改善fab良率的最佳方案-wenkub
2023-05-28 00:17:35 本頁面
【正文】 前工藝設(shè)備不會產(chǎn)生降低良率的缺陷檢測當(dāng)步工藝前后點檢片上顆粒的數(shù)量，來計算增加的缺陷 數(shù)量?！ ?不論這種檢測的頻率和影響如何，就采用的方法而言，是相對粗糙的，而且這種數(shù)據(jù)支持系統(tǒng)主要是針對工程缺陷分析和傳統(tǒng)的靜態(tài)工藝控制（SPC）技術(shù)而設(shè)計的。 作者：Bruce Whitefield, Manu Rehani 和 Nathan Strader, LSI Logic Corp 20051228 點擊:1302 本文介紹LSI Logic采用最佳的設(shè)備控制方法，采用新的數(shù)據(jù)系統(tǒng)來改進(jìn)其晶圓廠的設(shè)備顆粒缺陷控制。 像半導(dǎo)體制造中的許多其他動向一樣，器件幾何尺寸和運轉(zhuǎn)晶圓廠費用的無情壓縮，都在推動設(shè)備顆粒特性的改善和更緊的控制。更換舊的工藝設(shè)備、購買更先進(jìn)的顆粒檢測設(shè)備不作為選項?！ ?缺陷測量和計算的已知最佳方案（BKMs）并沒有在所有的測試中都貫徹實施。 ● 缺陷數(shù)據(jù)系統(tǒng)主要是針對工程分析，而不是針對生產(chǎn)缺陷控制而設(shè)計。在回顧這些最佳個案時發(fā)現(xiàn)，似乎一些步驟，由于組織上、程序上或者基礎(chǔ)上的原因，很難實施或者不能在所有情況下實施?！ 》椒ǎ╬rocess）、系統(tǒng)基礎(chǔ)（system infrastructure）和組織現(xiàn)實（organizational realities），存在于相互關(guān)聯(lián)但又相互隔離的平面內(nèi)。如果任何一個方面的要求沒有達(dá)到，那么這種方法就崩潰了，導(dǎo)致低效率的、重復(fù)性的過程，或者這種方法的使用不足?！ 〗M織方面 這個Fab的組織架構(gòu)是一個工藝區(qū)域和職責(zé)紀(jì)律相交的矩陣，這是很多晶圓廠的典型情況。的實際情況，要求組織基礎(chǔ)和架構(gòu)支持BKM在每個工藝區(qū)域中執(zhí)行。DCR包括了針對于特定工藝的最佳實踐案例，比如： ● 記錄點檢過程中必須要檢測的感興趣的缺陷（DOI，defect of interest）。56個確認(rèn)的最佳案例可以分解為三個執(zhí)行層次，如下： ● 層次1: 基礎(chǔ)，注意和責(zé)任人 ● 層次2: 擴(kuò)展BKM ● 層次3: 缺陷降低和成本優(yōu)化 每一個BKM都要仔細(xì)定義和研究，理解如何貫徹執(zhí)行它們。 基礎(chǔ)架構(gòu)方面 隨著BKM的建立和組織需要的確定，要對基礎(chǔ)架構(gòu)進(jìn)行調(diào)整，以便使缺陷控制措施能夠有效地完成。這是一個非常好的方法，但是在實際應(yīng)用中由于數(shù)據(jù)中噪音的緣故會有一定的局限性，會忽略掉一些有用的信息，比如空間分布，以及缺陷分類。現(xiàn)存的缺陷數(shù)據(jù)分析軟件中，KLATencor的Klarity，是為在線檢查數(shù)據(jù)的工程分析而設(shè)計的，它為有經(jīng)驗的用戶提供了強(qiáng)大的，交互式功能?！ ield Driver設(shè)計時將BKM嵌入到系統(tǒng)功能中，這樣就能夠支持設(shè)備缺陷控制工作中的特別需求?！ ⊥ㄟ^把點檢晶圓批應(yīng)用于每項檢測中，利用工廠的MES系統(tǒng)控制這些點檢晶圓，數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)就能夠?qū)崿F(xiàn)自動化，但是這就要求MES系統(tǒng)要有新的功能，并且需要增加點檢晶圓的用量。 下一步是選擇檢測前后的測試。這種方法還支持將以前的檢測結(jié)果作為下一次檢測的初始數(shù)據(jù)，這樣就節(jié)約了檢測的時間。一旦需要的數(shù)據(jù)被選中（如圖7），它能夠用圖表列出需要的任意時段?！ ?空心點表示未包括的數(shù)據(jù)點?！ ?許多參數(shù)可以在不同的圖表中描繪出來。
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