半導(dǎo)體物理究極版-wenkub
2023-06-22 16:48:22 本頁面
【正文】 弱電離：②低溫下，施主濃度ND遠比受主濃度NA大：③飽和區(qū)；溫度升高到ED大于EF，且滿足EDEFK0T時，施主雜質(zhì)完全電離：（2） 施主雜質(zhì)的p型半導(dǎo)體①低溫下弱電離：②飽和區(qū)；受主雜質(zhì)完全電離：167。費米能級位置較高，說明有較多的能量較高的量子態(tài)上有電子。定義式：；導(dǎo)帶底附近的狀態(tài)密度：；價帶頂附近的狀態(tài)密度：167?？昭⊕昝撌苤麟s質(zhì)束縛的過程稱為受主電離。硅和鍺是間接帶隙半導(dǎo)體167。 半導(dǎo)體中電子的運動 有效質(zhì)量導(dǎo)帶底和價帶頂附近的E(k)~k關(guān)系：；半導(dǎo)體中電子的平均速度：；有效質(zhì)量的公式：。 鍺和硅的晶體結(jié)構(gòu)特征 金剛石結(jié)構(gòu)的基本特征（重點）167。 半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶電子共有化運動概念：原子組成晶體后，由于電子殼層的交疊，電子不再完全局限在某一個原子上，可以由一個原子轉(zhuǎn)移到相鄰的原子上去，因而，電子將可以在整個晶體中運動，這種運動稱為電子的共有化運動。窄帶、寬帶與有效質(zhì)量大小關(guān)系：窄大寬小167。 硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級施主雜質(zhì)：V族雜質(zhì)在硅、鍺中電離時，能夠釋放電子而產(chǎn)生導(dǎo)電電子并形成正電中心，稱它們?yōu)槭┲麟s質(zhì)或n型雜質(zhì)。雜質(zhì)的電離能：施主雜質(zhì)電離能，受主雜質(zhì)電離能雜質(zhì)的補償作用（重點）：第三章 半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計分布非簡并熱平衡載流子概念和性質(zhì)：通常把服從玻爾茲曼統(tǒng)計律的電子系統(tǒng)稱為非簡并系統(tǒng)，而服從費米統(tǒng)計律的電子系統(tǒng)稱為簡并系統(tǒng)。 費米能級和載流子的濃度統(tǒng)計分布費米分布函數(shù)：；費米能級的意義：它和溫度、半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類型、雜質(zhì)的含量以及能量零點的選取有關(guān)。 玻爾茲曼分布函數(shù)：；載流子濃度表達式：（重點） ， 導(dǎo)帶底有效狀態(tài)密度 ， 價帶頂有效狀態(tài)密度載流子濃度的乘積的適用范圍：熱平衡狀態(tài)下的非簡并半導(dǎo)體167。. 簡并半導(dǎo)體重摻雜及簡并半導(dǎo)體概念：重摻雜，雜質(zhì)摻雜水平很高；簡并半導(dǎo)體，發(fā)生載流子簡并化的半導(dǎo)體。 載流子的漂移運動 遷移率歐姆定律的微分形式：；漂移速度；遷移率，單位 ；不同類型半導(dǎo)體電導(dǎo)率公式： 對p型半導(dǎo)體，pn，；對本征半導(dǎo)體，n=p=ni，167。 電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系（重點）各種半導(dǎo)體的電阻率公式：；（摻雜、溫度及光照均有影響）n型半導(dǎo)體，p型半導(dǎo)體，本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體的電阻率與帶隙寬度關(guān)系：材料的帶隙寬度越大，同一溫度下的本征載流子濃度就越低，本征半導(dǎo)體的電阻率就越高。 非平衡載流子的注入與復(fù)合非平衡態(tài)，非平衡載流子或過剩載流子：對半導(dǎo)體施加外界作用，破壞了熱平衡的條件，這就迫使它處于與熱平衡狀態(tài)相偏離的狀態(tài)，稱為非平衡狀態(tài)。復(fù)合幾率：表示單位時間內(nèi)非平衡載流子的復(fù)合幾率，；復(fù)合率：單位時間、單位體積內(nèi)凈復(fù)合消失的電子空穴對數(shù)。2）EFn和EFp偏離EF的程度不同(重點)如ntype半導(dǎo)體n0p0。3）反映了半導(dǎo)體偏離熱平衡態(tài)的程度。. 復(fù)合理論非平衡載流子復(fù)合的分類以
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