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【正文】 壓氧化技術(shù)可以得到均勻性和重復性好的高質(zhì)量薄柵氧化層，高壓氧化則是主要用來制備厚的氧化層，如場氧化等。 ?高溫加大了原子的熱運動能量，可化解復雜的損傷 ,使 空位 間隙 原子產(chǎn)生復合進而缺陷消失；對于非晶形式的損傷，界面發(fā)生重新結(jié)晶，即由單晶區(qū)向非晶區(qū)通過固相外延再生長而使整個非晶區(qū)得到恢復。 ?可以對化合物半導體進行摻雜 離子注入系統(tǒng)的原理示意圖 離子注入到無定形靶中的高斯分布情況 MEMS工藝分類 ?光刻（ Lithography） ?刻蝕（ Etching） ?化學氣相沉積（ CVD） ?物理氣相沉積 (PVD) ?氧化 ?擴散與離子注入 ?退火 ?LIGA工藝 退火 ?機理 :注入技術(shù)摻雜的晶片，必須消除晶格損傷，并使注入的雜質(zhì)進入替代位置以實現(xiàn)電激活。氫與氧的化學反應(yīng)方程式為： 2H2 + O2 → 2H2O 除了以上幾種熱氧化法外，還有分壓氧化和高壓氧化等方法。 ３濕氧氧化：在該方法中，氧氣首先通過盛有９５ ℃ 左右去離子水的石英瓶，將水汽一起帶入氧化爐內(nèi)，再在高溫下與硅反應(yīng)。采用這種方法制備的氧化層結(jié)構(gòu)致密，均勻性和重復性好，對雜質(zhì)擴散的掩蔽能力強，鈍化效果好，與光刻膠的附著性好等優(yōu)點：它的缺點是氧化速率慢，氧化溫度高。 硅層表面勢或者表面能量：硅層的表面
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