干法腐蝕工藝培訓(xùn)講義全-wenkub
2023-07-12 06:24:56 本頁面
【正文】 . ..學(xué)習(xí)好幫手干法腐蝕工藝培訓(xùn)講義目 錄第一章 基本概念第二章 干法腐蝕基本原理第三章 常用材料的等離子體腐蝕原理與工藝第四章 在線干法腐蝕設(shè)備結(jié)構(gòu)/原理簡介第五章 干法腐蝕工藝中的終點(diǎn)檢測第六章 干法去膠第七章 在線腐蝕工藝中常見異常及處理方法第一章 基本概念1． WHAT IS ETCHED？.. . . ..學(xué)習(xí)好幫手A process for removing material in a specified area through chemical reaction and/or physical bombardment.2. WHAT WE ETCHED?1) Dielectric (oxide,nitride,etc.)2) Silicide (polysilicon and silicide)3) Silicon(single crystal silicon)4) Metal()3. WHAT IS ETCH RATE? 腐蝕速率是指所定義的膜被去除的速率，單位通常用UM/MIN，A/MIN 來表示。7．ANISOTROPY各向異性 腐蝕速率在縱向和橫向上不一樣。根據(jù)設(shè)備腔體結(jié)構(gòu)的不同，可分為：①圓筒型等離子腐蝕②平行板等離子腐蝕③平行板反應(yīng)離子腐蝕④反應(yīng)離子束腐蝕⑤離子束銑腐蝕等。當(dāng)電子獲得足夠的能量后與氣體分子發(fā)生碰撞，使氣體分子電離發(fā)出二次電子，二次電子進(jìn)一步與氣體分子發(fā)生碰撞電離，產(chǎn)生更多的電子和離子。等離子腐蝕設(shè)備可以分為筒式和平板式兩種。平行平板等離子腐蝕裝置的壓力為13~133Pa； 反應(yīng)離子腐蝕的壓力為 ~13Pa，因此，到達(dá)陰極的正離子具有更大的能量與更強(qiáng)的指向陰極的方向性，因而能獲得各向異性腐蝕。STEP4：發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。在 CF4中加入少量 H2 可以使 CFx：F* 的濃度比增加，從而使 SiO2：Si 及Si3N4：Si 的腐蝕速率比增大。AL 腐蝕反應(yīng)腔必須設(shè)計的能防止水氣的侵入，因為腐蝕產(chǎn)物 ALCL3 具有準(zhǔn)揮發(fā)性和吸水性，揮發(fā)不良的 ALCL3 可沉積在反應(yīng)腔壁上，當(dāng)腔壁暴露在大氣中時，ALCL3 就吸收大量的水分，再次進(jìn)行腐蝕時，吸收的水分就揮發(fā)并影響腐蝕過程。對于 AL 腐蝕以后的去膠工藝時間間隔要求也很嚴(yán)，一般要求不超過2 小時?？缀屯锥家笥辛己玫?AL 臺階覆蓋?？涛g和去膠在同一腔體，可以有效的消除 AL 的后腐蝕。POLY ETCH PROCESS：STEP1BREAKTHROUGH STEP（OPTIONAL） STEP2MAIN ETCH STEP （OPTICAL EMISSION ENDPOINT） STEP3OVER ETCH STEP POLY 腐蝕工藝中需注意的是：1． POSTETCH SIDEWALL2． STRINGERS3． MICROLOADING4． UNIFORMITY.. . . ..學(xué)習(xí)好幫手5． PROFILE/CD CONTROL6． SELECTIVITY TO OXIDE7． POLYSi：PR SELECTIVITY CF4 主要用于 STEP1 ，以去除 POLY 表面的一層自然氧化層，有時在POLY 光刻之前如有一步 HF DIP，STEP1 可以不做。采用終點(diǎn)控制可以較精確的控制腐蝕時間，屏蔽因為腐蝕速率的差異造成的時間誤差，充分實現(xiàn)腐蝕設(shè)備的自動化。其物理理論是每一種物質(zhì)受到能量激發(fā)，都會發(fā)出其特定的波長。去膠的基本原則是（1） 去膠后硅片表面無殘膠、殘跡；（2） 去膠工藝可靠，不損傷下層的襯底表面（3） 操作安全，簡便（4） 無公害及生產(chǎn)成本低。去膠使用氣體主要為
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