場效應管及其基本放大電路-全文預覽
【正文】 論UDS之間加上電壓不會在 D、 S間形成電流 ID,即 ID≈0. 當 UGSUT時 , 溝道加厚，溝道電阻減少， 在相同 UDS的作用下， ID將進一步增加 開始無導電溝道，當在 UGS?UT時才形成溝道 , 這種類型的管子稱為 增強型 MOS管 Sect ? N溝道 增強型 MOS場效應管特性曲線 增強型 MOS管 UDS一定時， UGS對漏極電流ID的控制關系曲線 ID=f(UGS)?UDS=C 轉移特性曲線 UDSUGSUT UGS(V) ID(mA) UT 在恒流區(qū)， ID與 UGS的關系為 ID≈K(UGSUT)2 溝道較短時，應考慮 UDS對 溝道長度的調節(jié)作用： ID≈K(UGSUT)2（ 1+?UDS) K— 導電因子（ mA/V2) ?— 溝道調制長度系數 LWCK OXn2??LWK ???2 nSK ???2DSULL?????n— 溝道內電子的表面遷移率 COX— 單位面積柵氧化層電容 W— 溝道寬度 L— 溝道長度 Sn— 溝道長寬比 K39。 3)、 電壓控制電流系數 gm= 4）交流輸出 電阻 rds= 4）特性曲線： ? 與三極管相同，場效應管也有輸入和輸出的特性曲線。 ID=IDSS（ 1 ） 2 ugs vP P N N G ID IS=ID PN 結 PN 結 + + 耗盡層閉合時 UGS=VP RD VDD UGS 電路圖 等效圖 3）截止工作 P N N G ID=0 IS=ID PN 結 PN 結 + + RD VDD UGS 耗盡層 完全閉合，溝道夾斷，電子過不去 柵極電壓 UGS大于等 夾斷電壓 UP時， ID=0 相當一個很大的電阻 3)、 JFET的主要參數 1）夾斷電壓 VP:手冊給出是 ID為一微小值時的 VGS 2）飽和漏極電流 IDSS。第 3章 場效應管及其基本放大電路 半導體場效應管 氧化物 半導體場效應管 場效應晶體管 (FET） ? 分類和結構： ? 結型場效應晶體管 JFET ? 絕緣柵型場效應晶體管 IGFET N P PN結耗盡層 N 溝 道 G門極 D漏極 S源極 P 襯底 N N 源極 門極 漏極 S G D JFET結構 IGFET結構 N 溝 道 JFET 1) P 溝道和 N溝道結構及電路符號 N 溝 道 G門極 D漏極 S源極 g d s N溝道結構及電路符號 P 溝 道 G門極 D漏極 S源極 g d s P溝道結構及電路符號 2)工作等效（以 P溝道為例） Ugs Is Id 1） PN結不加 反向 電壓（ Ugs)或加的電壓不足以使 溝道閉合 時。 UGS=0： ID=IDSS 電路圖 等效圖 2）恒流工作（電壓控制電流源） G ID + RD VDD D S PN結加 反向 電壓（ Ugs) 使 溝道微 閉合 時電流 ID與 UDS無關， 稱 恒流區(qū)。 PDM 最大漏極允許功耗 ，與三極管類似。 當 UGS=UT時 , 在 P型襯底表面形成一層 電子層 ，形成 N型導電溝道，在 UDS的作用下形成 ID。 UGS=6V UGS=4V UGS=5V UGS=3V UGS=UT=3V UGS(V) ID(mA) Sect ? 漏源電壓 UDS對漏極電流 ID的控制作用 UDS=UDG＋ UGS =－ UGD＋ UGS UGD=UGS－ UDS 當 UDS為 0或較小時， 相當 UGD＞ UT， 此時 UDS 基本均勻降落在溝道中，溝道呈斜線分布。 ? MOS管襯底的處理 保證兩個 PN結反偏，源極 — 溝道 — 漏極之間處于絕緣態(tài) NMOS管 — UBS加一負壓 PMOS管 — UBS加一正壓 處理原
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