【正文】 ）由于電源 E3電壓最高，則二極管 VD VD2 都有導通的趨勢。 題 圖 14 三 、 分析計算題 1．某 晶體管特性曲線 如 教科書中 圖 129所示。分別求出另一電極的電流（ 標出實際方向 ） ，并在圓圈中畫出 晶體管符號 。 A．前者反偏、后者也反偏 B． 前者正偏、后者反偏 C． 前者正偏、后者也正偏 9． 在晶體管的輸出特性曲線中，每一條曲線都與 B 對應。 A． 鍺 B． 硅 C．硅或 鍺 5． 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時，其內(nèi)部 PN 節(jié)處于 C 狀態(tài)。（ ⅹ ） 三 、 選擇題 1．半導體 中 傳導電流的載流子是 B 。 （ ⅹ ） 13． 晶體管的電流放大作用，其實質(zhì)就是用一個較小的電流控制一個較大的電流。 （ ⅹ ） 9．從 PN結(jié)的結(jié)面積大，通過的電流也越大。 （ ⅹ ） 5．在 P 型半導體中，空 穴 濃度大于 自由 電子濃度，所以它帶正電。 1．金屬都是導體，它們主要靠自由電子傳導電流。 21． 晶閘管是 的簡稱，又稱為 可控硅 。 17． 晶體管工作在放大狀態(tài)時，其 發(fā)射結(jié) 正偏， 集電 結(jié) 反偏，集電極電流 與 基極電流的關系為 IC=β IB 。 13． 晶體管有三個電極，分別叫 基 極，用 b 表示； 集電極 極，用 c 表示； 發(fā)射 極，用 e 表示。 10．穩(wěn)壓 二極管 由 硅 材料制成的，它工作 于 反向擊穿 狀態(tài)才呈現(xiàn)穩(wěn)壓特性。 7． PN 結(jié)又叫 特殊導電 層，它的主要特性是 單向?qū)щ? 性。 4．半導體中有兩種 運載電荷的粒子 自由電子 和 空穴 ，它們統(tǒng)稱 載流子 。1 目錄 習題 一 ???????????? 一、 填空題 ??????????? 二、判斷題 ??????????? 三 、 選擇題 ??????????? 四 、 問答題 ??????????? 五 、 分析計算題 ????????? 習題 二 ???????????? 一、 填空題 ??????????? 二、判斷題 ??????????? 三 、 選擇題 ??????????? 四 、 問答題 ??????????? 五 、 分析計算題 ????????? 習題 三 ??????????? 一、 填空題 ??????????? 二、判斷題 ??????????? 三 、 選擇題 ??????????? 四 、 問答題 ??????????? 五 、 思考題 ??????????? 六、 分析計算題 ????????? 習題 四 ??????????? 一、 填空題 ??????????? 二、判斷題 ??????????? 三 、 選擇題 ??????????? 四 、 問答題 ??????????? 五 、 思考題 ??????????? 習題 五 一、 填空題 ??????????? 二、判斷題 ??????????? 三 、 選擇題 ??????????? 四 、 計算題 ??????????? 習題 六 ???????????? 一、 填空題 ??????????? 二、判斷題 ??????????? 三 、 選擇題 ??????????? 四 、 判斷 題 ??????????? 五 、 分析 計算題 ?????????? 習題 七 ???????????? 一、 填空題 ??????????? 二、判斷題 ??????????? 三 、 選擇題 ??????????? 四 、 問答題 ??????????? 五 、 計算題 ??????????? 實驗一 ???????????? 實驗報告一 ??????????? 實驗二 ???????????? 實驗報告 二 ??????????? 實驗三 ?? ?????????? 實驗報告 三 ??????????? 實驗四 ???????????? 實驗報告 四 ??????????? 實驗五 ???????????? 實驗報告 五 ??????????? 實驗六 ???????????? 實驗報告 六 ??????????? 實驗七 ???????????? 實驗報告 七 ??????????? 實驗八 ???????????? 實驗報告 八 ??????????? 2 習題 一 一、 填空題 1．自然界的物質(zhì)按導電性可分為 絕緣體 、 導體 和 半導體 三類。 空 穴 的出現(xiàn)是 半導體稱 區(qū)別于 導體 的重要特征 。 8． 二極管 主要 由一個 PN 結(jié)構(gòu)成 。 12． 二極管 的主要參數(shù)有 正向額定工作電流 、 最高反向工作電壓 和 反向漏電流 等 。 14． 用數(shù)字萬用表二極管擋測 量 晶體管時，可以把它等效看成為共用 基 極的雙二極管。 18． 晶體管處于飽和狀態(tài)時，其發(fā)射結(jié) 正 偏，集電 結(jié) 反 偏，基極電流 與 集電極電流的關系為 ICβ IB 。 22． 晶閘管 有三種狀態(tài)，分別是 正向阻斷 、 正向?qū)? 、 反向阻斷 。 （ √ ） 2．半導體主要靠空 穴 導電。 （ ⅹ ） 6． 采用不同的摻雜工藝，將 N 型半導體和 P 型半導體制作在同一塊硅片上，在兩者交界面形成 PN 結(jié)。 （ √ ） 10．變?nèi)荻O管是點接觸型二極管。 （ √ ） 14．作為 晶體 管，對于每一個基極電流，都有一條輸出 特性曲線 與之對應 。 A． 電子 B． 電子和空穴 C．空穴 2．往本征半導體中加 A 元素可形成 N型半導體 。 A．正向?qū)? B． 反向截止 C． 反向擊穿 6． 用直流電壓表測得放大電路中某三極管各極電位分別是 2V、6V、 ，則三個電極分別是 C ，該管是 D 型。 A．輸 出 電壓 B． 基極電流 C． 基極電壓 10．工作于放大區(qū) 的 晶體管 ，若 IB從 12μA增大到 22μA時，IC 從 1mA變?yōu)?2mA，那么它的 β約為 B 。 5 a） b） 題 圖 12 8． 測得放大電路中六只晶體管的直流電位如題 圖 13所示。 （ 1） 試求 晶體管的直流放大系數(shù) β為多少 ？ （ 2） 試求與 1BI 、 2BI 、 3BI 分別對應的 1CI 、 2CI 、 3CI 分別為多少 ？ 解： （ 1） BI? = 2BI 1BI =（ 8040） μA=40μA CI? = 放大 放大 放大 截止 放大 燒壞 6 所以，有BCII???? = AmA? = （ 2） 1BI 、 2BI 、 3BI 分別對應的 1CI 、 2CI 、 3CI 分別為 1CI =β ? 1BI =? 40μA= 2CI =β ? 2BI =? 80μA= 3CI =β ? 3BI =? 120μA= 2． 寫出 題 圖 15 所示 電路的輸出電壓值，設二極管導通電壓VD＝ 。但是，電源 E2比電源 E1 電壓低，所以 VD2首先導通， 從而把輸出電壓鉗位于 3V， 于是 VD1截止。 題 圖 17 答： +， +5V， 5V， 。 （ 2） 保持 Rb不變，改變 Rc = ，通過 計算判斷晶體管的工作狀態(tài)？ 解： 保持 Rb不變 ，即 BI =20μA， CI =；若 Rc = ，則 VkmAVRIVV cCCCCE ??????? 計算 表明： 發(fā)射結(jié)正偏 、 集電 結(jié)也正偏， 晶體管 處于飽和狀態(tài)。 3． 單管共射放大電路 既 能 單 電源 供電，也可雙電源供電。 6． 在研究晶體管放大器時，為了描述問題的方便，常常需要對電路中各種參量（電壓和電流）進行約定； 比如 VB表示 的含意為 純直流量 、 ib 表示的含意為 純交流量 。 10． 放大 器的 交流 通路是指 交流信號經(jīng)過的路徑 。 13． 放大 器空載時，其工 作 點隨輸入信號沿 直流 負載線 運動； 放大 器 負載時，其工 作 點隨輸入信號沿 交流 負載線 運 動。 17． 采用 分壓式偏置 電路可穩(wěn)定 靜態(tài)工作點。 21．共基電極 放大 器 輸入、輸出信號相位 相同 ，其電壓放大 倍數(shù)與 共射電壓放大器 相同；輸入電阻 較小 ，輸出電阻 較大 。 25． 放大器 的 在 高 頻段 內(nèi) 放大倍數(shù)的下降 的主要原因是 結(jié) 電容和 電路分布 電容 及 負載電容的容抗變低，對信號的分流作用不可忽略 等造成的結(jié)果 。 （ ⅹ ） 3．電壓放大器是放大單一頻率的信號放大器 。 （ √ ） 7． 固定 偏置 共射 放大器 的缺點是 靜態(tài)工作點不 穩(wěn)定。 （ ⅹ ） 11 11． 只有電路既放大電壓，又放大電流，才稱其有放大作用 。 （ √ ） 15．因負載電阻 RL接在輸出回路，所以它是放大器輸出電阻的一部分。 （ ⅹ ） 19．放大器的頻率特性就是它的幅頻特性。 （ 1） 該電路的最大不失真電壓為 B 。 A． RP 減小 B． Rc減小 C． VG減小 題 圖 21 2． 共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為 B ，此時應該 E 偏置電阻。 A． RL=0 B． RL=∞ C． RL= Rc 12 四 、問答題 1． 電路 如 題 圖 22所示 。 （ 1） 若 Rb=400kΩ，晶體管 β=80，試求 IBQ、 ICQ和 VCEQ？ （ 2） 若 把 ICQ 調(diào)到 ， Rb應該調(diào)多大 ？ （ 3） 若 把 VCEQ調(diào)到 ， Rb應該調(diào)多大 ？ 解：（ 1） ?? kVIBQ 40012=30μA 于是 BQCQ II ?? =80? 30μA= 因此 VkmAVRIVV cCQGC E Q ??????? （ 2） 若 把 ICQ調(diào)到 ，則 BQI =ICQ/β=（ 3） 若 把 VCEQ調(diào)到 ，即 題 圖 23 13 CQI =cCEQG RVV ? = ??k V3 )( = 因此 ，有 BQI =ICQ/β=則 AVRb ?4012?=300KΩ 2． 放大電路如題 圖 23所示，已知： VG=12V， Rb=240kΩ，Rc=3kΩ， 忽略 VBEQ，試計算 （ 1） 若 β=40，試 求 IBQ、 ICQ和 VCEQ？ （ 2） 計算 輸入電阻 ir 、 輸 出 電阻 or 和 空載 電壓放大倍數(shù) vA （ *） 。 b．接通電路電源，左右緩慢地調(diào)節(jié)電位器，可觀察 直流電壓表的讀數(shù)會相應地變化； 當 電壓 達到期望值（約為 VG/2），調(diào)整過程結(jié)束。但是萬用表正表筆接 GV 端，負表筆接晶體管基極，這種連接情況下，集電結(jié)反偏截止，不影響測量結(jié)果。 6． 某同學做實驗時，在 題 圖 26a 中輸入 iv =50mV低頻交流信號， 揚聲器 （ 8Ω） 幾乎沒有發(fā)出聲響 。 解：由公式 eBQB E QbBQG RIVRIV )1( ????? 忽略 VBEQ，可得 ebGBQ RR VI )1( ???? Akk VRR V eb G ?? 12)1( ????????? 則 mAAIII BQEQCQ 0 0 ????? ?? 題 圖 26 題 圖 27 16 于是，有 eEQGCEQ RIVV ?? = VkmAV ???? 7． 電路如右 題 圖 28 所示，設 晶體管 β=200， VG=20V，