《先進(jìn)表面工程技術(shù)》ppt課件(文件)
【正文】 中的應(yīng)用三大部分構(gòu)成。 有待進(jìn)一步研究的 先進(jìn)表面工程技術(shù)事例 ? 低介電常數(shù)基片； ? 高熱導(dǎo)率基片； ? 用途更廣的新一代 ZnO基透明導(dǎo)電膜； ? 新一代鐵電存儲(chǔ)器； ? 高耐熱高絕緣高導(dǎo)熱封裝薄膜； ? 更高記錄密度的薄膜磁頭，其磁頭起飛高度由 25nm進(jìn)一步降到 15nm，需采用新的磁記錄功能膜和磁記錄、耐磨損兩種功能一體化的磁記錄功能膜材料； 有待進(jìn)一步研究的 先進(jìn)表面工程技術(shù)事例 ? 渦輪軸發(fā)動(dòng)機(jī)壓氣機(jī)鈦合金葉輪抗沙塵沖蝕涂層； ? 高效率低成本薄膜太陽(yáng)能電池； ? 柔性 (全薄膜化 )顯示器； ? 燃?xì)廨啓C(jī)葉片熱障涂層； ? 光催化環(huán)境凈化膜； ? 光催化太陽(yáng)能分解水制氫； ? 高性能、高質(zhì)量、高效率、低成本刻蝕技術(shù)和裝備。 涂層制備工藝 ? 在涂層材料改進(jìn)的同時(shí)，涂層制備工藝也取得了進(jìn)展，其中較為突出的是，脈沖偏壓在 AlP上的采用，導(dǎo)致了 PBAIP過(guò)程的遠(yuǎn)離平衡態(tài)特性，有利于提高涂層結(jié)合強(qiáng)度，降低內(nèi)應(yīng)力。 ? 熱障層與底層的組成、結(jié)構(gòu)和工藝，目前還在不斷改進(jìn)和更新?lián)Q代中。據(jù)了解，存在的主要問(wèn)題是產(chǎn)物中的非 cBN成分含量過(guò)高，且難去除。 ? 四方非晶碳 (taCarbon)膜的研究有可能在不遠(yuǎn)的將來(lái)，在力學(xué)性能、功能特性、產(chǎn)業(yè)化等方面都取得新突破。通過(guò)摻雜及其它途徑，可適當(dāng)降低禁帶寬度，便于制作器件，有很大的應(yīng)用潛力，但目前尚未得到足夠的重視。 遠(yuǎn)離平衡態(tài)鍍膜技術(shù) ? 遠(yuǎn)離平衡態(tài)是這類(lèi)工藝的共同的熱力學(xué)特征。 ? 用先進(jìn)表面工程技術(shù)，迅速大量形成了規(guī)模化的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，對(duì)經(jīng)濟(jì)起了巨大的推動(dòng)作用。 7 結(jié)束語(yǔ) ? 在近年來(lái)先進(jìn)表面工程技術(shù)發(fā)展中，采用遠(yuǎn)離平衡態(tài)鍍膜技術(shù)、等離子體技術(shù)、激光技術(shù)、納米技術(shù)等均取得了良好的應(yīng)用效果，也證明了基礎(chǔ)研究對(duì)于推動(dòng)前沿和高技術(shù)領(lǐng)域發(fā)展的重要性。 ? 低介電常數(shù)膜、高介電常數(shù)膜、低比輻射率膜、太陽(yáng)光譜高比輻射率膜、光伏膜、存儲(chǔ)膜、透明導(dǎo)電膜、敏感膜、發(fā)光膜等方面均取得了進(jìn)展。 ? GaN膜顯示了性能上的優(yōu)越性，但價(jià)格昂貴和毒性始終是其擴(kuò)大應(yīng)用的障礙。 特種薄膜材料的合成 ? 經(jīng)過(guò)了 80～ 90年代的努力，氣相生長(zhǎng)金剛石始終未能實(shí)現(xiàn)真正的產(chǎn)業(yè)化，其主要問(wèn)題在于一直未能兼顧產(chǎn)品質(zhì)量高、生產(chǎn)速率高和生產(chǎn)成本低的產(chǎn)業(yè)化基本要求。 立方氮化硼 (cBN)膜 ? 立方氮化硼 (cBN)膜的優(yōu)異特性與金剛石膜相近，加上還具有優(yōu)異的耐腐蝕特性，其吸引力不遜于金剛石膜。 燃?xì)廨啓C(jī)葉片先進(jìn)防護(hù)涂層 ? 現(xiàn)代燃?xì)廨啓C(jī)效率取決于其工作溫度，由于高溫合金的使用溫度已接近其使用溫度極限，采用抗熱腐蝕、熱障涂層已成為提高燃?xì)廨啓C(jī)工作溫度的關(guān)鍵性措施，是否采用防護(hù)涂層，所用防護(hù)涂層的水平如何，也就成為評(píng)價(jià)現(xiàn)代燃?xì)廨啓C(jī)設(shè)計(jì)水平的重要判據(jù)之一。 ? 另一種
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