納米材料分類ppt課件-閱讀頁
2025-05-20 18:09本頁面
【正文】 墨中的一層或若干層碳原子卷曲而成的籠狀纖維，內(nèi)部空心，外部直徑只有幾到幾十納米，相當(dāng)于頭發(fā)絲的萬分之一，密度只有鋼的六分之一，而強(qiáng)度卻是鋼的 100倍，是做成防彈背心等織物的理想材料。用納米技術(shù)做成的所謂量子磁盤，能作高密度的磁記錄，每平方厘米的面積上可儲存 3萬部 《 紅樓夢 》 。近年來，根據(jù)國際納米材料研究的發(fā)展趨勢，建立和發(fā)展了制備納米結(jié)構(gòu)（如納米有序陣列體系、介孔組裝體系、 mcm－ 41等）組裝體系的多種方法，特別是自組裝與分子自組裝、模板合成、碳熱還原、液滴外延生長、介孔內(nèi)延生長等也積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，已成功地制備出多種準(zhǔn)一維納米材料和納米組裝體系。納米產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢 電沉積銀典型 SEM形貌 電沉積銀典型 SEM形貌 直流電沉積方法制備銀納米材料示意圖 A 電源 電阻箱 V ＋ － － ＋ Pt ITO EminBF4+AgNO3 圖 419 沉積產(chǎn)物的 SEM (,100μ A/cm2, 10min) a 電極表面 b 電極表面 c 電極邊緣 科研流程圖 科研成果評價 成果評價指標(biāo)體系 序號 一級指標(biāo) 序號 二級指標(biāo) 評價等級 1 選題的針對性 1 所選課題是否為學(xué)科 （權(quán)重 ） 亟待解決的理論和實(shí)踐問題 2 研究過程的嚴(yán) 2 方案設(shè)計(jì)周密程度 謹(jǐn)性和方法的 3 參閱資料新和全的程度 科學(xué)性 4 研究方法可行和先進(jìn)程度 （權(quán)重 ） 5 研究過程控制的嚴(yán)謹(jǐn)程度 6 研究所獲取的數(shù)據(jù)、資料； 以及分析、統(tǒng)計(jì)所獲取的數(shù) 據(jù)、資料；形成研究結(jié)論 的數(shù)據(jù)、資料可靠程度 3 成果的創(chuàng)新性 7 成果的學(xué)術(shù)貢獻(xiàn)、創(chuàng)新價值大小 和時效性 8 成果的實(shí)踐意義大小，成果被采納、 （權(quán)重 ） 應(yīng)用或推廣的情況及效益情況 9 成果發(fā)表刊物級別 10 成果被引用或轉(zhuǎn)載情況 課題研究論證 對課題的價值、科學(xué)性和可行性論證。 結(jié)題研究報告 （ 1）研究報告基本結(jié)構(gòu) 課題研究題目； 署名（作者與單位）； 前言（課題研究摘要）； 課題的提出（研究背景，他人研究狀況）； 課題研究的目的和意義； 研究理論依據(jù)（基本理論或基本觀點(diǎn)）； 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容（擬解決問題的闡述）； 實(shí)驗(yàn)方法； 實(shí)驗(yàn)結(jié)果（專題實(shí)驗(yàn)成果、課題研究的實(shí)踐貢獻(xiàn)、理論貢獻(xiàn)）； 分析與討論（對實(shí)驗(yàn)進(jìn)展程度，狀況、存在問題與再深入研究等問題的自我評價）； 結(jié)論（課題研究的價值與推廣價值）； 附錄和參考文獻(xiàn)等。 ?實(shí)驗(yàn)總結(jié) （主要是結(jié)果與討論，對實(shí)驗(yàn)記錄的現(xiàn)象和表征結(jié)果進(jìn)行討論） ?結(jié)果與討論。 小結(jié) ?意義：認(rèn)識形成機(jī)理，相轉(zhuǎn)移機(jī)理。 樣品圖標(biāo)對照表 水溶性 對應(yīng)油溶性 k1 k4, k5， l1， l2 k2 k3， l4 G3 G4， G5 ? 電結(jié)晶的步驟。 ? 注意事項(xiàng) ? 小結(jié) ? 意義：為進(jìn)一步深入認(rèn)識電結(jié)晶機(jī)理，為制備可控功能性納米材料提供參考。眾所周知，金屬電結(jié)晶過程是一個相當(dāng)復(fù)雜的過程，其主要經(jīng)歷液相傳質(zhì)步驟、電化學(xué)反應(yīng)步驟、新相生成步驟（即金屬離子的電化學(xué)還原過程和結(jié)晶）三個串聯(lián)步驟。 ? 對于電結(jié)晶層的形成，一般經(jīng)歷核化和生長兩步驟。當(dāng) At遠(yuǎn)大于 1時（如可通過施加一個高超電勢實(shí)現(xiàn)）， N=N0，所以核化過程是瞬時進(jìn)行的（稱為瞬時核化）；當(dāng) At遠(yuǎn)小于 1時， N=AN0t，即核化隨反應(yīng)的進(jìn)行連續(xù)發(fā)生（稱為連續(xù)核化） [1]。 ? 晶體生長機(jī)理是由生長界面的結(jié)構(gòu)所決定的 [3]。二維成核式的生長機(jī)理起源于 Kossel和 Stranski的理論，即在理想的界面上，溶液中的金屬離子先運(yùn)動到界面上放電，然后形成吸附原子，最后聚集一起形成二維臨界晶核。在臺階上吸附的原子沿臺階一維擴(kuò)散到扭結(jié)，最后進(jìn)入晶格座位并析出結(jié)晶潛熱。如果晶體要繼續(xù)生長，則需在新晶層上再一次形成二維臨界晶核以便提供新的臺階源。因此，螺旋位錯的存在提供了無需經(jīng)歷晶核形成過程但又能持續(xù)生長的方式。 ? 由于金屬電結(jié)晶過程復(fù)雜，影響因素很多，目前的理論還遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于實(shí)際工作的需要，有許多問題有待于進(jìn)一步深入研究
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