模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)點(diǎn)總結(jié)解析-wenkub
2022-11-15 05:51:57 本頁面
【正文】 電路 * 靜態(tài)分析 10 或 ， * 動(dòng)態(tài)分析 ， 11 第 三章 多級(jí)放大電路 第 四 章 集成運(yùn)算放大電路 一 . 級(jí)間耦合方式 1. 阻容耦合 各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立；能有 效地傳輸交流信號(hào)；體積小，成本低。 22 場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路 一 . 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（ JFET ） 2. 輸出特性曲線 （可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)） 轉(zhuǎn)移特性曲線 UP 截止電壓 二 . 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（ MOSFET） 分為增強(qiáng)型（ EMOS）和耗盡型（ DMOS）兩種。 六 . 放大電路的等效電路法 1. 靜態(tài)分析 （ 1）靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估算 （ 2） Q 點(diǎn)在放大區(qū)的條件 欲使 Q 點(diǎn)不進(jìn)入飽和 區(qū)，應(yīng)滿足 RB＞ βRc 。 4. 放大器的動(dòng)態(tài)范圍 （ 1） Uopp是指放大器最大不失真輸出電壓的峰 峰值。 3. 靜態(tài)工作點(diǎn)與非線性失真 （ 1）截止失真 *產(chǎn)生原因 Q 點(diǎn)設(shè)置過低 *失真現(xiàn)象 NPN 管削頂， PNP 管削底。 3）改變 VCC：直流負(fù)載線平移， Q 點(diǎn)發(fā)生移動(dòng)。 *畫法 電容視為開路。 溫度升高 ICBO、 ICEO 、 IC 以及 β均增加。 3. 共射電路的特性曲線 *輸入特性曲線 同二極管。 第二章 167。 1）圖解分析法 該式與伏安特性曲線的交點(diǎn)叫靜態(tài)工作點(diǎn) Q。 *正向?qū)▔航?硅管 ~，鍺管 ~。 7. PN 結(jié) * PN 結(jié)的接觸電位差 硅材料約為 ~，鍺材料約為 ~。 *N型半導(dǎo)體 : 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少子是空穴）。 帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。 1 模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié) 第一章 半導(dǎo)體二極管 一 .半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí) 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì) (如硅 Si、鍺 Ge)。 在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。 *載流子的濃度 多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。 * PN 結(jié)的單向?qū)щ娦?正偏導(dǎo)通，反偏截止。 *死區(qū)電壓 硅管 ，鍺管 。 2 2) 等效電路法 ? 直流等效電路法 *總的解題手段 將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低 : 若 V陽 V陰 ( 正偏 )，二極管導(dǎo)通 (短路 )。 21 三極管及其基本放大電路 一 . 三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點(diǎn) 分為 NPN 和 PNP 兩種。 * 輸出特性曲線 (飽和管壓降，用 UCES表示 放大區(qū) 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 三 . 低頻小信號(hào)等效模型（簡(jiǎn)化） hie輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻， 常用 rbe表示； hfe輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比， 常用 β表示； 四 . 基本放大電路組成及其原則 1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、 C C2的作用。 4 *作用 確定靜態(tài)工作點(diǎn) *直流負(fù)載線 由 VCC=ICRC+UCE 確定的直線。 2. 交流通路與動(dòng)態(tài)分析 *概念 交流電流流通的回路 *畫法 電容視為短路 ,理想直流電壓源視為短路。 *消除方法 減小 Rb，提高 Q。 （ 2）范圍 *當(dāng)（ UCEQ－ UCES）＞（ VCC’ － UCEQ ）時(shí)，受截止失真限制， UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。 2. 放大電路的動(dòng)態(tài)分析 * 放大倍數(shù) * 輸入電阻 * 輸出電阻 七 . 分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)共射 放大電路的等效電路法 1．靜態(tài)分析
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