【正文】 A，對 Fe3O4納米磁性復(fù)合材料的整體及微區(qū)的化學(xué)組成進(jìn)行測定 。 納米材料的表征 ? 2 形態(tài)表征 形態(tài)表征對于確定 Fe3O4納米磁性復(fù)合材料的尺寸、大小、形貌十分關(guān)鍵，目前該領(lǐng)域的研究方法很多，主要有 X射線衍射 XRD、透射電子顯微鏡 TEM、掃描電子顯微鏡SEM、激光散射法等。 織夢內(nèi)容管理系統(tǒng) （ 3）掃描電子顯微鏡 SEM：主要用于觀察 Fe3O4納米磁性粒子的形貌、粒度分布等。（ 1）紅外及拉曼光譜：利用遠(yuǎn)紅外光譜指派金屬離子與非金屬離子成鍵、金屬離子的配位等化學(xué)環(huán)境情況及變化，表征產(chǎn)物表面含有－ OH、C=O、 C=C等功能基團(tuán)。 納米材料的表征 ? 4 性能表征（ 1）熱性能：利用差熱分析（ DTA）、示差掃描熱法（ DSC）以及熱重分析（ TG）等熱分析手段，并與 XRD、 IR等方法結(jié)合表征： a)Fe3O4納米磁性粒子的表面成鍵或非成鍵有機(jī)基團(tuán)或其他物質(zhì)的存在與否、含量、熱失溫度等； b)表面吸附能力的強(qiáng)度與吸附物質(zhì)的多少與粒徑的關(guān)系； c)升溫過程中粒徑變化； d)升溫過程的相轉(zhuǎn)變情況及晶化過程。最常見的有：電導(dǎo)滴定法和循環(huán)伏安法。事實(shí)上，所有的 金屬 在超微顆粒狀態(tài)都呈現(xiàn)為黑色。此外又有可能應(yīng)用于紅外敏感元件、紅外隱身技術(shù)等。采用超細(xì)銀粉漿料，可使膜厚均勻，覆蓋面積大，既省料又具高質(zhì)量。 納米材料的性能 ? 特殊的磁學(xué)性質(zhì) ? 人們發(fā)現(xiàn) 鴿子 、 海豚 、 蝴蝶 、 蜜蜂 以及生活在水中的趨磁細(xì)菌等生物體中存在超微的磁性顆粒，使這類生物在地磁場導(dǎo)航下能辨別方向，具有回歸的本領(lǐng)。利用磁性超微顆粒具有高矯頑力的特性，已作成高貯存密度的磁記錄磁粉，大量應(yīng)用于磁帶、磁盤、磁卡以及磁性鑰匙等。美國學(xué)者報(bào)道 氟化鈣 納米材料在室溫下可以大幅度彎曲而不斷裂。 ? 超微顆粒的小尺寸效應(yīng)還表現(xiàn)在超導(dǎo)電性、介電性能、聲學(xué)特性以及化學(xué)性能等方面。我國已建立了多種物理和化學(xué)方法制備納米材料，研制了氣體蒸發(fā)、磁控濺射、激光誘導(dǎo) cvd、等離子加熱氣相合成等 10多臺制備納米材料的裝置，發(fā)展了化學(xué)共沉淀、溶膠一凝膠、微乳液水熱、非水溶劑合成和超臨界液相合成制備包括金屬、合金、氧化物、氮化物、碳化物、離子晶體和半導(dǎo)體等多種納米材料的方法，研制了性能優(yōu)良的多種納米復(fù)合材料。主要內(nèi)容： （ 1）選題的目的； （ 2）選題的意義； （ 3）課題研究的性質(zhì)； （ 4）國內(nèi)外同類課題研究的現(xiàn)狀； （ 5）研究方法和手段的科學(xué)性； （ 6）應(yīng)具備的客觀條件可行（設(shè)備、方法、人員素質(zhì)等）； （ 7）課題組的人員條件； （ 8）課題成果形式與推廣價(jià)值。 ?每一步影響因素有哪些？ ?現(xiàn)象、結(jié)論，為什么？ ?注意事項(xiàng) ?參考文獻(xiàn)資料，你對共享結(jié)果的思考。 ? 影響電沉積的因素（溶液，基底，電化學(xué)工藝） ? 銅為什么難沉積在鐵基底上？ ? 如何計(jì)算沉積層厚度？估算粒子半徑？ ? 現(xiàn)象、結(jié)論（形貌與條件關(guān)系） ? 各種表面形貌形成機(jī)理。 ? 金屬離子還原繼而形成結(jié)晶層的電結(jié)晶過程一般包括以下步驟： ? （ 1）溶液中的離子向電極表面的擴(kuò)散； ? （ 2）電子遷移反應(yīng)； ? （ 3）部分或完全失去溶劑化外殼，導(dǎo)致形成吸附原子； ? （ 4）光滑表面或異相基體上吸附原子經(jīng)表面擴(kuò)散到缺陷或位錯(cuò)等有利位置； ? （ 5）電還原得到的其他金屬原子在這些位置聚集，形成新相的核，即形核； ? （ 6）還原的金屬原子結(jié)合到晶格中生長，即核化； ? （ 7）沉積物的結(jié)晶及形態(tài)特征的發(fā)展。然而，瞬時(shí)成核與連續(xù)成核僅僅是成核速度常數(shù)很大和很小時(shí)出現(xiàn)的兩種極端情況，在實(shí)際體系中更多更普遍的應(yīng)是介于兩者之間的情況 [2]。若界面上不存在臺階，則二維臨界晶核是生長界面上提供臺階的唯一來源。螺旋位錯(cuò)生長機(jī)理是 Frank提出的，他認(rèn)為實(shí)際晶體是不完整的，如果生長面上存在著螺旋位錯(cuò)露頭點(diǎn)，由后者在晶面上引起的臺階可以直接作為晶體生長的臺階源，在生長過程中生長臺階繞著螺旋位錯(cuò)線回旋擴(kuò)展但永不消失。 實(shí)驗(yàn)安排： 第 1周：講座，檢索相關(guān)資料，初步擬定方案 第 2周 : 根據(jù)資料分析，擬定選擇實(shí)驗(yàn)內(nèi)容和初步方案，準(zhǔn)備儀器 第 37周：分組實(shí)驗(yàn)，每組 3人，共 10組，表征 第 8周：分析結(jié)果，完成實(shí)驗(yàn)總結(jié) 題目、摘要，引言、實(shí)驗(yàn)材料與方法，結(jié)果與討論，小結(jié)，參考文獻(xiàn) 。螺旋位錯(cuò)生長機(jī)理與二維成核式生長機(jī)理相比較，主要區(qū)別在于前者不需要形成二維晶核，晶體在一定條件下就能生長。通過臺階作多次重復(fù)的運(yùn)動(dòng)和扭結(jié)的不斷延伸，生長面最終被新晶層覆蓋。根據(jù)生長界面結(jié)構(gòu)的不同 ,金屬電結(jié)晶可能按兩種不同的機(jī)理進(jìn)行，即二維成核式的生長機(jī)理和螺旋位錯(cuò)生長機(jī)理。電沉積開始時(shí)一段時(shí)間內(nèi)還原原子在表面的核化可用下列關(guān)系式表示： ? N=N0[1exp（ At） ] ? 式中， N為在不同反應(yīng)時(shí)間單位面積上分布于電極表面核的數(shù)目， N0為活化位置的數(shù)目密度， A是每個(gè)位置上穩(wěn)態(tài)核化的速率常數(shù)。 ? 金屬電結(jié)晶理論概述 ? 金屬離子在電極上放電還原為吸附原子后，需經(jīng)歷由單吸附原子結(jié)合為晶體的另一過程方可形成金屬電沉積層，這種在電場作用下進(jìn)行的結(jié)晶過程稱為電結(jié)晶。為制備可控功能性納米材料提供參考。 要交的材料，五一前交 ?實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)方案 ?實(shí)驗(yàn)記錄。這些方法為進(jìn)一步研究納米結(jié)構(gòu)和準(zhǔn)一納米材料的物性，推