mos場效應(yīng)管講述-全文預(yù)覽
【正文】 溝道全夾斷的工作區(qū),條件：,VGS VGS(off),IG≈0，ID=0,擊穿區(qū),VDS 增大到一定值時(shí) ? 近漏極PN結(jié)雪崩擊穿,? 造成 ID劇增。,3.2.2 伏安特性曲線,線性電阻:,第四十一頁，共五十三頁。,利用半導(dǎo)體內(nèi)的電場效應(yīng)，通過柵源電壓VGS的變化，改變阻擋層的寬窄，從而改變導(dǎo)電溝道的寬窄，控制漏極電流ID。,此時(shí) Ron ?→ID ?變慢,VDS對溝道的控制（假設(shè)VGS 一定）,此時(shí)W近似不變,即Ron不變,第三十八頁，共五十三頁。,3.2 結(jié)型場效應(yīng)管,JFET結(jié)構(gòu)示意圖及電路符號,第三十五頁，共五十三頁。,小信號等效電路法,場效應(yīng)管小信號等效電路分法與三極管相似。,c)聯(lián)立解上述方程，選出合理的一組解。,3.1.5 MOS管電路分析方法,場效應(yīng)管估算法分析思路與三極管相同，只是由于兩種管子工作原理不同，從而使外部工作條件有明顯差異。,gmu稱背柵跨導(dǎo)，工程上,? 為常數(shù)，一般? = 0.1~ 0.2,第二十九頁，共五十三頁。,第二十七頁，共五十三頁。,第二十六頁，共五十三頁。,臨界飽和工作條件,非飽和區(qū)（可變電阻區(qū)）工作條件,|VDS | = | VGS –VGS(th) |,|VGS| |VGS(th) |，,|VDS | | VGS –VGS(th) |,|VGS| |VGS(th) | ，,飽和區(qū)（放大區(qū)）工作條件,|VDS | | VGS –VGS(th) |,|VGS| |VGS(th) |，,非飽和區(qū)（可變電阻區(qū)）數(shù)學(xué)模型,第二十五頁，共五十三頁。,3.1.3 四種MOS場效應(yīng)管比較,電路符號及電流流向,轉(zhuǎn)移特性,第二十三頁，共五十三頁。,NDMOS管伏安特性,VDS 0，VGS 正、負(fù)、零均可。,即 VDS 0 、VGS 0,外加電壓極性相反、電流ID流向相反。,襯底效應(yīng),集成電路中，許多MOS管做在同一襯底上，為保證U與S、D之間PN結(jié)反偏，襯底應(yīng)接電路最低電位（N溝道）或最高電位（P溝道）。,第十七頁，共五十三頁。,第十六頁，共五十三頁。,截止區(qū),特點(diǎn)：,相當(dāng)于MOS管三個(gè)電極斷開。,注意：飽和區(qū)（又稱有源區(qū)）對應(yīng)三極管的放大區(qū)。,第十三頁，共五十三頁。,第十二頁，共五十三頁。,NEMOS管輸出特性曲線,非飽和區(qū),特點(diǎn)：,ID同時(shí)受VGS與VDS的控制。,MOSFET工作原理：,第十頁，共五十三頁。,第九頁，共五十三頁。,第八頁，共五十三頁。,此時(shí) Ron ?→ID ?變慢。,VDS對溝道的控制（假設(shè)VGS VGS(th) 且保持不變）,VDS很小時(shí) → VGD ?VGS 。,U接電路最低電位或與S極相連(保證源襯PN結(jié)反偏)。,3.1 MOS場效應(yīng)管,N溝道MOS管與P溝道MOS管工作原理相似，不同之處僅在于它們形成電流的載流子性質(zhì)不同，因此導(dǎo)致加在各極上的電壓極性相反。它體積小、工藝簡單，器件特性便于控制，是目前制造大規(guī)模集成電路的主要有源
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