場(chǎng)效應(yīng)管放大電路ppt課件-wenkub
2023-01-29 13:09:19 本頁(yè)面
【正文】 on s t .GSD DS)( ?? vvfi21 )(TGSDOD ?? VIiv P溝道 MOSFET N增強(qiáng)型 N耗盡型 MOSFET放大電路 MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算 2. 圖解分析 3. 小信號(hào)模型分析 * 帶 PMOS負(fù)載的 NMOS放大電路 MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算 （ 1）簡(jiǎn)單的共源極放大電路 （ N溝道） 共源極放大電路 直流通路 MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算 （ 1）簡(jiǎn)單的共源極放大電路 （ N溝道） DDg2g1g2GS VRRRV??2)( TGSnD VVKI ??dDDDDS RIVV ??假設(shè)工作在飽和區(qū) ， 即 )(TGSDS VVV ??驗(yàn)證是否滿足 )(TGSDS VVV ??如果不滿足 ， 則說(shuō)明假設(shè)錯(cuò)誤 須滿足 VGS VT ， 否則工作在截止區(qū) 再假設(shè)工作在可變電阻區(qū) )( TGSDS VVV ??即 dDDDDS RIVV ??DSTGSnD )( vv VKI ?? 2假設(shè)工作在飽和區(qū) 滿足 )(TGSDS VVV ??假設(shè)成立 ， 結(jié)果即為所求 。 ，?? k 1ber例題 ?gsm1Vg ??iV? ?gsV? 2gsm1 RVg ??bI? bI?? bI????oV? cgsm1cb RVgRIβ ?? ????MVA?2m1cm11 RgRg????gi RR ?co RR ??? M 5則電壓增益為 sgi RRR ????ioVV??由于 則 ?? k 20sosM VVAV ??? ?iosiVVVV???? ??Misi VARRR ???? 2 8M ??? VA?end 根據(jù)電路有 。 VDD=5V， VT=1V， MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算 （ 2）帶源極電阻的 NMOS共源極放大電路 2)( TGSnD VVKI ??飽和區(qū) 需要驗(yàn)證是否滿足
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