soi及其制備工藝-全文預(yù)覽
【正文】 入和退火。SOI CMOS 的制造工藝比體硅至少少 3塊掩模板，減少 13~20%的工序。 ? 功耗低 全耗盡 SOI器件具有陡直的亞閾值斜率，漏電流小，靜態(tài)功耗?。唤Y(jié)電容與連線電容均很小，動態(tài)功耗小。1 概述 SIMOX BESOI Smartcut Simbond SOI及其制備技術(shù) 2 概述 SOI (Silicon On Insulator),又稱絕緣層上硅。 SOI 絕 緣 層（埋氧層） 頂硅層 襯底 （ a）典型 SOI CMOS橫截面示意圖 （ b） SOI CMOS TEM (Transmission electron microscope)側(cè)面圖 3 概述 SOI的技術(shù)特點： ? 速度高 全耗盡 SOI器件具有遷移率高、跨導(dǎo)大、 寄生電容小 等優(yōu)點使 SOI CMOS 具有極高的速度特性。 ? 成本低 SOI技術(shù)除了襯底材料成本高于硅材料外，其他成本均低于體硅。（ FD SOI、引入復(fù)合中心） ? 自加熱效應(yīng) BOX熱導(dǎo)率低 4 典型 1mm CMOS工藝條件下體硅和 SOI器件的寄生電容 (pF/mm2) 電容類型 SOI(SIMOX) 體 硅 電容比 (體硅 /SOI) 柵 1 結(jié)與襯底 ～ 4～ 7 多晶硅與襯底 金屬 1與襯底 金屬 2與襯底 5 概述 SOI 的制備： SOI材料制造技術(shù)分類 多晶 /非晶單晶化 硅單晶薄膜的沉積 熔融再結(jié)晶（ ZMR） 固相
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