模擬電子技術(shù)第3章場效應(yīng)管及其模擬電路(文件)
【正文】 MOS N溝道 P溝道 JEFT E— MOS D— MOS N溝道 ? ? 2D G S G S,t hi K v V??2GSD D SSG S,of f1 viI V??????轉(zhuǎn)移特性方程 FET的主要參數(shù) 1. 耗盡型 FET的主要直流參數(shù)（包括 JFET） VGS,off、 IDSS ① 漏極飽和電流 IDSS：柵 — 源短路時(shí)（即 vGS=0V）時(shí)的漏極飽和電流。 2. 增強(qiáng)型 MOSFET的主要直流參數(shù) ① 開啟電壓 VGS,th：當(dāng) |vGS||VGS,th|時(shí)，感生溝道產(chǎn)生，開始有漏極電流 iD。 3. 直流輸入電阻 RGS。 ② 漏 — 源擊穿電壓 VBR,DSO：柵極開路時(shí)，值，即 PDM=(iDvDS)max=常數(shù)。 圖 310 FET的直流偏置電路 (a) (b) (c) 圖 310(a)給出了 N溝道自給偏壓式偏置電路。 ∵ 源極電位 VS=ISRS=IDRS g s d ∵ 柵極電流很小 ∴ 柵極電位 VG=0 ∵ VGS=VGVS=0IDRS=IDRS N溝道 P溝 道 VDD0 VGS0 VDD0 VGS0 分壓式偏置電路可以由 RG1和 RG2分壓設(shè)置柵極直流電位。 (37) (a) g s d FET直流工作點(diǎn)的解法 G SQ D Q SV I R?? ? ?D SQ D D D Q D SV V I R R? ? ?(38) (39) (310) 根據(jù)耗盡型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性公式有 2GSD D SSG S,of f1 viI v????????(31) (33) ∴ 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH 。對 N溝道耗盡型 MOS管， VGS可正、可負(fù)，也可以為零，因此分壓式偏置電路適用于所有 FET。須指出，自給偏壓式偏置電路只適用于耗盡型 FET，即有初始導(dǎo)電溝的 FET。 ③ 漏極最大功耗 PDM：場效應(yīng)管所能允許的漏源電壓與漏極電流乘積的最大 極限參數(shù) . 1 FET的直流偏置電路 FET的直流偏置電路是設(shè)置 FET直流工作點(diǎn)直流電路。 直流參數(shù) ① 柵 — 源擊穿電壓 VBR,GSO：漏極開路時(shí)，柵極與源極之間的擊穿電壓。當(dāng) vGS=2VGS,th時(shí)的漏極電流iD用 ID2表示。 ② 夾斷電壓 VGS,off：當(dāng)柵源電壓 vGS等于夾斷電壓時(shí)，漏極（或源級）電流減小到近似等于零。 同樣，式 (33)對 DNMOSFET和 DPMOSFET都適用。 圖 37 DNMOSFET的輸出特性曲線 DNMOSFET的轉(zhuǎn)移特性 如圖 37所示，可由輸出特性曲線畫出轉(zhuǎn)移特性。增強(qiáng)型則有開啟電壓 VGS,th。由圖 36(b)可以看出
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