選修3第三章第四節(jié)離子晶體3-wenkub
2022-12-16 02:29:05 本頁面
【正文】 就依次降低。但結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，有氫鍵存在熔、沸點較高。 離子所帶電荷大的熔點較高。 ? 了解晶格能的應(yīng)用，知道晶格能的大小可以衡量離子晶體中離子鍵的強弱 ? 能說出分子晶體與原子晶體、離子晶體、金屬晶體的結(jié)構(gòu)基元以及物理性質(zhì)方面的主要區(qū)別 溶解性 難溶解 相似相溶 難溶（ Na 等與水反應(yīng)） 易溶于極性溶劑 導(dǎo)電情況 不 導(dǎo)電 （除硅） 一般不導(dǎo)電 良導(dǎo)體 固體不導(dǎo)電，熔化或溶于水后導(dǎo)電 實例 金剛石、水晶、碳化硅等 干冰、冰、純硫酸、 H2(S) Na、 Mg、 Al 等 NaCl、 CaCO3 NaOH 等 2． 物質(zhì)熔沸點的比較 ⑴不同類晶體：一般情況下，原子晶體 離子晶體 分子晶體 ⑵同種類型晶體：構(gòu)成晶體質(zhì)點間的作用大，則熔沸點高，反之則小。 第四節(jié) 離子晶體 [學(xué)習(xí)目標(biāo) ] [知識梳理 ] 1．構(gòu)成離子晶體的粒子是 ，粒子之間的相互作用是 ，這些粒子在晶體中 (能或不能 )自由移動，所以離子晶體 (能或不能 )導(dǎo)電． 2. 離子晶體 中的配位數(shù)是指 ___________________________________________________. 離子晶體 結(jié)構(gòu)的重要因素 .此外 , 離子晶體 的結(jié)構(gòu)還取決于 ____________________________. 4. 離子晶體 的晶格能的定義是 的晶格能是最能反映 _____________________的數(shù)據(jù) . 5. 晶格能越大 ,形成的 離子晶體 _________________________,而且熔點 _______________,硬度，晶格能的大小與離子所帶的電荷和離子半徑的關(guān)系一般 是：離子電荷高，晶格能 ，離子半徑大，晶格能 。 四種晶體熔、沸點對比規(guī)律 ① 離子晶體：結(jié)構(gòu)相似且化學(xué)式中各離子個數(shù)比相同的離子晶體中，離子半徑小 (或陰、陽離子半徑之和越小的 )，鍵能越強的熔、沸點 就越高。如： MgO 熔點高于 NaCl ② 分子晶體：在組成結(jié)構(gòu)均相似的分子晶體中，式量大的分子間作用力就大熔點也高。 ③ 原子晶體：在原子晶體中，只要成鍵原子半徑小，鍵能大的，熔點就高。而在同一主族中，金屬原子半徑越小的，其熔沸點越高。 物 質(zhì) NaF NaCl NaBr NaI NaCl KCl RbCl CsCl 熔點（℃） 995 801 755 651 801 776 715 646 物 質(zhì) SiF4 SiCl4 SiBr4 SiI4 SiCl4 GeCl4 SbCl4 PbCl4 熔點（℃） 120 15 (1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點與鹵離子及堿金屬離子的 __ 有關(guān) ,隨著 增大 ,熔點依次降低 . (2)硅的鹵化物及硅、鍺、錫、鉛的氯化物熔點與 有關(guān) ,隨著 增大 , 增強，熔點依次升 高 . (3)鈉的鹵化物的熔點比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點高得多 ,這與 有關(guān) ,因為一般 比 熔點高 . 解析：本題主要考查物質(zhì)溶沸點的高 低與晶體類型和晶體內(nèi)部微粒之間作用力的關(guān)系以及分析數(shù)據(jù)進行推理的能力。又從堿金屬的氯化物進行比較：堿金屬陽離子半徑是 r（ Na+） r(K+)r(Rb+)r(Cs+)，說明熔點隨堿金屬陽離子半徑的增大而減小。 答案：第一問 半徑，半徑 第二問：相對分子質(zhì)量，相對分子質(zhì)量，分子間作用力。 （ 2）天然和絕大部分人工制備的晶體都存在各種缺陷，例如在某氧化鎳晶體中就存在如圖所示的缺陷：一個 Ni2+空缺，另有兩個 Ni2+被兩個 Ni3+所取代。 12= 1023（個），又因一個此結(jié)構(gòu)的體積為（ a 108cm） 3, 所以 1mol NiO 的體積為 1023（ a 108cm） 3 ,NiO 的摩爾質(zhì)量為 ,所以NiO 晶體的密度為 8 3 ( 10 )aa?? ?? ????? ? ? ?? ? ? （ g/cm3）
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