ic工藝ch-1材料與工藝概論(文件)
【正文】 金 /半接觸二極管： 肖特基二極管 、（點(diǎn)接觸二極管） 面結(jié)型二極管： 合金結(jié)二極管、 擴(kuò)散結(jié)二極管 、 生長(zhǎng)結(jié)二極管、異質(zhì)結(jié)二極管、等 ? 按功能和機(jī)理： 振蕩、放大類： 耿氏二極管、雪崩二極管、變?nèi)荻O管、等 信號(hào)控制類： 混頻二極管、開(kāi)關(guān)二極管、隧道開(kāi)關(guān)二極管、 檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、階躍二極管、等 光電類： 發(fā)光二極管 (LED)（半導(dǎo)體激光器）、 光電二極管（探測(cè)器） 晶體管： ? 雙極型晶體管：（ NPN、 PNP） 合金管、合金擴(kuò)散管、臺(tái)面管、外延臺(tái)面管、 平面管、外延平面管等 ? 場(chǎng)效應(yīng)晶體管：（ P溝、 N溝；增強(qiáng)型、耗盡型） MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ MOSFET）、 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ JFET）、 肖特基勢(shì)壘場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ SBFET） 集成電路的分類： – 按功能： 數(shù)字集成電路、模擬集成電路、微波集成電路、 射頻集成電路、其它； – 按工藝： 半導(dǎo)體集成電路（雙極型、 MOS型、 BiCMOS）、 薄 /厚膜集成電路、混合集成電路 – 按有源器件： 雙極型、 MOS型、 BiCMOS、光電集成電路、 CCD集成電路、傳感器 /換能器集成電路 – 按集成規(guī)模： 小規(guī)模（ SSI）、中規(guī)模（ MSI）、 大規(guī)模（ LSI）、超大規(guī)模（ VLSI）、 甚大規(guī)模（ ULSI）、巨大規(guī)模（ GLSI） 基本工藝流程舉例 ? 幾種二極管的基本結(jié)構(gòu) 合金 平面 生長(zhǎng)（異質(zhì)） 臺(tái)面 Schottky ? 幾種晶體管的基本結(jié)構(gòu) 合金 生長(zhǎng)（異質(zhì)） 平面 1 平面 2 MOS 1~10 ?m 300~500 ?m 介質(zhì)膜 Al電極 SiO2膜 外延層 埋層 襯底 隔離、基區(qū)、發(fā)射區(qū)、鎢塞、集電區(qū) 1）、簡(jiǎn)單的 Bipolar IC 結(jié)構(gòu) 2）、 Si雙極 npn晶體管芯片的工藝流程 襯底制備， 外延生長(zhǎng)， 一次氧化， 一次光刻， 基區(qū)擴(kuò)散， 二次氧化， 二次光刻， 發(fā)射區(qū)擴(kuò)散， 三次氧化， 三次光刻， 1金屬鍍膜， 1反刻金屬膜 1背面鍍膜， 1合金化 E B C n+ p n n+ 一次光刻（基區(qū)）、二次光刻（發(fā)射區(qū)）、三次光刻（引線孔）、四次光刻（反刻引線） （負(fù)性光刻膠） 一次氧化 、一次光刻（基區(qū)光刻）、 硼擴(kuò)散（基區(qū)擴(kuò)散）、 基區(qū)再分布（二次氧化） 二次光刻（發(fā)射區(qū)光刻）、 磷擴(kuò)散（發(fā)射區(qū)擴(kuò)散 +三次氧化） 、三次光刻（引線孔光刻）、 金屬鍍膜、 反刻引線。 – 硅基材料、光學(xué)晶體、光學(xué)薄膜 激光多普勒速度儀（ LiNbO3） ? 3）、 DNA芯片 * – 基本思想是通過(guò)施加電場(chǎng)等措施，使一些特殊的物質(zhì)能夠反映出某種基因的特性。 , March 12, 2023 ? 雨中黃葉樹(shù)，燈
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