氧化鎳薄膜電性及光學(xué)穿透之研究-在線瀏覽
2024-11-05 21:52本頁(yè)面
【正文】 O(%Li) NiO(%Li) NiO(%Li) NiO薄膜的表面形態(tài)隨著鋰的摻雜在表面生成塊狀的凸起物，且此塊狀凸起物的尺寸隨著摻雜量的增加而下降。 電性穩(wěn)定度測(cè)試設(shè)備 5mm 2% . 25℃ H2O Gas 3 197。 氣氛對(duì) NiO薄膜電性的影響 0 1000 2022 3000 4000 50000202200400000600000800000O2CO2N2ArCOH2 Resistance change (ohm)T i m e ( m i n)NiO薄膜在各種氣氛下電阻隨時(shí)間的變化情形，由圖可知，還原性氣氛 H2及 CO對(duì) NiO薄膜電阻的影響最明顯。 0 1000 2022 30000100000202200300000400000500000600000700000800000900000 N i O N i O (2 . 9 a t % L i ) N i O (3 . 5 a t % L i ) N i O (7 . 4 a t % L i )T i m e ( m i n)Resistance (ohm)NiO薄膜在 20RH的 Ar中，不同 Li摻雜量對(duì)電性穩(wěn)定度的改變 。 Simulation 隨著半導(dǎo)體晶片上的元件積集度增加，元件尺寸縮小，濺鍍薄膜的鍍膜均勻度與顯微結(jié)構(gòu)將成為影響元件可靠度與物性的關(guān)鍵因素。 研究背景 研究目標(biāo) 充填溝槽模擬研究 顯微結(jié)構(gòu) 在充填溝槽模擬研究方面的目標(biāo)為：建立填充溝槽模型，預(yù)測(cè)最佳之鍍膜厚度 (意指沉積於平面基板上的薄膜厚度 )以便在接觸孔與溝槽內(nèi)得到良好鍍膜均勻性。平面沈積膜厚 =， Rb/sw= (c)圖 。 (a) (b) (c) 圖 3. (a)為濺鍍功率 75W， 濺鍍時(shí)間 100分鐘之鍍膜型態(tài)的 SEM剖面圖 ， (薄膜厚度)dfield=480nm。 圖 3.(c)為濺鍍功率 150W， 濺鍍時(shí)間 120分鐘之鍍膜型態(tài)的 OM影像 ， dfield=。 由圖 3.(c)可看到 ， 鋁
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