氧化鎳薄膜電性及光學穿透之研究-閱讀頁
2024-10-14 21:52本頁面
【正文】 薄膜同樣在溝槽底部的沈積厚度較大 ， 斜邊牆上的沈積厚度較小 ， Rb/sw=， 而圖 3.(d)之模擬結果則具有相似的型態(tài)， 其 Rb/sw=。 圖 nd丟原子次數(shù) h為膜厚 do 為單位網(wǎng)格長度 h= h= h= h= nd = 6246 nd = 4200 nd = 2200 nd = 200 微組織模擬方面目前的結果有： h= h= h= h= nd = 3512 nd = 2200 nd = 1200 nd = 200 圖 nd丟原子次數(shù) h為膜厚 do 為單位網(wǎng)格長度 h= h= h= h= nd = 1427 nd = 1200 nd = 700 nd = 200 圖 nd丟原子次數(shù) h為膜厚 do 為單位網(wǎng)格長度 Expert System 積體電路中薄膜材料及其製程知識庫之建立 積體電路的生產(chǎn)流程示意圖 知識庫系統(tǒng)的架構 — 絕緣性薄膜 1. 場氧化層（ FIELD OXIDE） 2. 閘極氧化層（ GATE OXIDE） 3. 金屬間介電層（ DIELECTRIC LAYER） 4. 保護層（ PASSIVATION） 5. 側壁空間層（ SIDEWALL SPACER） 6. 擴散阻礙層（ DIFFUSION BARRIER） 知識庫系統(tǒng)的架構 — 導電性薄膜（ CONDUCTOR） （ GATE ELECTRODE） ／汲極接觸（ S/D CONTACT） 3. 金屬連線層（ INTERCONNECT） （ DIFFUSION BARRIER） 5. 栓塞（ VIA） （ GLUE/ADHESION LAYER） （ ANTIREFLECTION LAYER, ARC） （ ETCH STOPPING LAYER） 知識庫系統(tǒng)操作介面設計 網(wǎng)頁設計的軟體工具 (a) FrontPage (b) Dreamweaver IC薄膜知識庫系統(tǒng) 本研究所建立之知識庫網(wǎng)站具備下列特點 1. 建立全中文化之積體電路中薄膜材料及其製程知識庫。 3. 具有擴充性高的特性，且易於維護與更新。 5. 具備站內全文檢索功能，便於半導體領域進階人員使
職業(yè)教育相關推薦
鄂ICP備17016276號-1