soi及其制備工藝-免費(fèi)閱讀
【正文】 14年，新傲與法國 SOITEC 簽訂了中國地區(qū) 200mm SOI晶圓獨家代理協(xié)議。 第一步 是在室溫的環(huán)境下使一圓片 熱氧化 ,并 注入 一定劑量 H+。鍵合技術(shù)形成的 SOI材料的頂層硅膜來自于襯底硅膜，未經(jīng)過 SIMOX技術(shù)中的高溫氧離子注入，所以頂層硅膜中的缺陷較少，其器件性能可以達(dá)到體硅器件的水平。另外研究表明，注入能量越 高注入粒子 分散程度越大，形成連續(xù)埋氧層所需劑量也越高。（ FD SOI、引入復(fù)合中心） ? 自加熱效應(yīng) BOX熱導(dǎo)率低 4 典型 1mm CMOS工藝條件下體硅和 SOI器件的寄生電容 (pF/mm2) 電容類型 SOI(SIMOX) 體 硅 電容比 (體硅 /SOI) 柵 1 結(jié)與襯底 ～ 4～ 7 多晶硅與襯底 金屬 1與襯底 金屬 2與襯底 5 概述 SOI 的制備： SOI材料制造技術(shù)分類 多晶 /非晶單晶化 硅單晶薄膜的沉積 熔融再結(jié)晶（ ZMR） 固相外延（ SPE） 束致再結(jié)晶 激光或電子束 區(qū)熔再結(jié)晶 石墨條加熱或鹵素?zé)? 單晶襯底的隔離 氧離子注入形成 SiO2埋層（ SIMOX） BESOI、 Smartcut、 SIMBOND工藝 多孔硅氧化隔離法（ FIPOS） 選擇外延橫向生長法（ ELO）(厚膜、抗輻射 ) 異質(zhì)外延法（ SOS（污染、透明、抗輻射） ,SOZ,SOM等） 6 SIMOX SIMOX工藝流程： SIMOX ( Separate by IMplant Oxygen ),又稱注氧隔
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1