半導(dǎo)體物理復(fù)習(xí)思考題-wenkub
2023-06-22 17:25:39 本頁(yè)面
【正文】 AB段溫度很低，本征激發(fā)可以忽略，載流子主要由雜質(zhì)電離提供，它隨溫度升高而增加，散射主要由電離雜質(zhì)決定，遷移率隨溫度升高而增大，所以，電阻率隨溫度升高而降低。答：Ⅴ族雜質(zhì)在硅、鍺中電離時(shí)，能夠釋放電子而產(chǎn)生導(dǎo)電電子，并形成正電中心，稱它們?yōu)槭┲麟s質(zhì)。3. 簡(jiǎn)并半導(dǎo)體及簡(jiǎn)并化條件答：當(dāng)雜質(zhì)濃度超過(guò)一定數(shù)量后，載流子開(kāi)始簡(jiǎn)并化的現(xiàn)象稱為重?fù)诫s，這種半導(dǎo)體即稱為簡(jiǎn)并半導(dǎo)體。1. 電子的共有化運(yùn)動(dòng)答：原子組成晶體后，由于原子殼層的交疊，電子不再完全局限在某一個(gè)原子上，可以由一個(gè)原子轉(zhuǎn)移到相鄰的原子上去。也可從能帶的角度理解簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，即費(fèi)米能級(jí)EF進(jìn)入價(jià)帶頂或者導(dǎo)帶低的半導(dǎo)體進(jìn)入了簡(jiǎn)并化。電子脫離雜質(zhì)原子的束縛成為導(dǎo)電電子的過(guò)程稱為雜質(zhì)電離。BC段溫度繼續(xù)升高，雜質(zhì)已經(jīng)全部電離，本征激發(fā)還不十分明顯，載流子基本上不隨溫度變化，晶格震動(dòng)散射上升為主要矛盾，遷移率隨溫度升高而降低，所以，電阻率隨溫度升高而增大。答：小注入時(shí)，顯然有，且，因而比EF更靠近導(dǎo)帶，但偏離EF很小。通過(guò)pn結(jié)的總電流就是通過(guò)邊界的電子擴(kuò)散電流與通過(guò)邊界的空穴擴(kuò)散電流之和。，并標(biāo)明勢(shì)壘區(qū)中載流子的漂移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的方向
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