【摘要】(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransnsator)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET)MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在微處理器和存儲(chǔ)器方面,MOS集成電路幾
2025-05-07 00:11
【摘要】1微電子技術(shù)基礎(chǔ)雙極型和MOS晶體管信息工程學(xué)院姜梅微電子技術(shù)基礎(chǔ)一、雙極晶體管1.雙極晶體管的結(jié)構(gòu)由兩個(gè)相距很近的PN結(jié)組成:分為:NPN和PNP兩種形式基區(qū)寬度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度發(fā)射區(qū)收集區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)收集結(jié)發(fā)射極收集
2025-01-14 10:46
【摘要】劉開(kāi)華2022/2/11電子線(xiàn)路基礎(chǔ)2第三章、放大器的頻率特性線(xiàn)性失真及其分析方法單級(jí)放大器的頻率響應(yīng)多級(jí)放大器的頻率響應(yīng)放大器的階躍響應(yīng)3線(xiàn)性失真分析方法4由于放大電路中存在電抗元件(電容、電感等),所以在放大含有豐富頻率成分的信號(hào)(如語(yǔ)音信號(hào)、脈沖信號(hào)
2025-01-14 20:55
【摘要】微電子器件原理第七章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管2第七章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管§基本工作原理和分類(lèi)§閾值電壓§I-V特性和直流特性曲線(xiàn)§擊穿特性§頻率特性§功率特性和功率MOSFET結(jié)構(gòu)§開(kāi)關(guān)特性§
2025-05-01 22:36
【摘要】雙端MOS結(jié)構(gòu)1、MOS結(jié)構(gòu)及其場(chǎng)效應(yīng)2、半導(dǎo)體的耗盡及反型3、平衡能帶關(guān)系4、柵壓-平帶電壓和閾值電壓5、電容(C-V)特性MOS-V+a.MOS結(jié)構(gòu)b.電場(chǎng)效應(yīng)1、雙端MOS結(jié)構(gòu)及其場(chǎng)效應(yīng)-V+_______
2025-05-10 19:00
【摘要】MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFieldEffectTransistorMetal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistorMOS管的結(jié)構(gòu)、工作原理和輸出特性MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)基本工作原理和輸出特性MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類(lèi)MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓M
2025-01-14 04:31
【摘要】1功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是20世紀(jì)70年代中后期開(kāi)發(fā)的新型功率半導(dǎo)體器件,通常又叫絕緣柵功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)為PMOSFET,用字母PM表示。功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管已發(fā)展了多種結(jié)構(gòu)型式,本節(jié)主要介紹目前使用最多的單極VDMOS、N溝道增強(qiáng)型PM,2G(柵極)S(源極)D
2025-05-08 00:18
【摘要】晶體三極管知識(shí)晶體三極管作為重要的半導(dǎo)體器件,其基本結(jié)構(gòu)和工作原理需要掌握。下面具體介紹。三極管的基本結(jié)構(gòu)是兩個(gè)反向連結(jié)的pn接面,如圖1所示,可有pnp和npn兩種組合。三個(gè)接出來(lái)的端點(diǎn)依序稱(chēng)為射極(emitter,E)、基極(base,B)和集極(collector,C),名稱(chēng)來(lái)源和它們?cè)谌龢O管操作時(shí)的功能有關(guān)。圖中也顯示出npn與pnp三極管的
2025-06-24 12:36
【摘要】XJ4810晶體管特性圖示儀說(shuō)明書(shū)晶體管測(cè)量?jī)x器是以通用電子測(cè)量?jī)x器為技術(shù)基礎(chǔ),以半導(dǎo)體器件為測(cè)量對(duì)象的電子儀器。用它可以測(cè)試晶體三極管(NPN型和PNP型)的共發(fā)射極、共基極電路的輸入特性、輸出特性;測(cè)試各種反向飽和電流和擊穿電壓,還可以測(cè)量場(chǎng)效管、穩(wěn)壓管、二極管、單結(jié)晶體管、可控硅等器件的各種參數(shù)。下面以XJ4810型晶體特性圖示儀為例介紹晶體管圖示儀的使用方法。圖
2025-03-25 03:39
【摘要】微電子元器件與項(xiàng)目訓(xùn)練授課教師:余菲第4章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管教師:余菲電子郵件:
【摘要】1第二章雙極型晶體管的直流特性晶體管分類(lèi):?結(jié)型晶體管又稱(chēng)雙極型晶體管(BipolarJunctionTransistor-BJT)?場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor-FET)又稱(chēng)單極型晶體管(U
2025-04-29 04:53
【摘要】2022/8/311晶體管參數(shù)培訓(xùn)資料2022/8/312主要內(nèi)容一、芯片介紹:二、芯片制程簡(jiǎn)介:三、芯片參數(shù)介紹:四、晶體管參數(shù)詳解:2022/8/313一、芯片介紹:目前芯片主要有以下幾類(lèi):1.二極管芯片;2.三極管芯片;3.可控硅芯片;2022/8/314
2024-08-25 01:05
【摘要】任務(wù)11組裝晶體管收音機(jī)任務(wù)描述晶體管收音機(jī)屬于小家電產(chǎn)品中的音響視聽(tīng)設(shè)備,“麻雀雖小,五臟俱全”,它的組成電路幾乎包括了模擬電路的所有電路,主要有直流電源的退藕濾波;高頻電路的混頻、振蕩、變頻、選頻、耦合、負(fù)反饋、檢波及放大等;低頻電路的電壓放大、功率放大、耦合及負(fù)反饋等。本任務(wù)就是按照電子工藝的要求來(lái)設(shè)計(jì)和制作晶體管收音機(jī)。n
2025-02-06 01:14
【摘要】Tektronix572型晶體管特性圖示儀Tektronix572型晶體管特性圖示儀陰極射線(xiàn)管電源開(kāi)關(guān)集電極電源垂直部分顯示方式水平部分基極階梯信號(hào)測(cè)試臺(tái)部分集電極電源(COLLECTORSUPPLY)?極性選擇(POL/INV)按鈕:選擇集電極電壓正或負(fù)極性的。彈出為正,
2025-07-17 17:28
【摘要】?晶體管的熱學(xué)性質(zhì)?晶體管的二次擊穿和安全工作區(qū)?晶體管的開(kāi)關(guān)特性?高頻晶體管的設(shè)計(jì)考慮晶體管的熱學(xué)性質(zhì)?晶體管參數(shù)與溫度的關(guān)系?結(jié)溫與熱阻?熱穩(wěn)定性條件?器件版圖結(jié)構(gòu)?反向截止電流與溫度的關(guān)系212CBOCBOdIEgI
2024-10-18 16:06