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正文內(nèi)容

ic封裝工藝簡(jiǎn)介(ppt 45頁(yè))(文件)

 

【正文】 FOL– Die Attach 芯片粘接 Logo ?第三步:將芯片粘貼到涂好環(huán)氧樹(shù)脂的引線框架上。 Pad是芯片上電路的外接點(diǎn),引線是引線框架上的 連接點(diǎn)。用于在形成第一焊點(diǎn)時(shí)的燒球。為了防止外部環(huán)境的沖擊,利用塑封料 把引線鍵合完成后的產(chǎn)品封裝起 來(lái)的過(guò)程,并需要加熱硬化。 C; Clamp Pressure: 3000~4000N; Transfer Pressure: 1000~1500Psi; Transfer Time: 5~15s; Cure Time: 60~120s; Cavity L/F L/F Logo EOL– Molding(注塑) Molding Cycle 塊狀塑封料放入模具孔中 高溫下,塑封料開(kāi)始熔化,順著軌道流向孔穴中 從底部開(kāi)始,逐漸覆蓋芯片 完全覆蓋包裹完畢,成型固化 Logo EOL– Laser Mark(激光打字) 在產(chǎn)品( Package)的正面或者背面激光刻字。并且使元器件在 PCB板上容易焊接及 提高導(dǎo)電性。 2Hrs; 晶須 晶須,是指錫在長(zhǎng)時(shí)間的潮濕環(huán)境和溫度變化環(huán)境下生長(zhǎng)出的一種須狀晶體,可能導(dǎo)致產(chǎn)品引腳的短路 。 18:26:1418:26:1418:263/12/2023 6:26:14 PM ? 1以我獨(dú)沈久,愧君相見(jiàn)頻。 2023年 3月 12日星期日 下午 6時(shí) 26分 14秒 18:26: ? 1比不了得就不比,得不到的就不要。 下午 6時(shí) 26分 14秒 下午 6時(shí) 26分 18:26: ? 沒(méi)有失敗,只有暫時(shí)停止成功!。 18:26:1418:26:1418:26Sunday, March 12, 2023 ? 1不知香積寺,數(shù)里入云峰。 2023年 3月 下午 6時(shí) 26分 :26March 12, 2023 ? 1少年十五二十時(shí),步行奪得胡馬騎。 18:26:1418:26:1418:263/12/2023 6:26:14 PM ? 1越是沒(méi)有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 :26:1418:26:14March 12, 2023 ? 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 下午 6時(shí) 26分 14秒 下午 6時(shí) 26分 18:26: MOMODA POWERPOINT Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感 謝 您 的 下 載 觀 看 專家告訴 。 2023年 3月 下午 6時(shí) 26分 :26March 12, 2023 ? 1業(yè)余生活要有意義,不要越軌。 18:26:1418:26:1418:26Sunday, March 12, 2023 ? 1知人者智,自知者明。 下午 6時(shí) 26分 14秒 下午 6時(shí) 26分 18:26: ? 楊柳散和風(fēng),青山澹吾慮。 2023年 3月 12日星期日 下午 6時(shí) 26分 14秒 18:26: ? 1楚塞三湘接,荊門九派通。 18:26:1418:26:1418:263/12/2023 6:26:14 PM ? 1成功就是日復(fù)一日那一點(diǎn)點(diǎn)小小努力的積累。 2023年 3月 下午 6時(shí) 26分 :26March 12, 2023 ? 1行動(dòng)出成果,工作出財(cái)富。 18:26:1418:26:1418:26Sunday, March 12, 2023 ? 1乍見(jiàn)翻疑夢(mèng),相悲各問(wèn)年。主要針對(duì) EOL工藝可能產(chǎn)生的廢品:例如Molding缺陷,電鍍?nèi)毕莺蚑rim/Form缺陷等; Logo The End Thank You! Introduction of IC Assembly Process Logo ? 靜夜四無(wú)鄰,荒居舊業(yè)貧。 Tin占 85%, Lead占 15%,由于不符合 Rohs,目前基本被淘汰; Logo EOL– Post Annealing Bake(電鍍退火) 目的: 讓無(wú)鉛電鍍后的產(chǎn)品在高溫下烘烤一段時(shí)間,目的在于 消除電鍍層潛在的晶須生長(zhǎng)的問(wèn)題 。 Cure Temp: 175+/5176。其特 性為:在高溫下先處于熔融狀態(tài),然后會(huì)逐漸硬化,最終成型。指金線在 Cap的作
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