機電傳動控制】第十章電力電子技術-wenkub
2023-03-28 16:33:39 本頁面
【正文】 管時還要考慮留有足夠的余量 ， 一般： 晶閘管的 UDRM 應等于所承受的正向電壓的 （ 2~3） 倍 。 URSM稱為 反向不重復峰值電壓 ， 或用 UBR表示稱 反向擊穿電壓 。 UDSM稱為 斷態(tài)不重復峰值電壓 ，或用 UBO表示稱 正向轉(zhuǎn)折電壓 。 晶閘管的 PN結(jié)可通過幾十安 ~幾千安的電流 ， 因此 ， 它是一種大功率的半導體器件 ， 由于晶閘管導通時 ， 相當于兩只三極管飽和導通 ，因此 ， 陽極與陰極間的管壓降為 1V左右 ， 而電源電壓幾乎全部分配在負載電阻上 。 一、晶閘管的結(jié)構(gòu)和符號 晶閘管的外形和結(jié)構(gòu)圖分別如圖所示 ： 其中： A— 陽極 ， K— 陰極 ， G— 控制極 。 缺點： (1) 過載能力弱 ， 在過電流 、 過電壓情況下很容易損杯 ， 要保證其可靠工作 ， 在控制電路中要采取保護措施 ， 在選用時 ， 其電壓 、 電流應適當留有余量； (2) 抗干擾能力差 ， 易受沖擊電壓的影響 ， 當外界干擾較強時 ， 容易產(chǎn)生誤動作； (3) 導致電網(wǎng)電壓波形畸變 ， 高次諧波分量增加 ， 干擾周圍的電氣設備； (4) 控制電路比較復雜 ， 對維修人員的技術水平要求高 。 174。 前 言 電力電子學的任務： 利用電力半導體器件和線路來實現(xiàn)電功率的變換和控制。 電力半導體器件 弱電 強電 238。 174。 在實踐中 ， 應該充分發(fā)揮晶閘管有利的一面 ， 同時采取必要措施消除其不利的一面 。 表示符號 4層半導體 (P N PN2)， 3個 PN結(jié) 結(jié)構(gòu)示意圖 二、晶閘管的工作原理 實驗電路如圖 （ a） 所示 ， 主電路加上交流電壓 ~u2， 控制極電路接入 Eg， 在 t1 瞬間合上開關 S， 在 t4 瞬間拉開開關 S， 則 u ug和電阻上RL的電壓 ud的波形關系如圖 （ b） 所示 。 三、晶閘管的伏安特性 晶閘管陽極對陰極的電壓和流過晶閘管的電流之間的關系稱為晶閘管的伏安特性。 正向?qū)顟B(tài) ： ug0， uAK 0，晶閘管導通 ， 其電流的大小由負載決定 ，陽極和陰極間的管壓降很小 。 四、晶閘管的主要參數(shù) 為了正確選用晶閘管元件 ， 必須要了解它的主要參數(shù) ， 一般在產(chǎn)品目錄上給出了參數(shù)的平均值或極限值 ， 產(chǎn)品合格證上標有元件的實測數(shù)據(jù) 。 3. 額定通態(tài)平均電流（額定電流） IT 在環(huán)境溫度不大于 40度的標準散熱及全導通的條件下，晶閘管元件可以連續(xù)通過的工頻正弦半波電流（在一個周期內(nèi)）平均值，稱為額定通態(tài)平均電流，簡稱為額定電流。 對單相半波可控整流電路： ?~0 0? ??? ??α 的范圍 θ 的范圍 21450 2 ?cosRU.RUI dd??? ? ??? ?????? 2145022122cosU.)t(tdsinUUd
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