模擬電子技術第3章場效應管及其模擬電路-wenkub
2023-01-21 09:24:06 本頁面
【正文】 數(shù)據，可得到 iD與 vDS間的關系曲線如圖 32(b)所示。我們把 iD等于零時的柵 — 源電壓 vGS值稱為 夾斷電壓 ，記做 vGS,off。 圖 32(c) N溝道 JFET的輸出特性 恒 流區(qū) 可變電阻區(qū) 截止 區(qū) 擊 穿 區(qū) ID 3. 各個區(qū)的基本特征 圖 32(c) N溝道 JFET的輸出特性 ① 恒流區(qū)： vGS在一定范圍內（ N溝道 JFET， VGS,offvGS0）， vGS對 iD有很強的控制作用，而 vDS對 iD的影響很小。在可變電阻區(qū)， D、 S之間相當于一個壓控電阻。 ID N溝道結型場效應管的轉移特性曲線 轉移特性是指 vDS一定時， iD隨 vGS的變化規(guī)律，即 iD=f(vGS)|vDS=常數(shù) 如何由輸出特性曲線畫出轉移特性曲線 選 vDS=常數(shù)（如 10V），在輸出特性（圖 33a）的恒流區(qū)做垂直線，可得一組 vGS和 iD值，畫出轉移特性曲線如圖 33(b)所示。 vGS,off為夾斷電壓。 按工作方式又可以分為： 1) 增強型管。 JFET為耗盡型場效應管 。箭頭方向，表示PN結正偏時電流從 B流入，說明襯底相連的是 P區(qū)，表明是 N溝道 MOSFET。此時，若 D、 S之間加電壓，將會產生漏極電流 iD（源極電流 iS=iD）。 圖 35 增強型 NMOS的工作原理 ENMOSFET的特性曲線 ENMOSFET的輸出特性曲線 ENMOSFET的輸出特性曲線與 NJFET輸出特性曲線的主要 區(qū)別 在于： ① ENMOSFET的控制電壓 vGS為正，而 NJFET的控制電壓 vGS為負； ② 對 ENMOSFET而言，當 vGSVGS,th（開啟電壓），產生感生溝道后才能對 iD有控制作用， vGS的下限值為開啟電壓 VGS,th，無上限的嚴格限制，沒有漏極飽和電流 IDSS，對 NJFET而言， vGS的上限值為 0，下限值為夾斷電壓 VGS,off，有漏極飽和電流 IDSS。 (2) 轉移特性公式 當 vGS≥vGS,th時， iD與 vGS的關系也是二次函數(shù)，即 式中， K為溝道系數(shù)，單位為 mA/V2或 μA/V2。耗盡型有初始導電溝道，即 vGS=0V時，已有初始導電溝道的存在；增強型沒有初始導電溝道。 DNMOSFET的輸出特性曲線 因為 DNMOSFET的 vGS=0時，有初始溝道，所以 vGS可以為正（感生溝道加寬，iD增大），也可以為負（感生溝道變窄， iD減小）。 DNMOSFET的轉移特性公式在形式上與 JFET的轉移公式相同，即 式 (33) 式中， VGS,off、 IDSS的意義與 NJFET相同。 圖 37 DNMOSFET的輸出特性曲線 輸出特性 轉移特性 N— JEFT E— NMOS D— NMOS iD0 vDS0 vGS0 VGS,off0 IDSS0 iD0 vDS0 vGS0 VGS,th0 IDSS0 iD0 vDS0 vGS=0 VGS,off0 IDSS0 P溝道 JEFT E— MOS D—
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1