ht7托卡馬克歐姆放電時的電子熱輸運分析-wenkub
2023-01-17 19:29:35 本頁面
【正文】 用 ECRHBalance)調(diào)制輸運分析 （ Modulated ?i引言引言 要想達到點火條件必須滿足：過去的 30年三乘積 neTeτE輻射損失對聚變的影響人們近似地給出總體能量約束時間 ?E? 壁處理前后 ?e的行為，以及與理論模型的比較。HT7托卡馬克歐姆放電時的電托卡馬克歐姆放電時的電子熱輸運分析子熱輸運分析博士研究生：張 梅博士導師：萬 年主主 要要 內(nèi)內(nèi) 容容一、引言 三、 HT7裝置上自舉電流的研究四、總結(jié)和展望一、引言一、引言 與 ?e輻射損失是電子能量平衡方程中一個重要組成部分。的變化情況。（（ 2）－研究熱輸運的方法）－研究熱輸運的方法? 分析全局量 ?E、內(nèi)能 W 定標；? 從實驗角度分析局部輸運系數(shù) D， ?e,Transport)產(chǎn)生局部能量擾動3. 彈丸注入來調(diào)制溫度?epb、 ?ehp比較比較 /3(ECRH)(ECRH)FTU(ST)24SUPERW7AS等離子體邊界漲落被抑制，中心的相關長度減小。磁場漲落降低，密度漲落沒有變化。?i和 ??降低， ?e?i和 DeH=磁場漲落降低高 li模 [94] H～ 3，有的 H等離子體中心漲落被抑制。 ? PoH :熱對流損失? Pei :電子和離子碰撞頻率(1)(2)(3)(4)(5)能量平衡分析所需的實驗診斷能量平衡分析所需的實驗診斷? Te由 4道韌致輻射測量；? Ip歐姆功率的計算歐姆功率的計算Zeff取常數(shù)。Bt? 隨放電電流的變化(o硅化后的值，*硼化后的值。? 我們用雜質(zhì)輸運程序擬合實驗測量的雜質(zhì)離子體發(fā)射系數(shù)。oZeffa處約為 25％。?e的分布及誤差分析（的分布及誤差分析（ 3））硅化硅化 前后前后 ?e行為的比較行為的比較硅化后 ,?e的增大而降低的增大而降低Bt=)?e隨隨 定標 和和 反常輸運目前提出的主要原因及模型反常輸運目前提出的主要原因及模型漂移波不穩(wěn)定性電磁漂移波模型一般地，當 時電磁漂移波比較重要起來；如 Horton磁擾動引起的不穩(wěn)定性比較大的徑向磁擾動使磁場結(jié)構的破壞，引起比較大的橫向輸運；模式主要有：微撕裂模、電阻性壓強梯度模 (氣球模 )~在邊界比較符合 ~硅化后硅化后 ?e與理論模型的比較與理論模型的比較在等離子體中心 區(qū)域內(nèi)均比較符合 Horton電磁漂移波模型。三、三、 HT－－ 7HT7裝置硅化后自舉電流的研究JET裝置上的測量電流與束驅(qū)動電流的比較。 Shot(0)IpkAIbs/Ip*29518 317 %*29468 300 %*33997 350 %34267 350 %34281 280 %34278 400 %34349 300 112 %34417 500 %34363 440 %30988 500 %前三炮為硅化前的放電，后面的均為幾次硅化后的放電。(ms)?NekAIneo結(jié)（結(jié)（ 1）－能量平衡分析）－能量平衡分析 4. ?e值 沿小半徑逐漸增大。6.8.1. 自舉電流分布形狀來看：硅化和硼化后，等離子體參數(shù)分布在中心變寬，靠近邊界的壓力梯度變大，自舉電流的分布峰值靠近邊界?？偨Y(jié)總結(jié) 自舉電流成分與等離子體壓強梯度關系密切，梯度越大，自舉電流成分越大。 希望更多的科研工作者加入輸運研究的隊伍來推動輸運研究的發(fā)展、推動我們核聚變事業(yè)的發(fā)展！ 16,ZhangPlasma2,etTCM/AFERST,(2023
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