【正文】 ）由于電源 E3電壓最高，則二極管 VD VD2 都有導(dǎo)通的趨勢(shì)。 題 圖 14 三 、 分析計(jì)算題 1．某 晶體管特性曲線(xiàn) 如 教科書(shū)中 圖 129所示。分別求出另一電極的電流（ 標(biāo)出實(shí)際方向 ） ，并在圓圈中畫(huà)出 晶體管符號(hào) 。 A．前者反偏、后者也反偏 B． 前者正偏、后者反偏 C． 前者正偏、后者也正偏 9． 在晶體管的輸出特性曲線(xiàn)中，每一條曲線(xiàn)都與 B 對(duì)應(yīng)。 A． 鍺 B． 硅 C．硅或 鍺 5． 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時(shí)，其內(nèi)部 PN 節(jié)處于 C 狀態(tài)。（ ⅹ ） 三 、 選擇題 1．半導(dǎo)體 中 傳導(dǎo)電流的載流子是 B 。 （ ⅹ ） 13． 晶體管的電流放大作用，其實(shí)質(zhì)就是用一個(gè)較小的電流控制一個(gè)較大的電流。 （ ⅹ ） 9．從 PN結(jié)的結(jié)面積大，通過(guò)的電流也越大。 （ ⅹ ） 5．在 P 型半導(dǎo)體中，空 穴 濃度大于 自由 電子濃度，所以它帶正電。 1．金屬都是導(dǎo)體，它們主要靠自由電子傳導(dǎo)電流。 21． 晶閘管是 的簡(jiǎn)稱(chēng)，又稱(chēng)為 可控硅 。 17． 晶體管工作在放大狀態(tài)時(shí)，其 發(fā)射結(jié) 正偏， 集電 結(jié) 反偏，集電極電流 與 基極電流的關(guān)系為 IC=β IB 。 13． 晶體管有三個(gè)電極，分別叫 基 極，用 b 表示； 集電極 極，用 c 表示； 發(fā)射 極，用 e 表示。 10．穩(wěn)壓 二極管 由 硅 材料制成的，它工作 于 反向擊穿 狀態(tài)才呈現(xiàn)穩(wěn)壓特性。 7． PN 結(jié)又叫 特殊導(dǎo)電 層，它的主要特性是 單向?qū)щ? 性。 4．半導(dǎo)體中有兩種 運(yùn)載電荷的粒子 自由電子 和 空穴 ，它們統(tǒng)稱(chēng) 載流子 。1 目錄 習(xí)題 一 ???????????? 一、 填空題 ??????????? 二、判斷題 ??????????? 三 、 選擇題 ??????????? 四 、 問(wèn)答題 ??????????? 五 、 分析計(jì)算題 ????????? 習(xí)題 二 ???????????? 一、 填空題 ??????????? 二、判斷題 ??????????? 三 、 選擇題 ??????????? 四 、 問(wèn)答題 ??????????? 五 、 分析計(jì)算題 ????????? 習(xí)題 三 ??????????? 一、 填空題 ??????????? 二、判斷題 ??????????? 三 、 選擇題 ??????????? 四 、 問(wèn)答題 ??????????? 五 、 思考題 ??????????? 六、 分析計(jì)算題 ????????? 習(xí)題 四 ??????????? 一、 填空題 ??????????? 二、判斷題 ??????????? 三 、 選擇題 ??????????? 四 、 問(wèn)答題 ??????????? 五 、 思考題 ??????????? 習(xí)題 五 一、 填空題 ??????????? 二、判斷題 ??????????? 三 、 選擇題 ??????????? 四 、 計(jì)算題 ??????????? 習(xí)題 六 ???????????? 一、 填空題 ??????????? 二、判斷題 ??????????? 三 、 選擇題 ??????????? 四 、 判斷 題 ??????????? 五 、 分析 計(jì)算題 ?????????? 習(xí)題 七 ???????????? 一、 填空題 ??????????? 二、判斷題 ??????????? 三 、 選擇題 ??????????? 四 、 問(wèn)答題 ??????????? 五 、 計(jì)算題 ??????????? 實(shí)驗(yàn)一 ???????????? 實(shí)驗(yàn)報(bào)告一 ??????????? 實(shí)驗(yàn)二 ???????????? 實(shí)驗(yàn)報(bào)告 二 ??????????? 實(shí)驗(yàn)三 ?? ?????????? 實(shí)驗(yàn)報(bào)告 三 ??????????? 實(shí)驗(yàn)四 ???????????? 實(shí)驗(yàn)報(bào)告 四 ??????????? 實(shí)驗(yàn)五 ???????????? 實(shí)驗(yàn)報(bào)告 五 ??????????? 實(shí)驗(yàn)六 ???????????? 實(shí)驗(yàn)報(bào)告 六 ??????????? 實(shí)驗(yàn)七 ???????????? 實(shí)驗(yàn)報(bào)告 七 ??????????? 實(shí)驗(yàn)八 ???????????? 實(shí)驗(yàn)報(bào)告 八 ??????????? 2 習(xí)題 一 一、 填空題 1．自然界的物質(zhì)按導(dǎo)電性可分為 絕緣體 、 導(dǎo)體 和 半導(dǎo)體 三類(lèi)。 空 穴 的出現(xiàn)是 半導(dǎo)體稱(chēng) 區(qū)別于 導(dǎo)體 的重要特征 。 8． 二極管 主要 由一個(gè) PN 結(jié)構(gòu)成 。 12． 二極管 的主要參數(shù)有 正向額定工作電流 、 最高反向工作電壓 和 反向漏電流 等 。 14． 用數(shù)字萬(wàn)用表二極管擋測(cè) 量 晶體管時(shí)，可以把它等效看成為共用 基 極的雙二極管。 18． 晶體管處于飽和狀態(tài)時(shí)，其發(fā)射結(jié) 正 偏，集電 結(jié) 反 偏，基極電流 與 集電極電流的關(guān)系為 ICβ IB 。 22． 晶閘管 有三種狀態(tài)，分別是 正向阻斷 、 正向?qū)? 、 反向阻斷 。 （ √ ） 2．半導(dǎo)體主要靠空 穴 導(dǎo)電。 （ ⅹ ） 6． 采用不同的摻雜工藝，將 N 型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上，在兩者交界面形成 PN 結(jié)。 （ √ ） 10．變?nèi)荻O管是點(diǎn)接觸型二極管。 （ √ ） 14．作為 晶體 管，對(duì)于每一個(gè)基極電流，都有一條輸出 特性曲線(xiàn) 與之對(duì)應(yīng) 。 A． 電子 B． 電子和空穴 C．空穴 2．往本征半導(dǎo)體中加 A 元素可形成 N型半導(dǎo)體 。 A．正向?qū)? B． 反向截止 C． 反向擊穿 6． 用直流電壓表測(cè)得放大電路中某三極管各極電位分別是 2V、6V、 ，則三個(gè)電極分別是 C ，該管是 D 型。 A．輸 出 電壓 B． 基極電流 C． 基極電壓 10．工作于放大區(qū) 的 晶體管 ，若 IB從 12μA增大到 22μA時(shí)，IC 從 1mA變?yōu)?2mA，那么它的 β約為 B 。 5 a） b） 題 圖 12 8． 測(cè)得放大電路中六只晶體管的直流電位如題 圖 13所示。 （ 1） 試求 晶體管的直流放大系數(shù) β為多少 ？ （ 2） 試求與 1BI 、 2BI 、 3BI 分別對(duì)應(yīng)的 1CI 、 2CI 、 3CI 分別為多少 ？ 解： （ 1） BI? = 2BI 1BI =（ 8040） μA=40μA CI? = 放大 放大 放大 截止 放大 燒壞 6 所以，有BCII???? = AmA? = （ 2） 1BI 、 2BI 、 3BI 分別對(duì)應(yīng)的 1CI 、 2CI 、 3CI 分別為 1CI =β ? 1BI =? 40μA= 2CI =β ? 2BI =? 80μA= 3CI =β ? 3BI =? 120μA= 2． 寫(xiě)出 題 圖 15 所示 電路的輸出電壓值，設(shè)二極管導(dǎo)通電壓VD＝ 。但是，電源 E2比電源 E1 電壓低，所以 VD2首先導(dǎo)通， 從而把輸出電壓鉗位于 3V， 于是 VD1截止。 題 圖 17 答： +， +5V， 5V， 。 （ 2） 保持 Rb不變，改變 Rc = ，通過(guò) 計(jì)算判斷晶體管的工作狀態(tài)？ 解： 保持 Rb不變 ，即 BI =20μA， CI =；若 Rc = ，則 VkmAVRIVV cCCCCE ??????? 計(jì)算 表明： 發(fā)射結(jié)正偏 、 集電 結(jié)也正偏， 晶體管 處于飽和狀態(tài)。 3． 單管共射放大電路 既 能 單 電源 供電，也可雙電源供電。 6． 在研究晶體管放大器時(shí)，為了描述問(wèn)題的方便，常常需要對(duì)電路中各種參量（電壓和電流）進(jìn)行約定； 比如 VB表示 的含意為 純直流量 、 ib 表示的含意為 純交流量 。 10． 放大 器的 交流 通路是指 交流信號(hào)經(jīng)過(guò)的路徑 。 13． 放大 器空載時(shí)，其工 作 點(diǎn)隨輸入信號(hào)沿 直流 負(fù)載線(xiàn) 運(yùn)動(dòng)； 放大 器 負(fù)載時(shí)，其工 作 點(diǎn)隨輸入信號(hào)沿 交流 負(fù)載線(xiàn) 運(yùn) 動(dòng)。 17． 采用 分壓式偏置 電路可穩(wěn)定 靜態(tài)工作點(diǎn)。 21．共基電極 放大 器 輸入、輸出信號(hào)相位 相同 ，其電壓放大 倍數(shù)與 共射電壓放大器 相同；輸入電阻 較小 ，輸出電阻 較大 。 25． 放大器 的 在 高 頻段 內(nèi) 放大倍數(shù)的下降 的主要原因是 結(jié) 電容和 電路分布 電容 及 負(fù)載電容的容抗變低，對(duì)信號(hào)的分流作用不可忽略 等造成的結(jié)果 。 （ ⅹ ） 3．電壓放大器是放大單一頻率的信號(hào)放大器 。 （ √ ） 7． 固定 偏置 共射 放大器 的缺點(diǎn)是 靜態(tài)工作點(diǎn)不 穩(wěn)定。 （ ⅹ ） 11 11． 只有電路既放大電壓，又放大電流，才稱(chēng)其有放大作用 。 （ √ ） 15．因負(fù)載電阻 RL接在輸出回路，所以它是放大器輸出電阻的一部分。 （ ⅹ ） 19．放大器的頻率特性就是它的幅頻特性。 （ 1） 該電路的最大不失真電壓為 B 。 A． RP 減小 B． Rc減小 C． VG減小 題 圖 21 2． 共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時(shí)為 B ，此時(shí)應(yīng)該 E 偏置電阻。 A． RL=0 B． RL=∞ C． RL= Rc 12 四 、問(wèn)答題 1． 電路 如 題 圖 22所示 。 （ 1） 若 Rb=400kΩ，晶體管 β=80，試求 IBQ、 ICQ和 VCEQ？ （ 2） 若 把 ICQ 調(diào)到 ， Rb應(yīng)該調(diào)多大 ？ （ 3） 若 把 VCEQ調(diào)到 ， Rb應(yīng)該調(diào)多大 ？ 解：（ 1） ?? kVIBQ 40012=30μA 于是 BQCQ II ?? =80? 30μA= 因此 VkmAVRIVV cCQGC E Q ??????? （ 2） 若 把 ICQ調(diào)到 ，則 BQI =ICQ/β=（ 3） 若 把 VCEQ調(diào)到 ，即 題 圖 23 13 CQI =cCEQG RVV ? = ??k V3 )( = 因此 ，有 BQI =ICQ/β=則 AVRb ?4012?=300KΩ 2． 放大電路如題 圖 23所示，已知： VG=12V， Rb=240kΩ，Rc=3kΩ， 忽略 VBEQ，試計(jì)算 （ 1） 若 β=40，試 求 IBQ、 ICQ和 VCEQ？ （ 2） 計(jì)算 輸入電阻 ir 、 輸 出 電阻 or 和 空載 電壓放大倍數(shù) vA （ *） 。 b．接通電路電源，左右緩慢地調(diào)節(jié)電位器，可觀(guān)察 直流電壓表的讀數(shù)會(huì)相應(yīng)地變化； 當(dāng) 電壓 達(dá)到期望值（約為 VG/2），調(diào)整過(guò)程結(jié)束。但是萬(wàn)用表正表筆接 GV 端，負(fù)表筆接晶體管基極，這種連接情況下，集電結(jié)反偏截止，不影響測(cè)量結(jié)果。 6． 某同學(xué)做實(shí)驗(yàn)時(shí)，在 題 圖 26a 中輸入 iv =50mV低頻交流信號(hào)， 揚(yáng)聲器 （ 8Ω） 幾乎沒(méi)有發(fā)出聲響 。 解：由公式 eBQB E QbBQG RIVRIV )1( ????? 忽略 VBEQ，可得 ebGBQ RR VI )1( ???? Akk VRR V eb G ?? 12)1( ????????? 則 mAAIII BQEQCQ 0 0 ????? ?? 題 圖 26 題 圖 27 16 于是，有 eEQGCEQ RIVV ?? = VkmAV ???? 7． 電路如右 題 圖 28 所示，設(shè) 晶體管 β=200， VG=20V，