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正文內(nèi)容

ic封裝工藝簡(jiǎn)介(ppt 45頁)3(文件)

2025-03-05 18:27 上一頁面

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【正文】 ? 電鍍一般有兩種類型: PbFree:無鉛電鍍,采用的是 %的高純 度的錫( Tin),為目前普遍采用的技術(shù),符合 Rohs的要求; TinLead:鉛錫合金。內(nèi)容有:產(chǎn)品名稱,生產(chǎn)日期,生產(chǎn)批次等; Before After Logo EOL– Post Mold Cure(模后固化) 用于 Molding后塑封料的固化,保護(hù) IC內(nèi)部結(jié)構(gòu),消除內(nèi)部應(yīng)力。 Before Molding After Molding Logo EOL– Molding(注塑) Molding Tool(模具) ?EMC(塑封料)為黑色塊狀,低溫存儲(chǔ),使用前需先回溫。用于在形成第一焊點(diǎn)時(shí)的燒球。 Pad是芯片上電路的外接點(diǎn),引線是引線框架上的 連接點(diǎn)。 FOL– Die Attach 芯片粘接 Logo ?第二步:將液態(tài)環(huán)氧樹脂涂到引線框架的臺(tái)載片臺(tái)上。 以下存放,使用之前回溫 24小時(shí) ; 【 Epoxy】 銀漿 環(huán)氧樹脂 Logo Typical Assembly Process Flow FOL/前段 EOL/中段 Plating/電鍍 EOL/后段 Final Test/測(cè)試 Logo FOL– Front of Line前段工藝 Back Grinding 磨片 Wafer 晶圓 Wafer Mount 晶圓安裝 Wafer Saw 晶圓切割 Wafer Wash 晶圓清洗 Die Attach 芯片粘接 Epoxy Cure 銀漿固化 Wire Bond 引線焊接 2nd Optical 第二道光檢 3rd Optical 第三道光檢 EOL Logo FOL– Back Grinding磨片 Taping 粘膠帶 Back Grinding 磨片 DeTaping 去膠帶 ?將從晶圓廠出來的 Wafer晶圓進(jìn)行背面研磨,來減薄晶圓 達(dá)到 封裝需要的厚度( 8mils~10mils); ?磨片時(shí),需要在正面( Active Area)貼膠帶保護(hù)電路區(qū)域 同時(shí)研磨背面。 Logo Raw Material in Assembly(封裝原材料 ) 【 Lead Frame】 引線框架 ?提供電路連接和 Die的固定作用; ?主要材料為銅,會(huì)在上面進(jìn)行鍍銀、 NiPdAu等材料; ?L/F的制程有 Etch和 Stamp兩種; ?易氧化,存放于氮?dú)夤裰?,濕度? 于 40%RH。 ?IC Package種類很多,可以按以下標(biāo)準(zhǔn)分類: ? 按封裝材料劃分為: 金屬封裝、陶瓷封裝、塑料封裝 ? 按照和 PCB板連接方式分為: PTH封裝和 SMT封裝 ? 按照封裝外型可分為: SOT、 SOIC、 TSSOP、 QFN、 QFP、 BGA、 CSP等; Logo IC Package ( IC的封裝形式) ? 按封裝材料劃分為: 金屬封裝 陶瓷封裝 塑料封裝 金屬封裝主要用于軍工或航天技術(shù),無商業(yè)化產(chǎn)品; 陶瓷封裝優(yōu)于金屬封裝,也用于軍事產(chǎn)品,占少量商業(yè)化市場(chǎng); 塑料封裝用于消費(fèi)電子,因?yàn)槠涑杀镜停に嚭?jiǎn)單,可靠性高而占有絕大部分的市場(chǎng)份額; Logo IC Package ( IC的封裝形式) ? 按與 PCB板的連接方式劃分為: PTH SMT PTHPin Through Hole, 通孔式; SMTSurface Mount Technology,表面貼裝式。 第四,可靠性:任何封裝都需要形成一定的可靠性,這是整個(gè)封裝工藝中最重要的衡量指標(biāo)。 第二,支撐:支撐有兩個(gè)作用,一是支撐芯片,將芯片固定好便于電路的連接,二是封裝完成以后,形成一定的外形以支撐整個(gè)器件、使得整個(gè)器件不易損壞。 Logo 半導(dǎo)體封裝的目的及作用 第一,保護(hù):半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)車間都有非常嚴(yán)格的生產(chǎn)條件控制,恒定的溫度( 230177。Logo
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