半導體二極管及整流電路-wenkub
2023-02-02 17:25:17 本頁面
【正文】 下自由電子和空穴的形成 成對出現(xiàn) 成對消失 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 外電場方向 空穴導電的實質是共價鍵中的束縛電子依次填補空穴形成電流。 往純凈的半導體中摻入某些雜質，會使它的導電能力明顯改變。 有的物質幾乎不導電，稱為 絕緣體 ，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 另有一類物質的導電特性處于導體和絕緣體之間，稱為 半導體 ，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。 在熱力學溫度零度 和沒有外界激發(fā)時 , 本征半導體不導電。故半導體中有電子和空穴兩 種載流子。 的濃度。 +4 +4 硼原子 填補空位 +3負離子 P 型半導體結構示意圖 電子是少數(shù)載流子 負離子 空穴是多數(shù)載流子 ，其中大部分是摻雜提供的電子，本征半導體中受激產(chǎn)生的電子只占少數(shù)。 結論 P 區(qū) N 區(qū) 1. PN 結的形成 用專門的制造工藝在同一塊半導體單晶上 ,形成 P型半導體區(qū)域 和 N型半導體區(qū)域 ,在這兩個區(qū)域的交界處就形成了一個 PN 結。（擴散運動為多子形成的運動） 少子 數(shù)量有限，因此由它們形成的電流很小。 反向擊穿電壓 U(BR) 小結： （ 1）二極管正向電壓很 小時，有死區(qū)。 （ 4）反向電壓加大到一 定程度二極管反向 擊穿。手冊上給出的最高反向工作電壓 URM一般是UBR的一半。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流要大幾十到幾百倍。 其中： US=5V， R=1K? 解：所示電路中二極管處于導通狀態(tài)， 因此： mARUI S 1 ?????+ US R I 二極管為電流控制型元件， R是限流電阻。 第二節(jié) 整流電路 一、單相半波整流電路 1. 電路組成 uo ? t o ? t o ? t o ? t o ? 2? 3? uo u2 u2 u1 uD io io RL T ? 2? 3? 2 U2 2 U2 2 U2 Im ? ? 2? 2? 3? 3? uD 2. 工作原理 VD u2正 半周 負 t?uo 輸出電壓平均值（ U0）： 輸出電壓波形： ? ?? ? ?????? 2022oo U2tdu21U3. 電路計算 uo u2 u1 io RL T uD VD uO ? t 0 ? t ? t ? t ? 2? 3? uO u2 u2 u1 uD uD iO iO VD RL T ? 2? 3? 2 U2 2 U2 2 U2 Im ? ? 2? 2? 3? 3? UO= , IO= UO RL = RL ID= IO , UDRM= 2 U2 U2= UO I2= Im 2 , I2= IO , ? IO=Im ? 0 0 0 ? Im= 2 U2 RL ?? 22 1 oiTIVD1和 VD3導通 ,VD2和 VD4截止 (相當于開路 ) 第 8章 u2 T u1 RL uo io 2. 整流工作原理 + – — u2正半周 二、 橋式整流電路 1. 橋式整流工作的組成 由變壓器 T 和二極管 V D1?VD4 及負載 RL 組成。 具體分析： u1 u2 u1 b D4 D2 D1 D3 RL S C u2 t u0 t 忽略整流
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