2+ O2 O2 O2 O2 Ni3+ Ni2+ Ni3+ Ni2+ O2 O2 O2 O2 Ni2+ Ni3+ Ni3+ Ni2+ Ni2+ O2 O2 O2 O2 O2 Ni2+ Li+ Ni2+ Ni3+ Ni2+ O2 O2 O2 O2 (a) Stoichiometry (c) Nonstoichiometry with VNi (d) Nonstoichiometry with Oi (b) Li+ replace Ni2+ Chemical modulation of the Valence Band 一般而言 ， 具有 (n1)d10ns0 電子組態(tài)的正離子如 Cu+1或 Ag+1， 其 d軌域的能量和氧 2p 軌域相接近 ， 容易形成鍵結(jié)性 軌域或混成軌域使能帶擴展開 來 ， 形成電洞的移動路徑 。5. Film Deposition Process Study Simulation Expert System Process Study 氧化鎳薄膜電性及光學穿透之研究 1. 基本性質(zhì)
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