soi及其制備工藝(文件)
【正文】 11 Smartcut Smartcut工藝流程： 結(jié)合了離子注入和鍵合的雙重優(yōu)勢。 ? 埋氧層由熱氧化形成，具有良好的 Si/SiO2界面，同時(shí)氧化層質(zhì)量較高。陳猛等人結(jié)合了離子注入和鍵合技術(shù)提出了注氧鍵合技術(shù)，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Simbond技術(shù)。 ? 減薄過程采用了自停止腐蝕方法來實(shí)現(xiàn)控制頂層硅厚度均勻性，機(jī)械研磨快速減薄到一定厚度，該過程要保證研磨的損傷層不在埋氧層中，之后用 TMAH溶液腐蝕頂層硅到注入的氧化層處停止，然后去除露出的氧化層并拋光處理，最后根據(jù)要求外延到所需要的厚度，得到均勻性很好的厚膜 SOI材料，其頂層硅厚度均勻性可達(dá)士 0. 05um. 。 ? 向器件片的鍵合面注入氧離子，高溫退火形成埋氧層，這個(gè)埋氧層就是之后的腐蝕停止層。 Smartcut技術(shù)已成為 SOI材料制備技術(shù)中最具競爭力、最具發(fā)展前途的一種技術(shù)。 第二步 常溫下與另一非氧化 圓片鍵合； 第三步 低溫退火 使注入氫離子形成氣泡令硅片 剝離， 后 高溫退火 增強(qiáng)兩圓片 的 鍵合 力度； 第四步 硅片表面 平坦化 。如采用重?fù)揭r底 P+，在其上生長輕摻的 N－ 或 P－ 外延層（工藝完成后作為頂層單晶硅薄膜），首先粗磨重?fù)诫s區(qū)，然后化學(xué)腐蝕得到頂層硅膜，腐蝕劑選用具有較強(qiáng)選擇比腐蝕性的試劑。 BESOI過程分三步來完成。 法國 SOITEC、美國 IBIS和 IBM相繼放棄了 simox制備技術(shù)。 ? 退火溫度：高溫退火消除注入缺陷，消融頂層硅中氧沉淀，促使埋層形成。這時(shí)圓片的質(zhì)量得以 恢復(fù)而二氧化硅沉淀物所形成的埋層具有良好的絕緣性。此方法有兩個(gè)關(guān)鍵步驟：離子注
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1