【摘要】第八章光刻與刻蝕工藝光刻是集成電路工藝中的關(guān)鍵性技術(shù)。在硅片表面涂上光刻膠薄層,經(jīng)過光照、顯影,在光刻膠上留下掩模版的圖形。在集成電路制造中,利用光刻膠圖形作為保護(hù)膜,對選定區(qū)域進(jìn)行刻蝕,或進(jìn)行離子注入,形成器件和電路結(jié)構(gòu)。隨著集成電路的集成度不斷提高,器件的特征尺寸不斷減小,期望進(jìn)一步縮小光刻圖形的尺寸。
2025-01-08 14:36
【摘要】集成電路工藝技術(shù)講座第五講離子注入Ionimplantation引言?半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用的離子注入是將高能量的雜質(zhì)離子導(dǎo)入到半導(dǎo)體晶體,以改變半導(dǎo)體,尤其是表面層的電學(xué)性質(zhì).?注入一般在50-500kev能量下進(jìn)行離子注入的優(yōu)點(diǎn)?注入雜質(zhì)不受材料溶解度,擴(kuò)散系數(shù),化學(xué)結(jié)合力的限制,原則上對各種材料都可摻雜?可精確控制能量和劑量,從而精確控
2025-01-06 18:45
【摘要】教學(xué)目的和要求:1、了解集成電路制造的過程和典型工藝流程。2、了解集成電路制造過程中的關(guān)鍵技術(shù)及概念。3、理解集成電路設(shè)計(jì)規(guī)則及其意義,初步認(rèn)識集成電路工藝水平對集成電路發(fā)展的影響。第二章集成電路制造工藝第一節(jié)概述意義:1、了解集成電路制造的基本過程的常識2、為了得到最佳集成電路設(shè)計(jì)
2025-01-06 13:54
【摘要】集成電路工藝概述課程介紹普通高校專業(yè)學(xué)科目錄(1998版)?01哲學(xué)?02經(jīng)濟(jì)學(xué)?03法學(xué)?04教育學(xué)?05文學(xué)?06歷史學(xué)?07理學(xué)?08工學(xué)?09農(nóng)學(xué)?10醫(yī)學(xué)?11管理學(xué)?0806電氣信息類?080601電氣工程及其自動化?080
2025-01-03 00:06
【摘要】第6章CMOS集成電路制造工藝第6章CMOS集成電路制造工藝?CMOS工藝?CMOS版圖設(shè)計(jì)?封裝技術(shù)3木版年畫?畫稿?刻版?套色印刷4半導(dǎo)體芯片制作過程5硅片(wafer)的制作6掩模版(mask,reticle)的制作7外延襯底的制作8集成電路加工的基本操作?1、形成薄膜
2025-01-19 08:27
【摘要】半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路?CMOS工藝技術(shù)是當(dāng)代VLSI工藝的主流工藝技術(shù),它是在PMOS與NMOS工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。其特點(diǎn)是將NMOS器件與PMOS器件同時制作在同一硅襯底上。?CMOS工藝技術(shù)一般可分為三類,即?P阱CMOS工藝?
2025-07-25 19:09
【摘要】半導(dǎo)體集成電路2.雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)2022/5/24pn+n-epin+P-Sin+-BLCBESP+P+雙極集成電路的基本工藝2022/5/24P-SiTepiCBEpn+n-epin+P-SiP+P+Sn+-
2025-04-26 12:59
【摘要】第五章MOS集成電路的版圖設(shè)計(jì)根據(jù)用途要求確定系統(tǒng)總體方案工藝設(shè)計(jì)根據(jù)電路特點(diǎn)選擇適當(dāng)?shù)墓に?,再按電路中各器件的參?shù)要求,確定滿足這些參數(shù)的工藝參數(shù)、工藝流程和工藝條件。電路設(shè)計(jì)根據(jù)電路的指標(biāo)和工作條件,確定電路結(jié)構(gòu)與類型,依據(jù)給定的工藝模型,進(jìn)行計(jì)算與模擬仿真,決定電路中各器件的參數(shù)(包括電參數(shù)、幾何
2025-04-30 18:17
2025-01-06 18:36
【摘要】集成電路Contentsv集成電路的定義v集成電路的分類v集成電路的工藝微電子技術(shù)課程ppt微電子技術(shù)課程ppt集成電路定義v集成電路(integrated?circuit)是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝,把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連
2025-01-08 12:24
【摘要】1第四章集成電路器件工藝雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的VLSI工藝BiCMOS工藝2第四章集成電路器件工藝表3圖幾種IC工藝速度功耗區(qū)位圖4雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的V
2025-01-06 18:35
【摘要】集成電路工藝技術(shù)講座第十講CMOS集成電路工藝技術(shù)內(nèi)容(一)CMOS工藝概述(二)2umP阱硅柵CMOSIC工藝流程(三)先進(jìn)CMOSIC工藝(四)BiCMOS(五)功率MOSFET(六)BCD(一)CMOS工藝概述?MOSFET的開啟電壓?CMOS倒相器?CMOS結(jié)構(gòu)中的阱?LOCOS技術(shù)MOSFE
2025-01-06 18:46
【摘要】第三章集成電路制造工藝第三章第三章集成電路的核心是半導(dǎo)體器件,包括:電阻,電容,電感,二極管,三極管,結(jié)型場效應(yīng)晶體管,MOS場效應(yīng)晶體管.......特點(diǎn):不同類型的半導(dǎo)體區(qū)域和它們之間一個或多個PN結(jié)組成半導(dǎo)體器件生產(chǎn)工藝的基本原理根據(jù)電路設(shè)計(jì)要求,在半導(dǎo)體材料不同區(qū)域形成不同導(dǎo)電區(qū)域
2025-01-06 13:42
【摘要】微電子教研中心集成電路設(shè)計(jì)原理第一章集成電路制造工藝集成電路(IC——IntegratedCircuit)制造工藝是集成電路實(shí)現(xiàn)的途徑,也是集成電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。1微電子教研中心集成電路設(shè)計(jì)原理集成電路制造工藝分類1.雙極型工藝(bipolar)2.MOS工藝3.BiMOS工藝
2025-03-07 22:31
【摘要】集成電路制造工藝集成電路制造工藝北京大學(xué)北京大學(xué)e集成電路設(shè)計(jì)與制造的主要流程框架設(shè)計(jì)芯片檢測單晶、外延材料掩膜版芯片制造過程封裝測試系統(tǒng)需求集成電路的設(shè)計(jì)過程:設(shè)計(jì)創(chuàng)意+仿真驗(yàn)證集成電路芯片設(shè)計(jì)過程框架From吉利久教授是功能要求行為設(shè)
2025-02-08 21:42