半導體二極管及其基本電路-wenkub
2022-11-03 12:48:03 本頁面
【正文】 雜質半導體 本征 (intrinsic)半導體 —— 純凈無摻雜的半導體 。 2 摻雜后 N 型半導體中的 自由電子濃度 : n=5 1016/cm3 第二節(jié) 典型數據如下 : PN結 形成 實質 電容效應 單向導電性 圖 PN結的形成過程 形成 兩種載流子的 兩種運動 動態(tài)平衡時 形成 PN結 兩種運動： 擴散（濃度差） 漂移（電場力） 漂移和擴散 ? 電子或空穴在電場的作用下定向移動稱為漂移 如圖（ A）所示。 . . 空穴 。 偏置 (bias) (1) 勢壘電容 CB（ Barrier) 勢壘電容是由 空間電荷區(qū) 的離子薄層形成 電容效應 表現(xiàn)為： 勢壘電容 CB（ barrier) 擴散電容 CD (diffusion) 圖 擴散電容示意圖 第三節(jié) (2) 擴散電容 CD(Diffusion) 當外加正向電壓不同時，擴散電流即 外電路電流的大小也 就不同。 類型： 點接觸型、面接觸型 和 平面型 (1) 點接觸型 — (a)點接觸型 一、結構類型 PN結面積小，結電容小， 用于檢波和變頻等高頻電路 (c)平面型 (3) 平面型 — (2) 面接觸型 — (b)面接觸型 二、符號 舊符號 新符號 陽極 (Anode) 陰極 (Cathode) 標記 D1 D2 Diode PN結面積大，用 于工頻大電流整流電路 往往用于集成電路制造工藝中。一般手冊中給出的反向電壓是實際的一半。 硅 (nA)級；鍺 (?A)級 (5) rd —— 動態(tài)電阻 rd =?VF /?IF 二極管正向特性曲線斜率的倒數 (4)—— 極間電容 C： 正向擴散電容 CD：由于 PN結正向導電是通過電子和空穴擴散的結果。反向電壓愈高電容愈小 近似計算公式如下 ： D。 二極管是一種非線性器件，需應
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